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1. 痛點問題 目前硅基太陽能電池占據(jù)著太陽能電池的主導地位，其中單晶硅電池轉換效率已可以達到25%左右，但它們需要比較多的單晶硅材料，生產(chǎn)成本高。而對于多晶硅，由于缺陷較多，轉換效率比較低。III-V族材料轉換效率高，但是材料和生產(chǎn)成本居高不下，難以推廣使用。雖然可以利用納米柱陣列來提高光吸收能力及減少材料成本，但是由于納米柱結構具有很大的表面積，載流子較大的表面復合嚴重影響著器件的性能，而且需要昂貴的設備生長徑向異質結和控制摻雜濃度。 2. 解決方案 本項目提出一種磷化銦納米柱徑向同質結陣列結構的簡單制備方法，目前已完成高效太陽能電池驗證和原型器件的制備，另還有可見光探測器等在研。 本方法是在磷化銦納米柱制備過程中，利用刻蝕氣體中加入氫氣，可以同時實現(xiàn)了磷化銦納米柱陣列和徑向同質結的制備，通過控制刻蝕時間及氫氣含量，精確控制磷化銦表面摻雜濃度及深度，相比于其他生長徑向同質結的方法，本方法設備簡單，制備效率高。在降低成本方面，納米柱結構相比于平面結構具有更好的陷光效應，只需使用少量的材料便可以實現(xiàn)高效光吸收。 合作需求 本項目下一步發(fā)展需求主要集中在與太陽能電池相關企業(yè)的技術和產(chǎn)品合作，優(yōu)化和固定產(chǎn)品制作工藝流程，降低生產(chǎn)成本。其次是資本投資、政府政策等方面的扶持。需要的外部資源主要是產(chǎn)業(yè)的工程化和市場資源。

本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創(chuàng)新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國家重大戰(zhàn)略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規(guī)模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統(tǒng)研究，主要技術創(chuàng)新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規(guī)模可控制備。本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規(guī)模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發(fā)展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發(fā)展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節(jié)晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現(xiàn)了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發(fā)展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件，該存 儲器件由芯殼型納米線作為 NAND 串組成，所述 NAND 串垂直于襯 底。利用芯殼型納米線作為 NAND 串制作存儲器件，不僅使器件的結 構更加簡單，也減少了原有器件制作過程中復雜的制造工藝步驟，簡 化了制備過程，對降低制造成本有積極作用

：鐵硅粉芯是一種新型復合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風電變流器、電動汽車充電機、變頻空調、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現(xiàn)電磁能量轉換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波

本發(fā)明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料即 Cu/PEO-LDPE 復合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復合材料總重量的 0.5～30％(優(yōu)選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節(jié)育材料，

本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉移裝置， 包括薄膜進給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進給單元用于薄膜的進給運動并對薄膜進 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅動至壓輥轉移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉移單元中實現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元則根據(jù)工況需要提供多種對廢料的實時檢測和剔除操作。通過本 發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實現(xiàn)對成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測轉移過程，同時具備運動穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點。

本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結構上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結增強電子空穴的輻射復 合。此外，利用銀納

通過click反應設計合成了一類具有兩親性的磺酸根三齒Pt(II)配合物，這類配合物對VOC的刺激響應具有高度的選擇性。在水蒸氣和各種醇蒸氣分子（甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等）之間具有迅速的變色和發(fā)光響應性行為，并進一步制備成薄膜，利用醇蒸氣實現(xiàn)了快速寫入?擦除功能。在溶液體系中，通過調控溶劑的組成，實現(xiàn)了配合物動態(tài)組裝?解組裝?重新組裝的過程。研究組與香港大學任詠華教授合作，進一步制備了存儲器件，閾值電壓為3.4V，開關比可達105，保持時間達104s，具有良好的二進制存儲性能。

上限低，可反向導通，dv/dt擾動和di/dt擾動等。該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。 半橋GaN柵驅動電路主要指標為： ？ 獨立的高側和低側TTL邏輯輸入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉電流 ？ 高端浮動電壓軌到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉電阻 ？ 快速的延遲時間 (28ns typ) ？ 非常優(yōu)越的延時匹配（1.5ns typ）

該項成果設計出適用于N型常關GaN器件的半橋柵驅動電路，通過分離充放電路徑避免柵驅動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅動電路的干擾；同時利用高端柵極鉗位技術，在自舉充電路徑中對BOOT電容進行鉗位，防止對上開關管的損壞。