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本發(fā)明公開了一種適用于復(fù)雜零件的固熔復(fù)合增材成形方法， 該方法包括以下步驟：建立金屬零件 CAD 幾何模型，然后提取 STL 模型，利用分層切片軟件以分層厚度為單位對 STL 模型進行合理分層 并提取各層的輪廓信息，由計算機根據(jù)這些輪廓信息生成控制指令； 通過切割裝置用該層對應(yīng)的數(shù)控指令沿該層的輪廓軌跡切割該層板 料；按照各層的排列次序通過焊料依次將各層板料進行粘合，以此完 成整個零件的粘合處理；粘合處理后的整個零件進行加熱，以實現(xiàn)固 熔復(fù)合熔接成形，以此方式，完成復(fù)雜零件的增材成形。本發(fā)明與現(xiàn) 有

本發(fā)明公開了一種針對包括斜錐臺型閥板的專用夾具、激光熔 覆裝置以及相應(yīng)的激光熔覆方法，屬于半導體激光器激光熔覆領(lǐng)域； 現(xiàn)有技術(shù)中閥板夾具在進行激光熔覆過程中，由于閥板的斜錐臺型， 熔覆不均勻，有些部位不能得到熔覆；本發(fā)明提供的專用夾具包括側(cè) 壁和底面，側(cè)壁為圓筒形，所述底面為橢圓，所述底面與所述側(cè)壁呈 一定角度，所述角度等于所述閥板斜錐臺型中心軸與所述閥板平面法 線之間的夾角；對于斜錐臺型閥板的熔覆，粉料堆積更均勻，

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發(fā)明專利/實用新型/：發(fā)明授權(quán) 簡介：本發(fā)明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產(chǎn)生沉淀物，將獲得的沉淀經(jīng)洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經(jīng)模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐

本發(fā)明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設(shè)備。方法根據(jù)待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀確定成型缸的內(nèi)部 結(jié)構(gòu)，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構(gòu)件切片輪廓形 狀對應(yīng)的區(qū)域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設(shè)備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與待成 形金屬構(gòu)件切片輪廓形狀相匹配。本發(fā)明通過使用鑲塊以及與金屬構(gòu) 件切片輪廓形狀相適應(yīng)的異形基板，實現(xiàn)了針對不同金屬構(gòu)件

本發(fā)明公開了一種梯度溫度場主動調(diào)控系統(tǒng)及其控制方法，系 統(tǒng)由溫度場監(jiān)控系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)和控制系統(tǒng)；溫度場監(jiān)控系統(tǒng)用于測 量成形區(qū)域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)根據(jù)控制系統(tǒng)指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區(qū)獨立實時調(diào)節(jié)，以實現(xiàn)在加工過程中整 個加工區(qū)域的溫度場恒定，保證已加工區(qū)域與未加工區(qū)域處于合理的 溫度梯度，避免熱應(yīng)力導致構(gòu)件翹曲、變形、開裂。本

本發(fā)明公開了一種中溫平板式固體氧化物燃料電池堆密封物及 其制備方法，該密封材料主要分為三層：兩層玻璃基密封材料中間夾 一層 Al2O3 基密封材料。玻璃基密封材料包括：BaO-B2O3-SiO2 玻璃 體系和質(zhì)量百分比為 1～5％的 YSZ 粉，Al2O3 基密封材料包括：Al2O3 和質(zhì)量百分比為 10～30％的 Al 粉。兩種成分的密封材料通過流延成 型制備成可壓縮的復(fù)合密封材料，再經(jīng)熱壓成型為三明治結(jié)構(gòu)密封材 料。按照本發(fā)明，結(jié)合玻璃基密封材料和 Al2O3 基密封材料各自優(yōu)勢， 減少密封材料的漏氣率，增加材料的力學性能，并以便于操作和加工 的密封方式來實現(xiàn)有效的氣體密封。

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本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓撲優(yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結(jié)構(gòu)拓撲優(yōu)化，避免了在增材制造成型

本發(fā)明屬于結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)拓撲優(yōu)化設(shè)計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構(gòu)建基 于參數(shù)化水平集方法的優(yōu)化模型，在宏觀材料布局優(yōu)化的基礎(chǔ)上，針 對不同的中間密度單元進行微結(jié)構(gòu)構(gòu)型拓撲優(yōu)化，并輸出最優(yōu)細觀微 結(jié)構(gòu)構(gòu)型。上述方法將支撐結(jié)構(gòu)與所設(shè)計結(jié)構(gòu)自身相結(jié)合，融合了宏 觀材料布局優(yōu)化及細觀微結(jié)構(gòu)