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一種基于九開(kāi)關(guān)管逆變器的多功能分布式電源并網(wǎng)裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于九開(kāi)關(guān)管逆變器的多功能分布式電源并網(wǎng)裝置，當(dāng)電網(wǎng)正常運(yùn)行時(shí)，將NSI的一個(gè)輸出端口經(jīng)由并網(wǎng)變壓器接入配電網(wǎng)，將微源產(chǎn)生的電能逆變成符合并網(wǎng)條件的交流電，并維持變流器直流母線電壓穩(wěn)定；將NSI的另一個(gè)輸出端口通過(guò)并聯(lián)形式接入電網(wǎng)，在電流環(huán)中加入諧波電流補(bǔ)償值，用于改善電網(wǎng)電能質(zhì)量。當(dāng)電網(wǎng)故障時(shí)，利用NSI所提供的兩個(gè)輸出端口之間的協(xié)調(diào)配合，實(shí)現(xiàn)分布式電源的低電壓穿越。相比于背靠背型的逆變器結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不僅可以節(jié)省三個(gè)開(kāi)關(guān)管，降低系統(tǒng)成本，還可以同時(shí)對(duì)配電網(wǎng)電能質(zhì)量問(wèn)題進(jìn)行補(bǔ)償，實(shí)現(xiàn)
東南大學(xué)
2021-04-14
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一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉及用途
本發(fā)明公開(kāi)了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時(shí)繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽(yáng)離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過(guò)多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無(wú)電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過(guò)所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
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一種提高微型光譜儀紫外響應(yīng)和分辨率的濾光片
本實(shí)用新型提供一種提高微型光譜儀紫外響應(yīng)和分辨率的濾光片，包括基板、鍍膜層和鍍膜保護(hù)層， 所述鍍膜層分為三個(gè)區(qū)域，在不同區(qū)域分別鍍有紫外轉(zhuǎn)換膜，紫外截止濾光膜，可見(jiàn)光截止濾光膜。本 實(shí)用新型同時(shí)解決了紫外效率低、可見(jiàn)光、紅外光波段存在高次衍射光的問(wèn)題，并且可以根據(jù)光譜儀的 光譜范圍選擇鍍膜的層數(shù)、類(lèi)型、區(qū)間長(zhǎng)度，具有安裝拆卸方便，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用靈活的特點(diǎn)，且鍍膜 之間不會(huì)相互產(chǎn)生干涉。
武漢大學(xué)
2021-04-13
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解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達(dá)~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測(cè)到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對(duì)所得Bi2O2Se單晶塊材進(jìn)行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測(cè)得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費(fèi)米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?
北京大學(xué)
2021-04-11
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甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化導(dǎo)致低揮發(fā)性物種及高產(chǎn)率甲醛的形成
該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過(guò)氧自由基自氧化機(jī)制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會(huì)生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。該研究不僅拓展了對(duì)大氣過(guò)氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。
大連理工大學(xué)
2021-01-12
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區(qū)域大氣污染源高分辨率排放清單關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽(yáng)極和一層平面金屬納膜陰極/陽(yáng)極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽(yáng)極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽(yáng)極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽(yáng)極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調(diào)透光率薄膜
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽(yáng)極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種時(shí)間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場(chǎng)狀態(tài)測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種時(shí)間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場(chǎng)狀態(tài)測(cè)量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據(jù)第 k+1 時(shí)刻圖像與第 k 時(shí)刻圖像之間的時(shí)間間隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 時(shí)刻圖像，并對(duì)第 k 時(shí)刻和第k+1 時(shí)刻的圖像進(jìn)行降噪處理；然后，據(jù) k 時(shí)刻圖像和第 k+1 時(shí)刻的圖像，采用粒子圖像測(cè)速方法，計(jì)算第 k+1 時(shí)刻的流場(chǎng)狀態(tài) X(k+1)，包括：位移場(chǎng) x(k+1)、速度場(chǎng) x′(k+1)、加速度場(chǎng) a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時(shí)刻與第
華中科技大學(xué)
2021-04-14