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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發(fā)明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進(jìn)行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進(jìn)行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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凹凸棒石礦物的棒狀晶束納米化解離
中國是凹凸棒石粘土礦的資源大國，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學(xué)局限性。比如氣候條件、地質(zhì)環(huán)境與礦床成分的不同，都會影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發(fā)育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發(fā)育良好的礦床很少，極大部分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對其進(jìn)行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時，在提純過程中減小礦物粒徑，提高分散性，使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質(zhì)去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石粘土粒子，以便進(jìn)行工業(yè)化的應(yīng)用或是進(jìn)一步的純化與改性處理。
成果亮點(diǎn)
針對凹凸棒石礦物資源特點(diǎn)，如雜質(zhì)多并夾在其纖維束中，礦粒之間存在相互交叉、包覆，提純難度較大等問題，進(jìn)行系統(tǒng)分析，確定其組份、形貌以及粒徑分布等物理性能，針對其雜質(zhì)成分，研究出一種易于對其工業(yè)化提純的綜合改性方法，獲得低成本的納米級凹凸棒石材料，為凹凸棒石后續(xù)的應(yīng)用創(chuàng)造良好的條件。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
乾立微晶款護(hù)眼教室燈-全護(hù)眼教育照明產(chǎn)品
深圳鵬翔智明光電科技有限公司
2021-08-23
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)面向集成電路人才培養(yǎng)的實體企業(yè)，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設(shè)計經(jīng)驗的集成電路產(chǎn)教融合和設(shè)計服務(wù)平臺——青軟晶尊微電子，共同打造面向國內(nèi)提供集成電路領(lǐng)域產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。
青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養(yǎng)新模式，通過集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院共建/專業(yè)共建，產(chǎn)教融合平臺共建，集成電路大賽，師資培共建，實驗實訓(xùn)平臺訓(xùn)，工信部培訓(xùn)認(rèn)證，新工科優(yōu)訓(xùn)營，課程改革等多種合作模式，推動集成電路教育與產(chǎn)業(yè)的無縫銜接，為客戶創(chuàng)造價值。
青軟晶芒擁有自主知識產(chǎn)權(quán)集成電路設(shè)計專利證書，軟件著作權(quán)等十余項，愿通過校企合作和院校一起為集成電路人才培養(yǎng)做出貢獻(xiàn)。
安徽青軟晶芒微電子科技有限公司
2021-12-07
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內(nèi)面向集成電路設(shè)計領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計經(jīng)驗的集成電路設(shè)計服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經(jīng)濟(jì)帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國內(nèi)一流的集成電路設(shè)計服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時借助臺灣業(yè)務(wù)平臺，開拓國際業(yè)務(wù)，積極部署國際化發(fā)展戰(zhàn)略。
青軟晶尊集成電路設(shè)計服務(wù)始于1996年，為國內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計服務(wù)經(jīng)驗，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計服務(wù)。為客戶累計完成5000余顆芯片的設(shè)計。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計服務(wù)能力，在美國、日本、臺灣及國內(nèi)積累了長期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過國際DNV信息安全風(fēng)險管理體系認(rèn)證。
青島青軟晶尊微電子科技有限公司
2021-12-07
一種熱沖壓件獲得強(qiáng)塑性能差異化分布的方法及裝置
本發(fā)明公開了一種熱沖壓件獲得強(qiáng)塑性能差異化分布的方法及 裝置，采用冷氣流和熱氣流分別作用在淬火件的強(qiáng)度增強(qiáng)區(qū)和塑性增 強(qiáng)區(qū)，所述熱氣流的作用是在配分溫度范圍內(nèi)和配分時間范圍內(nèi)進(jìn)行， 以使碳由馬氏體向殘余奧氏體擴(kuò)散，從而使淬火件中殘余奧氏體穩(wěn)定 化，進(jìn)而使塑性增強(qiáng)區(qū)在使用溫度范圍內(nèi)為馬氏體和殘余奧氏體混合 組織；所述冷氣流用于使淬火件中殘余奧氏體繼續(xù)轉(zhuǎn)變?yōu)轳R氏體，使 強(qiáng)度增強(qiáng)區(qū)在使用溫度范圍內(nèi)為馬氏體組織。本發(fā)明還提供了一種實 現(xiàn)如上方法的裝置，其包括熱沖壓件固定單元和熱氣流封閉單元。本 發(fā)明方法和裝置能提高熱沖壓件的強(qiáng)塑力學(xué)性能，簡單、有效實現(xiàn)熱 沖壓件強(qiáng)塑性能差異化分布。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
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一種噴射沉積成形制備大塊非晶合金的方法
霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點(diǎn)在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點(diǎn)是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進(jìn)的過程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟(jì)山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點(diǎn)高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎一等獎（2003.12）。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
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晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學(xué)
2021-04-11
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一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
一種非晶合金零件的快速成形方法
本發(fā)明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動 過冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅(qū)動方式
華中科技大學(xué)
2021-04-14