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本發(fā)明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結(jié)構(gòu)的 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料及其二者的制備方法和應(yīng)用，屬于材料領(lǐng)域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規(guī)格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料采用氣相原位化學(xué)聚合法復(fù)合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結(jié)構(gòu)，具有比表面高

一種水基Fe3O4磁性流體的制備方法,它涉及一種具有超順磁性的水基納米磁性流體的制備方法.本發(fā)明解決了現(xiàn)有磁流體含有有機(jī)物,與生物體兼容性差的問(wèn)題.本發(fā)明方法如下:將FeCl3與FeCl2溶解在去離子水中,調(diào)節(jié)pH值;在120～180℃油浴中,惰性氣體保護(hù)下,滴加NaOH后,保溫?cái)嚢?.5～2.5小時(shí);去離子水洗滌,超聲分散,用永磁鐵沉降至溶液中不含氯離子并且呈中性;再將溶液超聲分散后離心;在100～160℃,惰性氣體保護(hù)下以300r/min的速度攪拌濃縮回流3～6小時(shí).本發(fā)明制備的水基Fe3O4磁流體粘度小于10mpa·s,粒徑為3-10nm,飽和磁化強(qiáng)度高于60emu/g,具有超順磁的特性,穩(wěn)定性好,水溶性好,所用材料無(wú)毒,便宜,操作簡(jiǎn)單易行,適合工業(yè)化生產(chǎn).

各種病毒性疫病在世界各地 不斷爆發(fā)，造成了慘重的損失， 并對(duì)人類(lèi)健康造成了嚴(yán)重威脅。 由于病毒的快速變異，一般的疫 苗會(huì)喪失保護(hù)作用。

根據(jù)強(qiáng)化手段的不同, 高強(qiáng)化銅合金可分為兩類(lèi): 沉淀強(qiáng)化銅合金和彌散強(qiáng)化銅合金。沉淀強(qiáng)化銅合金是利用過(guò)飽和固溶體的脫溶沉淀, 通過(guò)時(shí)效熱處理, 達(dá)到強(qiáng)化效果。但沉淀析出相在高溫下會(huì)聚集長(zhǎng)大或重新固溶于基體中, 隨著強(qiáng)化相的消失, 沉淀強(qiáng)化作用也隨之消失, 從而限制了這類(lèi)銅合金的使用溫度和應(yīng)用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類(lèi), 其表現(xiàn)為導(dǎo)電、導(dǎo)熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此,鉻鋯銅合金在做點(diǎn)焊電極材料使用時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)變形、粘附、使用壽命不長(zhǎng)及熔敷現(xiàn)象, 頻繁的整修和更換電極嚴(yán)重影響了工作效率的提高。彌散強(qiáng)化銅合金則是通過(guò)在金屬基體中引入高度分散的熱穩(wěn)定性強(qiáng)的第二相質(zhì)點(diǎn)，阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，以達(dá)到提高強(qiáng)度的目的。而Al2O3粒子硬度高, 熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性高，熔點(diǎn)高，在接近銅基體熔點(diǎn)的溫度下也不會(huì)明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強(qiáng)度和硬度。因此，Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結(jié)構(gòu)導(dǎo)電材料、高速列車(chē)架空導(dǎo)線、熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆、連鑄結(jié)晶器等方面。本研究開(kāi)發(fā)的Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金在保證傳統(tǒng)工藝內(nèi)氧化、還原徹底性和燒結(jié)致密性的前提下簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程降低了生產(chǎn)成本。 主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：420～560MPa； 2.延伸率：12～20%； 3.導(dǎo)電率：78～85%IACS； 4.軟化溫度：900℃； 5.導(dǎo)熱率：320～340W/ m·K； 6.電阻焊電極使用壽命為傳統(tǒng)Cr-Zr-Cu合金的3倍以上

根據(jù)強(qiáng)化手段的不同，高強(qiáng)化銅合金可分為兩類(lèi): 沉淀強(qiáng)化銅合金和彌散強(qiáng)化銅合金。沉淀強(qiáng)化銅合金是利用過(guò)飽和固溶體的脫溶沉淀，通過(guò)時(shí)效熱處理，達(dá)到強(qiáng)化效果。但沉淀析出相在高溫下會(huì)聚集長(zhǎng)大或重新固溶于基體中，隨著強(qiáng)化相的消失，沉淀強(qiáng)化作用也隨之消失，從而限制了這類(lèi)銅合金的使用溫度和應(yīng)用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類(lèi)，其表現(xiàn)為導(dǎo)電、導(dǎo)熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此，鉻鋯銅合金在做點(diǎn)焊電極材料使用時(shí)經(jīng)常出現(xiàn)變形、粘附、使用壽命不長(zhǎng)及熔敷現(xiàn)象，頻繁的整修和更換電極嚴(yán)重影響了工作效率的提高。彌散強(qiáng)化銅合金則是通過(guò)在金屬基體中引入高度分散的熱穩(wěn)定性強(qiáng)的第二相質(zhì)點(diǎn)，阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，以達(dá)到提高強(qiáng)度的目的。而Al2O3粒子硬度高，熱力學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性高，熔點(diǎn)高，在接近銅基體熔點(diǎn)的溫度下也不會(huì)明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強(qiáng)度和硬度。因此，Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結(jié)構(gòu)導(dǎo)電材料、高速列車(chē)架空導(dǎo)線、熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆、連鑄結(jié)晶器等方面。本研究開(kāi)發(fā)的Al2O3彌散強(qiáng)化銅合金在保證傳統(tǒng)工藝內(nèi)氧化、還原徹底性和燒結(jié)致密性的前提下簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程降低了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導(dǎo)體輻射探測(cè) 器及其制備方法，涉及半導(dǎo)體材料制備的射線成像探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。 所述的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個(gè)電極分別與兩個(gè)選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負(fù)極。本發(fā)明的半導(dǎo)體輻射探測(cè)器具備高靈敏度，環(huán)境友 好，穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410317209.0） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種以含鐵冶金塵泥為主要原料制備Fe2O3/Al2O3載氧體的方法，屬于固體廢棄物利用技術(shù)領(lǐng)域。該方法通過(guò)酸解和pH調(diào)節(jié)的溶膠凝膠方法在含鐵冶金塵泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，將該溶液氧化得到復(fù)合粒子溶液，以此為Fe-Al源進(jìn)行pH調(diào)節(jié)，產(chǎn)生兩種元素的氫氧化物沉淀，最后在氧氣或者空氣氣氛下焙燒生成Fe2O3/Al2O3載氧體。與傳統(tǒng)方法相比，該方法制備Fe2O3/Al2

本發(fā)明公開(kāi)了一種海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級(jí)納米結(jié)構(gòu)材料的制備方法。稱(chēng)取3mmoLBi(NO3)3·5H2O，加入1mL?HNO3和9mL?H2O,溶解得溶液A；稱(chēng)取1mmoL?MoO3，溶解于20mL含有2.5mmol?NaOH的溶液中，得溶液B；將溶液B加入到溶液A中，然后向該反應(yīng)液加入一定量的十二烷基磺酸鈉；將反應(yīng)混合液轉(zhuǎn)移至40毫升帶有聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜中，密封后置于烘箱，設(shè)置一定的溫度，反應(yīng)10-15小時(shí)；反應(yīng)結(jié)束后，抽濾干燥，即得本發(fā)明的海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級(jí)納米

課題組與加州大學(xué)洛杉磯分校的倪霓課題組聯(lián)合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員，MnBi 4

一種納米Ti4O7粉末的制備方法，各原料的重量百分?jǐn)?shù)如下：納米二氧化鈦粉末96％～97％，納米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工藝步驟如下：(1)將按上述重量百分?jǐn)?shù)計(jì)量的納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛放入球磨機(jī)中，加入研磨球體和研磨介質(zhì)在常壓、室溫下進(jìn)行濕磨分散，當(dāng)納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛混合均勻后，分離出研磨球體，得混合漿料，繼后將混合漿料在60～80℃進(jìn)行干燥，干燥時(shí)間1～3h；(2)將步驟(1)制備的混合料裝入加熱爐中，在真空條件或通流動(dòng)惰性氣體的條件下加熱到800℃～1150℃并在該溫度進(jìn)行還原反應(yīng)，還原反應(yīng)的時(shí)間為1～4小時(shí)，反應(yīng)時(shí)間屆滿后隨爐冷卻至室溫。