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項(xiàng)目采用了中山大學(xué)自主研發(fā)的低損耗低應(yīng)力超低溫氮化硅材料平臺(tái)，研制了一系列光子集成的關(guān)鍵 器件

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮團(tuán)隊(duì)首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級(jí)異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對(duì)濃度低至1 ppm的硫化氫實(shí)

該器件屬專利技術(shù)，是一種顏色穩(wěn)定的有機(jī)-無(wú)機(jī)異質(zhì)結(jié)白色電致發(fā)光器件及制備方法。具體地講是一種在有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面嵌入無(wú)機(jī)II-VI族化合物薄層而獲得顏色穩(wěn)定的白色電致發(fā)光器件。 通常，在雙層及多層結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光器件中，由于器件內(nèi)部異質(zhì)結(jié)界面處界面勢(shì)壘的影響，該界面處所積累的載流子會(huì)隨著所加電壓的增加而增加，器件內(nèi)部各有機(jī)層的電場(chǎng)會(huì)進(jìn)行重新分布，并相應(yīng)地改變著在器件各層上的電壓分布以及發(fā)光區(qū)域在各層中的位置，進(jìn)而改變光譜的形狀，影響發(fā)光顏色。特別地，如果雙層有機(jī)電致發(fā)光器件中的電子傳輸層與空穴傳輸層的相互作用較強(qiáng)，則該異質(zhì)結(jié)界面處會(huì)出現(xiàn)激基復(fù)合物（Exciplex 或Electroplex）的發(fā)光。若利用無(wú)機(jī)材料的載流子（包括電子和空穴）遷移率高以及相對(duì)更加穩(wěn)定的特點(diǎn)，在有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面處嵌入一層無(wú)機(jī)材料薄層，可實(shí)現(xiàn)無(wú)機(jī)材料薄層兩側(cè)有機(jī)材料的發(fā)光。利用互補(bǔ)色原理，當(dāng)兩側(cè)有機(jī)材料的發(fā)光可以相互混合成白光時(shí)，則可以得到顯色性很好的白色發(fā)光器件。改變器件所加的電壓只是改變發(fā)光強(qiáng)度，器件的發(fā)光顏色將基本不變。 技術(shù)內(nèi)容： 該器件是一種顏色穩(wěn)定的有機(jī)—無(wú)機(jī)異質(zhì)結(jié)白色電致發(fā)光器件，使用該器件既能克服有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面可能會(huì)出現(xiàn)激基復(fù)合物發(fā)光而降低發(fā)光效率，又能解決器件的發(fā)光顏色隨電壓發(fā)生變化等問(wèn)題。 器件的白色電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)為： 在玻璃基片上鍍有一層ITO陽(yáng)極，在ITO陽(yáng)極上鍍有一層有機(jī)空穴傳輸層兼發(fā)光層和一層有機(jī)電子傳輸層兼發(fā)光層，在該兩層有機(jī)層之間，有一層無(wú)機(jī)材料薄層，在有機(jī)電子傳輸層兼發(fā)光層上鍍有金屬背電極。 該器件與目前使用的有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面處的激基復(fù)合物發(fā)光來(lái)獲得白色電致發(fā)光的方法相比，其優(yōu)點(diǎn)是：首先，II-VI族無(wú)機(jī)材料的引入可以有效避免有機(jī)異質(zhì)結(jié)界面形成激基復(fù)合物發(fā)光而降低發(fā)光效率；其次，電子傳輸層兼發(fā)光層及其中摻雜的組分（如染料等）都可以優(yōu)化，器件的顏色可得到進(jìn)一步優(yōu)化，而一旦確定了有機(jī)電子傳輸層兼發(fā)光層及其中摻雜組分之后，器件的顏色是基本確定的，不再隨著電壓的改變而改變；再次，由于所用的無(wú)機(jī)材料（II-VI族化合物）本身的能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，使得從電子傳輸層兼發(fā)光層注入的電子在該有機(jī)/無(wú)機(jī)界面處沒(méi)有勢(shì)壘，而從空穴傳輸層兼發(fā)光層注入的空穴在該有機(jī)/無(wú)機(jī)界面處有一定的空穴注入勢(shì)壘，可以平衡載流子的注入，使得無(wú)機(jī)材料層兩側(cè)的有機(jī)層都有發(fā)光；另外，所插入的無(wú)機(jī)材料薄膜本身對(duì)不同的波長(zhǎng)都具有一定的透過(guò)率。不難理解，無(wú)機(jī)材料較高的電子遷移率和空穴遷移率使得載流子能順利穿透無(wú)機(jī)層到達(dá)相應(yīng)的有機(jī)層中形成激子并復(fù)合發(fā)光，再通過(guò)優(yōu)化器件各層的厚度即可得到顯色性好、顏色穩(wěn)定的白色發(fā)光器件。由于使用了化學(xué)穩(wěn)定性更強(qiáng)的無(wú)機(jī)材料，因此器件的穩(wěn)定性增加了。

電致變色器件是一種納米多層膜功能器件。它是一種通過(guò)低電壓（1-5V）、無(wú)電流、零能耗驅(qū)動(dòng)的多功能變色器件。它可以根據(jù)需求智能化地調(diào)節(jié)可見(jiàn)光透射率和反射率以及紅外光的發(fā)射率，從而在在智能化高效節(jié)能窗、航天器表面熱控、武器裝備隱身、汽車無(wú)眩光后視鏡等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。項(xiàng)目組自主研究開(kāi)發(fā)出了完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的兩種新一代全固態(tài)電致變色器件：全無(wú)機(jī)薄膜型和無(wú)機(jī)/有機(jī)組合型電致變色器件。 研究了電致變色器件在三個(gè)方面的應(yīng)用特性：作為智能化高效節(jié)能窗對(duì)于太陽(yáng)光透過(guò)率的調(diào)節(jié)作用；作為衛(wèi)星表面智能熱控器件其表面紅外發(fā)射率的調(diào)控特性和太陽(yáng)能光譜波段的反射率調(diào)控特性；作為多頻譜隱身器件在可見(jiàn)光和紅外迷彩以及紅外特征抑制方面的色彩和紅外發(fā)射率調(diào)制。 自主開(kāi)發(fā)了高性能的無(wú)機(jī)固態(tài)離子導(dǎo)體薄膜和有機(jī)離子導(dǎo)電膠兩種全固態(tài)電致變色器件中的核心技術(shù)。研發(fā)了全固態(tài)電致變色器件的專用鍍膜制備技術(shù)和裝置。獲得國(guó)家發(fā)明專利4項(xiàng)。發(fā)表學(xué)術(shù)性研究論文30多篇。

項(xiàng)目概況 針對(duì)目前密封存在有密封液蒸發(fā)快、穩(wěn)定性差和不耐高溫和腐蝕等缺點(diǎn)，本項(xiàng)目選擇飽和磁化強(qiáng)度較高而抗氧化能力較高的Fe3O4作為磁流體的微粒磁性材料，使其溶于二辛酯基液形成性能穩(wěn)定、蒸發(fā)慢和耐高溫耐腐蝕的納米磁流體。利用非接觸式密封潤(rùn)滑技術(shù)，把優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。在特殊設(shè)計(jì)密封閉合磁路系統(tǒng)中，使轉(zhuǎn)軸與極靴極齒頂端的齒形間隙中產(chǎn)生強(qiáng)弱相間的非均勻 “O”型密封環(huán)，采用梯形極靴，多級(jí)并用，增加高導(dǎo)磁套筒來(lái)減小軸向泄漏，既達(dá)到密封目的，又起到潤(rùn)滑作用。本項(xiàng)目處于國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 主要特點(diǎn) 1. Fe3O4磁性微粒的制備采用了改性溶膠凝聚法相的工藝技術(shù)，這種工藝技術(shù)可使磁性微粒的粒度可調(diào)，抗氧化能力強(qiáng)和穩(wěn)定性好。 2．利用非接觸式密封潤(rùn)滑技術(shù)，使優(yōu)化配方的磁液體應(yīng)用于高性能旋轉(zhuǎn)軸密封器件中。 3．不同的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)計(jì)不同的磁路結(jié)構(gòu)，能防止軸向泄露和提高耐壓能力。 4．旋轉(zhuǎn)軸密封件的泄漏率為10-11 cm3/s，每級(jí)的耐壓能力均大于或等于0.2 atm。 技術(shù)指標(biāo)     應(yīng)用磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸比普通的機(jī)械密封軸相比，平均壽命提高9倍，平均節(jié)約原材料總成本350%。與普通旋轉(zhuǎn)軸相比，耐壓能力高，密封性能好，壽命高，原材料及部件成本顯著降低，而且穩(wěn)定性好。市場(chǎng)前景 通過(guò)現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，該產(chǎn)品和他們?cè)瓉?lái)使用的普通密封軸相比，密封效果的明顯提高，壽命長(zhǎng)，性能穩(wěn)定，最重要的是原材料總成本降低了610元，使用安全方便，在生產(chǎn)過(guò)程中無(wú)污染，無(wú)三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于密封性能要求高，工作環(huán)境惡劣(如堿性液、污水等)的高性能機(jī)械旋轉(zhuǎn)軸，該磁流體密封旋轉(zhuǎn)軸滿足了工業(yè)生產(chǎn)的需求，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。目前已為國(guó)內(nèi)多個(gè)企業(yè)所采用。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀系統(tǒng)參數(shù)的校準(zhǔn)方法，該方法可以在一次測(cè)量中獲取旋轉(zhuǎn)器件型光譜橢偏儀中全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)，其方法是將任意厚度的標(biāo)準(zhǔn)樣件作為待測(cè)樣件，使用待校準(zhǔn)光譜橢偏儀進(jìn)行測(cè)量，對(duì)測(cè)量獲得的光強(qiáng)諧波信號(hào)進(jìn)行傅里葉分析，通過(guò)傅里葉系數(shù)序列計(jì)算獲取第一個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，以其作為初值，采用非線性回歸算法，通過(guò)理論光譜擬合測(cè)量光譜，獲得第一個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)。并依次以校準(zhǔn)獲得的第 i 個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)作為初值，擬合獲得第 i+1 個(gè)波長(zhǎng)點(diǎn)的系統(tǒng)參數(shù)，進(jìn)而獲得全光譜范圍的系統(tǒng)參數(shù)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對(duì)目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測(cè)試內(nèi)容包括對(duì)閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲(chǔ)單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫(xiě)入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測(cè)試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對(duì)正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識(shí)別，并預(yù)估錯(cuò)誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提

本項(xiàng)目主要開(kāi)展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設(shè)計(jì)、納微結(jié)構(gòu)體系的光學(xué)非線性效應(yīng)、光波傳播動(dòng)力學(xué)以及光控光操作應(yīng)用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應(yīng)、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學(xué)晶格的制備

本發(fā)明公開(kāi)了一種閃存器件的軟信息提取方法，包括離線訓(xùn)練 與在線運(yùn)行兩部分，在離線狀態(tài)下，對(duì)目標(biāo)閃存器件進(jìn)行先驗(yàn)性實(shí)驗(yàn)， 實(shí)驗(yàn)測(cè)試內(nèi)容包括對(duì)閃存器件內(nèi)部物理塊的存儲(chǔ)單元進(jìn)行大量重復(fù)的 擦除、寫(xiě)入以及讀出操作，從而記錄閃存器件在其測(cè)試周期內(nèi)的外部 特征量；然后進(jìn)行數(shù)據(jù)集訓(xùn)練，建立閃存內(nèi)部存儲(chǔ)單元物理狀態(tài)與外 部特征量之間的關(guān)聯(lián)；在線運(yùn)行狀態(tài)下，對(duì)正在在線運(yùn)行的閃存物理 狀態(tài)進(jìn)行識(shí)別，并預(yù)估錯(cuò)誤率，并計(jì)算軟信息。本發(fā)明所提出的方法 不僅不依賴于閃存內(nèi)部的特殊命令，而且可以方便地集成進(jìn)自主閃存 控制器中，與

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開(kāi)器件，不利于射頻功率放大器電路設(shè)計(jì)與安全性。如果器件能夠?qū)崿F(xiàn)常關(guān)特性，則射頻功率放大器電路可因此簡(jiǎn)化。然而，目前常見(jiàn)實(shí)現(xiàn)器件常關(guān)特性工藝需要對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕，而刻蝕工藝會(huì)對(duì)器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關(guān)型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見(jiàn)。