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已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。

已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介本成果提出新型微結(jié)構(gòu)光纖器件，提出基于非對(duì)稱耦合理論的實(shí)現(xiàn)模式轉(zhuǎn)換、波分 復(fù)用等功能器件。已申請(qǐng)發(fā)明專利 6 項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專利 3 項(xiàng)（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標(biāo) （1）模式轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實(shí)現(xiàn) 1310、1550 nm 波長(zhǎng)復(fù)用、解復(fù)用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場(chǎng)前景 適用范圍：高速光通信關(guān)鍵器件，組成高速、大容量光 通信

徐永兵課題組于2014年啟動(dòng)了國(guó)家重大儀器研究計(jì)劃（飛秒級(jí)時(shí)間分辨并自旋分辨電子能譜探測(cè)系統(tǒng)，項(xiàng)目編號(hào)61427812）。此項(xiàng)目就是旨在建立國(guó)內(nèi)第一套極深紫外的光源系統(tǒng)。目前已經(jīng)成功地在實(shí)驗(yàn)室中，實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復(fù)頻率為1kHz，單個(gè)脈沖為30fs。單個(gè)光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光

本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對(duì)擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)

高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；申請(qǐng)發(fā)明專利12項(xiàng)（5項(xiàng)授權(quán)）。項(xiàng)目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項(xiàng)目研究成果，填補(bǔ)了我國(guó)在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。 

在海洋環(huán)境、酸雨污染、高溫高濕等的環(huán)境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過(guò)程中會(huì)造成點(diǎn)蝕，進(jìn)而擴(kuò)展為大面積腐蝕，而作為連接部件會(huì)加劇縫隙腐蝕引發(fā)應(yīng)力腐蝕斷裂。該項(xiàng)目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環(huán)保涂料，大大延長(zhǎng)銅類尤其是紫銅的自然存放期，對(duì)銅器件生產(chǎn)和運(yùn)輸過(guò)程中起到了很好的保護(hù)作用；由于耐蝕性優(yōu)異，也可作為長(zhǎng)期防護(hù)涂層。該技術(shù)獲得的涂層在厚度為5μ條件下測(cè)試相關(guān)主要技術(shù)指標(biāo)如下：   外觀    無(wú)色透明   可保留銅的金屬光澤；可調(diào)整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測(cè)定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級(jí)      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗(yàn)》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測(cè)定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測(cè)定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測(cè)定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測(cè)定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗(yàn)-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術(shù)適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環(huán)保產(chǎn)品。該產(chǎn)品用量少、性能和使用工藝優(yōu)于防銹油；其另一特色在于必要時(shí)很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本發(fā)明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過(guò)共晶焊接方式固定于薄片型基板，實(shí)現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實(shí)現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡(jiǎn)單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計(jì)創(chuàng)造產(chǎn)值超過(guò)33.66億元，新增利潤(rùn)2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)，并且本專利獲得中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)。

本項(xiàng)目將提供一款高品質(zhì)的非晶 ZnTiSnO 微型半導(dǎo)體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測(cè)。該半導(dǎo)體氣體傳感器具有下述優(yōu)點(diǎn)：靈敏度高、選擇性好、響應(yīng)快、穩(wěn)定性好、抗干擾性強(qiáng)、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統(tǒng)兼容，而且制作工藝簡(jiǎn)單、組裝成本低、價(jià)格低廉。 （1）半導(dǎo)體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質(zhì)量如何直接決定了器件的性能。通過(guò)前期預(yù)研究，我們?cè)O(shè)計(jì)并合成了具有表面微納結(jié)構(gòu)的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質(zhì)量，實(shí)現(xiàn)精確可控生長(zhǎng)，依然是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （2）氣體傳感器的實(shí)用性在于器件參數(shù)的確立，因而，通過(guò)系統(tǒng)研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數(shù)之間的定量關(guān)系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關(guān)系，是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應(yīng)用，器件良好的穩(wěn)定性至關(guān)重要。通過(guò)工藝優(yōu)化、器件設(shè)計(jì)和封裝保護(hù)等措施，實(shí)現(xiàn)非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩(wěn)定性和抗干擾性，使器件具有長(zhǎng)的使用壽命，也是本項(xiàng)目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。制備出高質(zhì)量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結(jié)構(gòu)，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標(biāo)：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對(duì)可燃性氣體有高選擇性，其中對(duì)乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對(duì) 100ppm 乙醇的響應(yīng)度不低于 30；響應(yīng)時(shí)間小于 1.8s，恢復(fù)時(shí)間小于 1.5s；穩(wěn)定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩(wěn)定性機(jī)理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規(guī)律。研制出具有實(shí)用價(jià)值的高品質(zhì) a-ZnTiSnO 半導(dǎo)體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長(zhǎng)和器件制備的完整工藝，關(guān)鍵技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。 應(yīng)用范圍：  納米氧化銅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產(chǎn)品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內(nèi)甲醛治理等產(chǎn)品中。 納米CuO應(yīng)用前景 催化劑：主要用于國(guó)防領(lǐng)域，作為復(fù)合固體推進(jìn)劑的重要成分，用來(lái)調(diào)節(jié)推進(jìn)劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對(duì)外界環(huán)境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應(yīng)速度，靈敏度和選擇性。 在超導(dǎo)，陶瓷，電極活性材料等領(lǐng)域作為一種重要的無(wú)機(jī)材料有廣泛的應(yīng)用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學(xué)玻璃磨光劑，有機(jī)合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測(cè)定有機(jī)化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫(yī)藥，紡織等領(lǐng)域。 用于粒子助力制冷器節(jié)能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機(jī)油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應(yīng)用范圍： 橡膠工業(yè)中硫化活性劑，石油化工行業(yè)催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機(jī)輪胎、工業(yè)電纜行業(yè)材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業(yè)用，可增加產(chǎn)品強(qiáng)度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫(yī)藥衛(wèi)生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫(yī)藥行業(yè)殺菌敷料； 電子工業(yè)和儀表工業(yè)、制造電器件、無(wú)線電、無(wú)線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業(yè)：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項(xiàng)目 Item 標(biāo)準(zhǔn) Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動(dòng)液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據(jù)需要在30%以下定制