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薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)

現(xiàn)場可編程門陣列(Field-Programmable Gate Array，F(xiàn)PGA)是半導(dǎo) 體集成電路領(lǐng)域的一類通用核心器件，在國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有著廣 泛的應(yīng)用。美國廠商壟斷了全球幾乎所有的 FPGA 芯片市場，而我國 的航空航天技術(shù)和國防工業(yè)對 FPGA 芯片有超大量的需求和嚴(yán)重的 依賴，高端 FPGA 技術(shù)和芯片產(chǎn)品被美國等列為對華出口的嚴(yán)格限制 清單中，嚴(yán)重制約了航空航天技術(shù)和國防工業(yè)發(fā)展。針對上述問題， 項目組通過自主創(chuàng)新研制

內(nèi)容介紹： 本項目通過通過研究EMI多層片式LC濾波器的制造技術(shù)，攻克了材料 的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)、器件的獨石化流延工藝技術(shù)、異種材料的疊層共燒技術(shù) 和多層片式LC濾波器的結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)等產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)難題，釆用先進 的流延成型工藝技術(shù)制備出尺寸為2Xl.2X0.8mm （0805規(guī)格）的EMI多 層片式LC濾波器，電學(xué)參數(shù)測試結(jié)果表明其各項性能參數(shù)與國外同類產(chǎn) 品相當(dāng)，關(guān)鍵技術(shù)獲得國家專利3項，并榮獲陜西省科

本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜

本項目的創(chuàng)新點主要是采用環(huán)形鏡解調(diào)和GSM數(shù)字移動網(wǎng)傳輸信號的技術(shù)。具有響應(yīng)速度快、調(diào)諧范圍寬、可實時檢測、使用壽命長、抗電磁干擾能力強等優(yōu)點，有重要實用意義。 光纖光柵傳感器陣列的每一個光柵反射率大于90%，線寬小于0.4nm，各光柵中心波長間隔大于1nm。 研制出寬帶光源等實驗裝置，寬帶光源輸出功率大于1mw，帶寬30nm；已成功應(yīng)用于光纖光柵傳感器陣列檢測實驗。 研制出寬帶光源、高雙折射光纖環(huán)鏡濾波邊緣濾波解調(diào)系統(tǒng)的實驗樣機。 研制出快

電子材料及器件噪聲-可靠性測試平臺，該系統(tǒng)是國內(nèi)外首套電子器件噪聲-可靠性分析系統(tǒng)。采用了基于虛擬儀器的微弱噪聲測試、基于噪聲的可靠性診斷方法、電子器件噪聲的子波分析方法等關(guān)鍵技術(shù)，將子波分析用于噪聲-可靠性表征，可對各種電子器件和集成電路模塊進行噪聲測試與分析、內(nèi)部潛在缺陷診斷和無損預(yù)篩選。系統(tǒng)可以測量電子器件的各種噪聲參數(shù)，同時對噪聲進行頻譜分析、子波分析、集總參數(shù)分析。具有實時檢測、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小體積的優(yōu)點，良好的通用性和可升級性使其同時適用于科研和生產(chǎn)單位。

本發(fā)明公開了一種用于 ESD 保護的低壓觸發(fā) SCR 器件。本發(fā)明創(chuàng)造采用第一 PMOS 和第二 PMOS 分別進行襯底觸發(fā)和柵觸發(fā)，從而降低 SCR 器件的觸發(fā)電壓。 ESD 脈沖信號施加在 Anode 和 Cathode 之間，第一 PMOS 和第二 PMOS 首先被觸發(fā)導(dǎo)通，第一 PMOS 開通之后，給 Nwell 施加一觸發(fā)電流，第二 PMOS 開通之后給第三 PMOS 施加一觸發(fā)電壓。第一 PMOS 施加的 Nwell 觸發(fā)電流和第三 PMOS 的溝道電流觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通，晶閘管電流（ SCR current ）導(dǎo)通大部分 ESD  電流，從而實現(xiàn)了 ESD 保護。

光學(xué)領(lǐng)域頂尖期刊《自然·光子學(xué)》報道了浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院陳紅勝教授課題組的一項最新研究：在國際上率先實現(xiàn)基于深度學(xué)習(xí)的新一代智能隱身器件。在不依賴任何人為操控的情況下，快速地動態(tài)適應(yīng)變化的背景環(huán)境，從而與背景電磁環(huán)境特征融為一體，實現(xiàn)自適應(yīng)隱身。論文審稿專家認(rèn)為：“這是一項激動人心的、及時而杰出的工作，它連接了變換光學(xué)、電磁超材料和人工智能等領(lǐng)域，為智能光子材料和器件這個新興領(lǐng)域樹立了很好的標(biāo)桿，也將大大促進其他智能電磁器件的發(fā)展?！弊匀唤绱嬖趦煞N“隱身”策略。一種是在變色龍和章魚生物中常見的擬態(tài)隱身，使自己融于周邊環(huán)境；另一種是透明隱身，即光透過物體時不產(chǎn)生任何散射，例如海樽和水母。科學(xué)家近年來提出的變換光學(xué)隱身方法則區(qū)別于上述兩種策略，它利用坐標(biāo)變換的方法來控制電磁波，使其繞過被隱身的區(qū)域，按照原來的方向傳播，從而使物體完全隱形。與自然界的“隱身衣”相比，人類的“隱身衣”多數(shù)只能工作在單一的環(huán)境背景和既定的入射波條件。如果稍加改變外界環(huán)境或者入射波，隱身效果便會大幅度降低?！袄硐氲碾[身衣應(yīng)該和章魚和變色龍一樣，能夠快速自動地適應(yīng)于變化的外界刺激和背景環(huán)境?！标惣t勝說。如何才能實現(xiàn)這一點？“章魚有色素細(xì)胞，我們有可重構(gòu)的新型人工電磁材料單元；章魚有中樞神經(jīng)，我們有深度學(xué)習(xí)方法；章魚有光敏細(xì)胞，我們可以搭建電磁波和環(huán)境探測器。”論文第一作者、課題組成員錢超說。當(dāng)前，深度學(xué)習(xí)已經(jīng)開始滲入電磁材料領(lǐng)域，但是主要偏重于理論上設(shè)計優(yōu)化人工電磁材料。如何在實驗上實現(xiàn)新型的智能電磁材料、構(gòu)建新一代智能隱身系統(tǒng)并實現(xiàn)快速有效的自適應(yīng)隱身，是一個極具挑戰(zhàn)的課題，在此之前還未見成功實驗的報道。經(jīng)過三年多的不懈努力，陳紅勝研究團隊組在充分研究隱身領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)瓶頸的基礎(chǔ)上，在微波段成功實現(xiàn)了智能自適應(yīng)隱身器件。研究團隊設(shè)計了一項小車智能隱身實驗——小車身披一層超薄的可重構(gòu)的超表面隱身材料，這件“隱身衣”由智能芯片控制，集成了訓(xùn)練好的深度學(xué)習(xí)模型，能夠根據(jù)輸入的電磁信息快速做出決策，改變“隱身衣”的電磁響應(yīng)。探測雷達隨機改變著入射波的頻率、極化和入射角，而小車的任務(wù)就是動態(tài)適應(yīng)變化的探測信號，對雷達“隱身”。當(dāng)環(huán)境發(fā)生變化，變色龍大約需要6秒時間過度到環(huán)境色；而當(dāng)電磁環(huán)境發(fā)生變化時，披著智能隱身衣的小車只需要15毫秒就能自動地實時“換裝”。陳紅勝教授表示，智能隱身成功地融合了新型電磁材料和人工智能等領(lǐng)域，其采用硬件手段實現(xiàn)用于隱身調(diào)控的深度學(xué)習(xí)模型，在應(yīng)用中只需單次前向計算即可做出合理的決策，大大地縮短了響應(yīng)時間，這一方法對于實時性要求很高的其他應(yīng)用也有很好的借鑒意義

項目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件