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一、項目分類 關鍵核心技術突破 二、成果簡介 我國以化石能源為主的能源結構必將長期存在，大量化石能源消耗導致我國環境污染嚴重，霧霾是長期困擾我國的重大能源環境問題。煤電行業超低排放改造在常規污染物的排放控制處于世界先進水平，但仍未能有效控制PM2.5、重金屬等非常規污染物的排放，而且產生的高鹽高腐蝕性的脫硫廢水缺乏高效的處理技術，逃逸細顆粒物和脫硫廢水是目前亟需解決的世界難題。本技術首創了煙氣細顆粒物“化學團聚”技術；獨創了重金屬“異相團聚”脫除技術；發明了耦合團聚的梯級蒸發脫硫廢水零排放技術。該成果被新華社、中央電視臺等國家主流媒體譽為“綠水青山就是金山銀山”理念踐行者的典范。

本發明公開了一種疊層母排，其由 9 層子排組成，通過將第一 絕緣子排(1)、第二連接子排(2)、第二絕緣子排(3)、正子排(4)、第三絕 緣子排(5)、負子排(6)、第四絕緣子排(7)、第一連接子排(8)、第五絕緣 子排(9)按從下至上的疊放次序，將各子排中各組絕緣開孔對正，而后 經壓合固定成一體。本發明實例還提供了相應的高壓固態電力電子開 關結構。本發明結構緊湊，空間利用率高，采用導體片代替導線并使 用相疊連接，極大的減少了線路寄生電感，平行導體片連接半導體開 關器件的不同電極，額外形成了極間緩沖

提出了基于表面等離激元和碳納米管的三維光電混合集成系統，該系統與現有的COMS制備工藝兼容，可以實現光子學和電子學的三維集成和互聯，為解決集成電路的速度瓶頸提供了一種方法。他們演示了幾種集成回路，包括在片光操控回路、波長和偏振復用回路和具有COMS信號處理電路的集成模塊。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 這種三維集成系統的優點包括：1. 使用低溫COMS兼容制備工藝，可以在單片集成回路中集成光子學模塊、電子學信號處理系統和存儲系統；2. 利用具有原子厚度的碳納米管材料以及金屬工藝，使得光子學集成和電子學集成在材料上兼容；3. 基于表面等離激元使得光子學器件尺度可以和電子學器件尺度相近，便于集成；4. 碳納米管的工作波段可以覆蓋整個通訊波段，這是硅材料無法做到的；5. 光電探測器工作于光伏模式，可以減小能耗。該工作是首次利用原子厚度材料實現三維光電混合集成，可以實現更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同時，有可能解決電子學集成回路在速度上的瓶頸。

項目采用了中山大學自主研發的低損耗低應力超低溫氮化硅材料平臺，研制了一系列光子集成的關鍵 器件

近年來，隨著市場對油品質量要求的提高和原油質量的下降，國內煉化企業對加氫工藝逐步重視。對油品的深加工已從原有的脫碳型逐步轉向加氫型，加氫工藝逐漸已經成為主流的深加工工藝。企業內氫氣資源的供需矛盾日益突出。隨著氫氣資源的緊張和價格的攀升，采用先進的優化技術對煉化企業的氫氣系統進行優化，最大限度地合理利用氫氣資源已經成為提高企業效益，節能降耗的重要途徑之一。 本項目目的在于為煉化企業氫氣系統提供系統分析和優化集成的方案。根據用氫裝置實際需求的氫氣壓力和氫氣純度確定和設置氫氣梯級分配網絡的中間等級，提高氫氣分配網絡的可拓展性和操作柔性，使氫氣分配網絡中局部用氫裝置的增減和操作變動不改變氫氣分配網絡的整體結構和操作特性。

本項目針對工程機械行業開展逆向物流的瓶頸約束問題，對工程機械產品 回收體系及其逆向物流關鍵技術進行重點研究，為回收體系的高效運作提供基 礎數據；為回收產品的物流流向提供決策依據；為逆向物流網絡的優化設計和 運行提供決策支持；在此基礎上，建立與企業現有信息平臺有效集成和融合的 逆向物流信息平臺；同時，結合具體企業開展實踐，為工程機械回收產品逆向 物流技術的應用和示范提供關鍵技術支撐。

面向海綿城市，研發一種新型種植屋面，自上而下分為六層： 1.建筑屋頂；2.防水涂層；3.阻根防水卷材；4.排水板；5.過濾層； 6.種植土層。可提前生產好種植屋面的模塊，在施工現場直接拼接。 施工方便，減少施工現場的作業時間，降低對住戶的影響?？赏?過拆卸模塊，實現破損模塊隨取隨換，維護簡單。通過將種植土 層中對于水分分離排除，有效緩解防水涂層的壓力。通過種植土 層及過濾層的過濾，對雨水進行初步處理，改善雨水質量，增加 雨水可利用性。

1.本成果突破了1項關鍵技術（近閾值集成電路設計技術體系）、2項關鍵指標領先（工作電壓最低、處理能效最高）、實現了3類應用（近閾值單元庫、低功耗芯片、定制流程），解決了我國物聯網芯片，低功耗近閾值設計關鍵技術不再受制于人。 2.近閾值技術已經應用于國內多家集成電路企業，新增產值6.3億元，新增利潤1.7億元。標準單元庫電源電壓從1.1V降低到0.6V，讀寫能耗降低了80%。大幅度提成了國產工藝在物聯網芯片方面的競爭力。 3.該成果在保證良率的前提下，降低電源電壓至閾值電壓附近。在國內首次系統性研究低電壓（近閾值）集成電路設計方法，突破了低電壓片上靜態存儲器、同步電路的彈性設計方法、模擬/射頻低功耗主從結構等三項關鍵技術，研制的40nm 0.6V低電壓標準單元和存儲器獲得中芯國際的任何，研制的0.6V 6mW低電壓導航芯片獲得國內領先移動互聯芯片設計企業-珠海全志的認可。 4.本成果應用效果顯著：1）江蘇東大集成電路系統工程技術有限公司整體應用本項目技術，以低功耗核心技術提升物聯網終端產品競爭力，研制并規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網終端產品競爭力，研制并且規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網移動終端7系列共474580臺，近兩年新增銷售額45976萬元，新增利潤13793元，在國內物流快遞領域應用于順豐等行業領軍企業，取代國外競爭對手優勢地位。2)深圳市國微電子采用本項目技術，研發國內最大容量低功耗軍用存儲芯片，近兩年新增銷售額5000萬元。

已有樣品/n目前已開發出：直接數字頻率合成器（DDFS）、數模轉換器（DAC）、模數 轉換器（ADC）、北斗+GPS 多模導航型射頻芯片、CPT 原子鐘微波電路等。 個人行車定位與導航終端、行車記錄儀、電子狗； 智能手機、平板電腦等移動信息終端； 交通運輸車輛管理與跟蹤系統； 航海、船舶作業導航與定位設備； 測繪、水利、森林防火、減災救災和公共安全等。

1、該技術的優點：無須成套高價選購國外產品系統，由我們與國外公司合作，利用其關鍵部件及我們開發配套的各種級別會議電視，遠程監視系統，兩類系統集成，具有功能互補，發揮高效應用效果，成本降低1/3~1/2。 2、會議電視按國際標準實施集成,遠程監視通過國家鑒定（全國首家正式鑒定系統）。 3、會議電視具有CIF及QCIF兩種分辨力,符合H.261或更新的H.324標準。雙向聲象傳輸,多點切換(MCU)功能。遠程監視提供遠程自動論詢及遠程選視及數字錄象等功能。并可據用戶需要隨時靈活配置，有較強軟件能力。 適用范圍： 適用于干線采用光纖、DDN、數字微波。用戶接入利用模擬電話線或其他數字數據方式，據使用要求，設計集成多點電視會議，并接入遠程監視系統。 適于遠程電視會議及全程或分級電視圖象監控。同時，提供電視會議系統集成；運動圖象各類級別及用途的遠程監視系統集成。