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針對下一代功率半導(dǎo)體GaN器件的高頻柵驅(qū)動電路設(shè)計(jì)技術(shù)

2021-04-10 00:00:00
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關(guān)鍵詞: GaN器件
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項(xiàng)目成果/簡介:
該項(xiàng)成果設(shè)計(jì)出適用于N型常關(guān)GaN器件的半橋柵驅(qū)動電路,通過分離充放電路徑避免柵驅(qū)動電壓振鈴現(xiàn)象的發(fā)生和dV/dt現(xiàn)象對柵驅(qū)動電路的干擾;同時利用高端柵極鉗位技術(shù),在自舉充電路徑中對BOOT電容進(jìn)行鉗位,防止對上開關(guān)管的損壞。
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