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一種基于實(shí)測(cè)雷擊數(shù)據(jù)的輸電線路擊桿率獲取方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于實(shí)測(cè)雷擊數(shù)據(jù)的輸電線路擊桿率獲取方 法，該方法以實(shí)測(cè)輸電線路本體雷擊數(shù)據(jù)，包含雷擊避雷線次數(shù)、雷 擊桿塔次數(shù)及雷擊導(dǎo)線次數(shù)，分析線路桿塔相對(duì)整個(gè)檔距的引雷性能， 綜合計(jì)算線路桿塔擊桿率。主要步驟如下：首先根據(jù)輸電線路經(jīng)過(guò)的 地形劃分桿塔區(qū)間，然后在輸電線路各相導(dǎo)線上分布安裝行波監(jiān)測(cè)裝 置，監(jiān)測(cè)各相導(dǎo)線上的高頻電流數(shù)據(jù)，建立波形辨識(shí)判據(jù)，獲取某一 區(qū)間一段時(shí)間內(nèi)線路雷擊數(shù)據(jù)，包括線路雷擊避雷線次數(shù) n1、雷擊桿 塔數(shù)據(jù) n2 及雷擊導(dǎo)線次數(shù) n3，獲得該區(qū)間內(nèi)線路等效擊桿率。本發(fā)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率虛部的成像方法
本發(fā)明公開(kāi)一種磁納米粒子濃度成像方法，其主要?jiǎng)?chuàng)新在于采用交流磁化率的虛部來(lái)進(jìn)行濃度成像，有效提高磁納米粒子成像的空間分辨率。對(duì)磁納米粒子施加交流磁場(chǎng)和直流梯度磁場(chǎng)，檢測(cè)出一次諧波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化強(qiáng)度變化量計(jì)算出磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部。通過(guò)控制直流梯度磁場(chǎng)的零磁場(chǎng)點(diǎn)位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部，進(jìn)而利用交流磁化率的虛部實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像。從仿真數(shù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于聚焦電流法的減小視電阻率測(cè)量誤差的系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于聚焦電流法的減小視電阻率測(cè)量誤差的 系統(tǒng)和方法，該系統(tǒng)包括反饋控制電路、驅(qū)動(dòng)電路、測(cè)量電路、測(cè)量 電極、屏蔽電極所構(gòu)成。在地質(zhì)前探中，在護(hù)盾的前部和尾部分別設(shè) 置屏蔽電極和測(cè)量電極，并且在前部和尾部的同一圓周線上設(shè)置成對(duì) 的電壓監(jiān)測(cè)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)電路分別給屏蔽電極和測(cè)量電極通電流，測(cè)量電 路測(cè)量各對(duì)電壓監(jiān)測(cè)點(diǎn)的電位差ΔV，反饋控制電路根據(jù)所測(cè)得的電位 差，反饋調(diào)節(jié)的電流，使各點(diǎn)V的總體相對(duì)變化Σai(ΔVi)<sup>2</sup> 最小，從而維持屏蔽電極與測(cè)量
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測(cè)量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測(cè)對(duì)象區(qū)域，并利用通電螺線管對(duì)待測(cè)區(qū)域施加交流激勵(lì)磁場(chǎng)；(2)利用探測(cè)線圈采集交流激勵(lì)磁場(chǎng)下待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H1；(3)保持交流激勵(lì)磁場(chǎng)不變，將磁納米樣品放置于待測(cè)對(duì)象的待測(cè)區(qū)域內(nèi)，利用探測(cè)線圈采集施加磁納米樣品之后待測(cè)區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H2；(4)計(jì)算磁納米粒子的交流磁化率χ的實(shí)部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于軟測(cè)量技術(shù)的汽輪機(jī)熱耗率在線監(jiān)測(cè)方法
本發(fā)明涉及一種基于軟測(cè)量技術(shù)的汽輪機(jī)熱耗率在線監(jiān)測(cè)的方法。該方法通過(guò)建立的汽輪機(jī)回?zé)嵯到y(tǒng)的專(zhuān)家性能知識(shí)庫(kù)和性能預(yù)測(cè)模型，校驗(yàn)汽輪機(jī)回?zé)嵯到y(tǒng)運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)點(diǎn)傳感器采集的數(shù)據(jù)，預(yù)測(cè)汽輪機(jī)運(yùn)行現(xiàn)場(chǎng)未采集的參數(shù)數(shù)據(jù)，以利用汽輪機(jī)輸出功率計(jì)算主蒸汽流量，完成汽輪機(jī)回?zé)嵯到y(tǒng)熱耗率的在線監(jiān)測(cè)，從而獲得準(zhǔn)確、可靠的發(fā)電機(jī)組熱耗率在線監(jiān)測(cè)結(jié)果。本發(fā)明方法避免了傳統(tǒng)的凝結(jié)水流量測(cè)量，采用汽輪機(jī)輸出功率軟測(cè)量的方法，獲得熱耗率的在線監(jiān)測(cè)，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種多箱體組合式顆粒飼料粉化率測(cè)定裝置
本發(fā)明公開(kāi)一種多箱體組合式顆粒飼料粉化率測(cè)定裝置，包括座體、粉化裝置和驅(qū)動(dòng)裝置，其中，粉化裝置可活動(dòng)地安裝于座體，粉化裝置具有多個(gè)粉化腔，粉化腔用于容納顆粒飼料；驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)粉化裝置活動(dòng)，以使得粉化腔內(nèi)的顆粒飼料與粉化腔的內(nèi)腔壁相互碰撞而破碎。本發(fā)明提供的技術(shù)方案中，粉化裝置在驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)下同時(shí)帶動(dòng)多個(gè)粉化腔活動(dòng)，以使得多個(gè)粉化腔內(nèi)的顆粒飼料分別與內(nèi)腔壁相互碰撞而破碎，可同時(shí)進(jìn)行多組顆粒飼料的粉化率測(cè)定，有利于提高測(cè)定效率。
（注：本項(xiàng)目發(fā)布于2019年）
武漢輕工大學(xué)
2021-01-12
低孔低滲巖心含油率 12MHz核磁巖心分析儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 12MHz核磁巖心分析儀，主要用于常規(guī)與非常規(guī)巖心的孔滲飽測(cè)試，可用于低孔低滲巖樣測(cè)試評(píng)價(jià)。 MicroMR12產(chǎn)品身軀小巧，結(jié)構(gòu)緊湊，是具有世界先進(jìn)水平的臺(tái)式核磁共振巖心分析儀；可滿(mǎn)足石油勘探領(lǐng)域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動(dòng)流體飽和度、束縛流體飽和度等相關(guān)分析測(cè)試，測(cè)量結(jié)果客觀真實(shí)、精準(zhǔn)度高、重復(fù)性好，儀器性能穩(wěn)定，性?xún)r(jià)比高。技術(shù)指標(biāo)：1、磁體類(lèi)型：永磁體；2、磁場(chǎng)強(qiáng)度：0.28±0.05T，儀器主頻率：12MHz；3、探頭線圈直徑：25.4mm；應(yīng)用解決方案：1) 常規(guī)巖心孔隙結(jié)構(gòu)及流體飽和度；2) 非常規(guī)巖心（致密巖心，泥巖，頁(yè)巖）孔隙結(jié)構(gòu)及流體飽和度；3) 中大尺寸巖樣含油含水分布、油水含量測(cè)試；應(yīng)用案例一：玻璃珠孔隙模型測(cè)試（不同飽和度下T2弛豫圖譜分析）應(yīng)用案例二：核磁共振T2圖譜與巖樣孔喉分布注：儀器外觀如有變動(dòng)，以最新款為準(zhǔn)。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
新加坡EUTECH優(yōu)特便攜式PH計(jì)、電導(dǎo)率儀、離子濃度計(jì)
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
廣州市博勒泰貿(mào)易有限公司
2021-08-23
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一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉及用途
本發(fā)明公開(kāi)了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時(shí)繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽(yáng)離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過(guò)多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無(wú)電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過(guò)所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12