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超結MOSFET設計及制造技術

2021-04-10 00:00:00
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關鍵詞： 超結工藝
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所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:
本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。
項目階段:
產業化應用
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