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與其它頁巖氣開發的壓裂技術相比，本技術方案主要具備以下技術優勢及創新性:(1) CO2 干法壓裂技術開發陸相頁巖氣實現了低水耗。據美國國家環境保護局(EPA)統計，2010 年單口頁巖氣井平均用水量在 0.76×104~2.39×104t(取 決于井深、水平段長度、壓裂規模)，采用 CO2 干法壓裂技術開發國內陸相頁巖 氣可有效減少對于水的用量，不浪費水資源，不污染地下水。(2) CO2 干法壓裂技術開發陸相頁巖氣對儲層傷害小。陸相頁巖氣儲層粘土 礦物含量高，水敏性較強，滑溜水壓裂液對儲層滲透率傷害嚴重，CO2 具有良好 的儲層保護性能，無殘渣，對裂縫壁面和導流床無固相傷害，無水相，消除了水 鎖及水敏傷害。(3) CO2 干法壓裂技術開發陸相頁巖氣實現了快返排，國內陸相頁巖氣儲層 壓力一般較低，壓后返排困難，返排時間長，大量壓裂液滯留于井下，CO2 干法 壓裂技術壓后 CO2 迅速氣化，快速排出，返排時間短，返排效率高。(4) 采用 CO2 干法壓裂技術開發陸相頁巖氣藏具有提高頁巖氣采收率和減 排的雙重意義。頁巖氣藏中吸附氣含量范圍較寬，CO2 進入頁巖儲層中時，可有 效置換 CH4 分子，極大的提高頁巖氣藏的采收率;同時，CO2 可在頁巖儲層中永 久性封存，對于減少溫室氣體排放有著積極的意義。(5) 適用于陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方的篩選及優化。采用溶解 性及增粘實驗篩選 CO2 增粘劑，并對不同工況下的改良的 CO2 干法壓裂液的流變 摩阻、濾失特性進行研究，結合儲層特征優化干法壓裂液配方，最終形成適用于 國內典型陸相頁巖氣儲層的 CO2 干法壓裂液配方。(6) 陸相頁巖氣 CO2 干法壓裂工藝設計。在不加砂、加砂兩種狀況下，針對 國內典型陸相頁巖氣儲層，分析施工過程中裂縫延伸及支撐機理，對 CO2 壓裂工 藝的管柱選擇、施工排量、砂比等壓裂施工參數進行優化，最終形成適用于國內 典型陸相頁巖氣藏的干法壓裂技術工藝。(4)合作條件(1) 有獨立承擔民事責任能力的企業法人，具有良好的信譽基礎和積極向上 的事業激情。(2) 有相應的投資能力，并且具備一定的市場開拓能力。(3) 有一定的啟動資金和市場經驗，具備較強的品牌經營意識。

本實用新型提供了一種密閉標記室內置可控CO2發生裝置，該裝置包括酸液儲罐、堿液儲罐和反應皿，所述反應皿的側壁固定連接安裝耳，所述安裝耳上插接有緊固螺栓，所述安裝耳通過緊固螺栓緊固安裝在標記室的內腔頂部，所述反應皿的外壁靠近其開口處開設有多個氣孔，所述酸液儲罐、堿液儲罐的底部均固定連接有支架，所述支架遠離酸液儲罐、堿液儲罐的一端于標記室固定連接，所述酸液儲罐、堿液儲罐的底部分別插接有酸液管和堿液管，

一種磁力攪拌的 CO2 激光-TIG 電弧復合焊接方法。本發明公開 了一種通過縱向磁場實現熔池磁力攪拌的方法，在 CO2 激光-TIG 電弧 復合焊接基礎之上增加縱向磁場實現焊接組織晶粒細化及能量耦合效 率提高的功能，其通過合理的功率、焦距、離焦量、氦保護氣體流量 等 CO2 激光工藝參數，鎢極直徑 D、弧長、焊接電流、氣體流量等 TIG 電弧工藝參數，以及磁感應強度、頻率等縱向磁場工藝參數的設置， 提高了激光-電弧復合焊接的能量耦合效率及焊縫成形質量。 

揭示了轉錄因子Sox2同時結合DNA和RNA并協同調控體細胞重編程的新機制，著重強調了在體細胞重編程過程中Sox2與RNA的直接相互作用的功能。?通過PAR-CLIP和RNA SELEX確認了Sox2與RNA直接相互作用，進一步的測序分析發現Sox2偏好性結合一個CCCY核心基序和一個CGCG的二級基序。隨后，研究人員利用EMSA和RNA免疫沉淀（RNA-immunoprecipitation assay）等手段確定了Sox2的RNA結合結構域（RBM），該結構域具有優先結合富含GC的RNA序列的特征。另外，通過RNA fishing實驗和競爭性結合實驗等的進一步分析，發現在DNA和RNA共同存在的情況下，Sox2使用其HMG結構域結合同源DNA序列，并同時利用RBM結構域在體外介導三元RNA/Sox2/DNA復合物的形成。除此之外，通過比較Oct4、Klf4、c-Myc (OKM)“雞尾酒”以及不同Sox2突變體誘導下iPSC生成的效率發現，刪除Sox2 的RBM結構域會影響iPSC的生成，并且顯著地改變了體細胞重編程過程中的選擇性剪接事件。       該研究加深了人們對Sox2蛋白調控多能性重編程機制的理解，進一步闡明了DRBPs對RNA代謝的調控機制。

本實用新型公開了一種基于切換式填充床反應器的CO2循環脫除裝置，包括至少兩個填充床反應器,各個填充床反應器下部的進口端分別與煙氣進氣管路、燃料氣進氣管路、氧氣進氣管路相連接，各個填充床反應器上部的出口端分別與脫除CO2后煙氣排氣管路、CO2富集煙氣排氣管路相連接，所述煙氣進氣管路、燃料氣進氣管路、氧氣進氣管路、脫除CO2后煙氣排氣管路、CO2富集煙氣排氣管路與填充床反應器的進口端、出口端之間分別設有啟閉控制閥門。本實用新型通過采用固定填充床作為反應裝置，規避流化床反應器存在的系統復雜、物料分離輸運操

本發明公開一種ZIF-8-SiO2雜化固定相的制備方法，首先以核殼結構的SiO2顆粒作為基體，在其表面修飾羧基，然后再通過控制反應條件，將ZIF-8材料修飾到SiO2顆粒殼層孔道內部，所得ZIF-8-SiO2顆粒孔道仍為原有SiO2核殼顆粒的孔道結構，且ZIF-8修飾層的生長速度和厚度可控，所制得ZIF-8-SiO2雜化顆粒的孔徑在10nm以上，完全符合色譜分離所需色譜固定相顆?？讖皆?0nm以上的要求，色譜分離柱效結果理想。

本發明屬于納米薄膜材料制備技術領域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術和納米膜卷曲技術，先制備單質Fe的納米膜卷曲管結構，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發明在新能源、氣敏、催化、等領域具有重要用途。

小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價格昂貴導致過高的生產成本，進而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產品中雜質較多。本專利旨在克服以上技術缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡單和產品純度高的β-Sialon/Al2O3復合粉體的制備方法。本專利技術采用工業上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到