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一、 項目簡介近年來，隨著能源與環境問題的日益突出，地源熱泵成為供熱空調系統的新寵，各地爭相建設。但是，一些地源熱泵系統項目由于存在設計考慮不周、施工偷工減料及運行精細化不夠等問題，出現了大量的項目運行不理想或失敗的案例。尤其是，地源熱泵（土壤源熱泵）系統需要保持土壤的冷熱平衡問題沒有引起設計和運行人員的注意。北方地區，在全年的建筑用能上，常常出現用熱量遠大于用冷量的情況，在系統設計時需要考慮補助熱源的設計，在運行過程中需要特別實時監測地下溫度場的平衡。太陽能-地源熱泵聯合系統（HSGSHPS），由地源熱泵系統（GSHPS）和太陽能輔助地源熱泵系統（SAGSHPS）組成，可以為建筑供冷、供熱及供熱水，既解決了夏季空調能耗遠低于冬季供熱能耗建筑單純使用地源熱泵時出現的地溫不平衡問題，同時最大限度利用可再生能源。具有如下優點：兩個子系統熱負荷分配靈活可調，適應負荷計算的不確定性；非供熱季太陽能通過跨季節儲存與土壤中，既減少了太陽能集熱器的需求面積，又可以提高土壤溫度，進而提高地源熱泵機組COP；太陽能冬季直接供熱效率高，提高整個系統供熱的COP。本項目的特點是因地制宜根據建筑負荷需要和建筑所在地地質和太陽能資源情況，對供熱空調系統進行優化設計，保證地源熱泵系統的平穩運行并使系統初投資和運行成本最低。二、 項目技術成熟程度本項目技術已在小型別墅建筑和中型辦公建筑進行示范運行，積累了大量的經驗，基本達到成熟。三、 技術指標（包括鑒定、知識產權專利、獲獎等情況）本項目依托國家科技支撐計劃項目、天津市科技支撐計劃項目和天津市科技計劃重大項目完成，獲得驗收，現有發明專利一項：一種太陽能-地源熱泵聯合建筑供能系統（專利號：201110146044.1）。四、 市場前景（應用領域、市場分析等）目前，在新農村建設中，很多地區處于找不到熱源的狀態，城市集中供熱不能到達，燃煤鍋爐不允許新建，燃氣鍋爐供熱運行費用太高且燃氣氣源緊張，傳統的供熱方式不能適應新農村建設，太陽能耦合地源熱泵系統以可再生能源為熱源，消耗部分電能可獲得3-5倍熱量為建筑供熱，同時，可以實現建筑的制冷空調，室內舒適度高，運行費用低。本項目技術適用于農村小型建筑、別墅以及中型辦公建筑或住宅，應用前景很好。五、 規模與投資需求（資金需求、場地規模、人員等需求）以260 m2的別墅建筑為例，建筑供熱負荷約15 – 20 kW，供冷負荷約為18 – 25 kW，需配置一臺地源熱泵機組，太陽能集熱器25 – 40 m2，室內布置風機盤管4 – 6臺，室外鉆孔4 – 5口，孔深110 m。 系統投資10 – 15萬元， 系統供暖運行費用15 – 18 元/m2。以5000 m2的辦公建筑為例，建筑熱負荷約為260kW，冷負荷為360kW。室內末端采用風機盤管，采用地源熱泵與太陽能跨季節儲熱輔助地源熱泵系統耦合形式，系統總投資約為300萬元，系統運行供暖費用8 – 10元/m2。六、 生產設備本項目所涉及的設備均可通過外購途徑獲得，企業無需投入相關生產設備。七、 效益分析采用合同能源管理形式為用戶提供能源服務，或者為用戶提供系統設計等形式，對該供熱空調系統進行推廣，比傳統的集中供熱節省運行費用30-50%。八、 合作方式專利轉讓、技術入股均可，面議。九、 項目具體聯系人及聯系方式（包括電子郵箱）聯系人：王恩宇電話：1380217895Email: enyuwang@163.com十、 高清成果圖片3-4張

成果來源于承擔的國家“863計劃”課題。該技術將光伏發電、太陽能集熱、熱泵供熱技術有機結合，研發了一體化的高性能太陽能光伏/集熱裝置，收集熱能的同時有效降低光伏組件溫度，光電效率可相對提高10%；基于熱泵技術對太陽能、空氣熱能進行高效捕集與復合利用，為建筑提供全年熱水與采暖，能效比達4.0以上。 該技術具有自主知識產權(ZL 200810020840.9等多項發明專利)，實現了太陽能熱電聯供及與空氣熱能的多能互補，應用前景廣闊。曾獲江蘇省技術發明二等獎。

本發明公開了一種多軸數控機床轉臺幾何誤差六位置辨識方法，包括：根據機床結構和轉臺位置，確定球桿儀在轉臺坐標系上的六個安裝位置；結合球桿儀測量方向以及轉臺幾何誤差對機床精度影響模型，建立球桿儀讀數與轉臺幾何誤差之間的關系；根據球桿儀詳細坐標和測量方向齊次向量建立轉臺的六個集成誤差表達式；根據轉臺垂直度誤差和位置偏差的性質，分離得到轉臺十項幾何誤差的辨識公式；建立球桿儀安裝誤差對球桿儀讀數影響模型；安裝球桿儀，轉動轉臺得到各個安裝位置處球桿儀讀數；對球桿儀讀數進行擬合，得到剔除安裝誤差后的球桿儀數據；利用十項幾何誤差辨識公式計算得到轉臺所有的幾何誤差。該方法操作簡單方便，辨識精度高，系統性好。

本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。

1.項目簡介：《用超細APT制備納米鎢粉的研究》由我校余世鑫教授主持與江西省崇義章源鎢制品有限公司聯合研究，并由該公司工業試生產成功。該項目經過課題組人員的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技廳組織專家鑒定組對該項目進行了鑒定。2.技術特點：本項目采用精細化工技術，依據相轉移合成法的原理，采用獨特的離子交換高峰液的處理技術、固液分離技術和結晶晶形控制技術，生產出超細顆粒仲鎢酸銨(APT，費氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回轉管爐煅燒和四管爐還原，采用露點-70℃的高純氫氣和粉末鈍化技術，制得納米鎢粉。其生產表明，與等離子法、流態化還原法等相比，采用該技術生產納米鎢粉具有設備投資少、成本低、規模生產易控制、重現性好的特點。易于實現工業化生產。該項目采用的工藝技術獨特、新穎、可行，屬國內首創。

基于“介電體超晶格”制備技術，開發了一套適合量產的超晶格材料制備工藝。超晶格材料在激光非線性波長變換、量子糾纏源產生、聲學濾波換能等領域有重要應用。以超晶格材料為核心材料，開發出紅光、綠光、藍光、準白光、鈉黃光、皮秒鎖模以及中紅外等多種新型激光器。

為了滿足超三代移動通信技術B3G項目對高速背板傳輸的需求，2004年10月東南大學與深圳華為技術有限公司中央硬件部開展合作，共同研制了符合PICMG3.0國際規范的AdvancedTCA全網格標準機箱與背板，實現了超過3.125Gbps的雙向傳輸速率。

近年來，超材料雖然取得了長足發展，但仍存在一些瓶頸問題：1)基于等效媒質超材料的新物理現象和新應用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理學家的領地，以驗證新物理現象為主；3) 超材料對電磁波的凋控大多是靜態的，一旦制備成型其功能即被㈣化，+能實時地調控電磁波。為解決上述問題，該項對微波超材料進行了系統性研究。 在等效媒質超材料方而，提出并制備了柱坐標系下各向異性零折射率超材料，突破了h然界域小輻射單元（電偶極子和磁偶極子）雙定向輻射的限制，實現了完美的電磁波全向輻射及高效空間功率合成。提出?種三頻段超材料完美吸波器，可在三個設計頻段實現電磁波在大角度范圍內、 對極化不敏感的近乎完美吸收。基于變換光學原理，提出一種低損耗電磁幻覺器件，可按照需求有0的地操控0標對電磁波的雷達散射特征。提出并制備了寬帶、低損耗的全介質超材料放人透鏡，打破衍射極限的限制，實現了超分辨率的微波成像。該研究促進了等效媒質超材料的發展。

研究小組首先利用激光分子束外延技術生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數據顯示在低溫下自旋輸信號出現飽和現象，對應著自旋導的飽和，也就是零自旋阻效應；即自旋超流基態的最重要基本性質之一（圖B）。在此基礎上，該研究小組又系統研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現象，證明了自旋在該自旋超流基態可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致（圖C）。該工作是是自旋超導態領域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導態的快速發展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結等，奠定了實驗基礎。圖：自旋超流基態的重要實驗證據。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現飽和現象，反映出自旋超流基態的零自旋阻效應。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關系與自旋超流態輸運理論預言一致。

石墨烯因 其 優異 的性質而 被 譽為 “ 材料之王 ” ， 在諸多 領域有著廣闊的應用前景， 但 距離 真正實現產業化 還存在諸多 問題和挑戰 。制備決定 未來， 高品質 石墨烯薄膜的 可控 制備 一直是學術界和業界關注的 重點 。 化學 氣相沉積法（ CVD ） 以 其優良 的 可控性和可放大性被 公認 為最具前景的石墨烯 薄膜 制備方法， 經過 近十年的發展， 雖然 在單晶尺寸上 取得 了諸多突破性進展， 但 CVD 石墨烯的性能 和 理想 水平 仍然有不 小 的差距 ， 這一問題已經困擾石墨烯領域很久 。 該研究首次 揭示了 CVD石墨烯 的本征污染問題，提出氣相反應調控的方法，分別使用泡沫銅輔助催化和含銅碳源實現了超潔凈石墨烯的制備（ Nat ure   Commun .  2019 ,  10 , 1912 ； J. Am. Chem. Soc.   2019 ,  141 , 7670 ）。 對于已存在 本征污染的石墨烯薄膜，他們 巧妙地 使用 二氧化碳 對其進行刻蝕 ，而不引入額外缺陷，從而成功 制備出大面積的超潔凈石墨烯薄膜，該 方法與普通CVD工藝完全兼容 （ Angew . Chem.  2019 ,10.1002/ange.201905672 ）。 同時 ，他們探究 了本征污染物與石墨烯之間的相互作用，發展了基于活性炭的界面力調控方法，成功實現了石墨烯的表面清潔（ Adv.  Mater.  2019 , e1902978 ） 。