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1.項目簡介：本設計了一種制備結晶氮化碳薄膜的裝置，設有脈沖電弧放電的機構及電路，該電路由高壓和電弧產生電路組成；該機構包括基板和與之相連的電加熱器，設有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內，基板位于電極的下方或四周，設有2條帶有控制閥的管道，分別通氮氣和溶液，其下端深入半密封箱體腔內，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質量地制備出結晶氮化碳薄膜，能方便地將結晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內壁，從而有利于結晶氮化碳薄膜的推廣應用。項目已獲實用國家新型專利權。2.技術特點：該發明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質量地制備結晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發明的顯著特點是：在常壓下合成的產品主要為結晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環境下產生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產效率，利于推廣結晶氮化碳薄膜的應用。

一種鉬酸鹽功能薄膜,以導電或不導電的、晶態或非晶態的材料為襯底,晶粒度范圍10～500NM,厚度100～3000NM。制備鉬酸鹽功能薄膜的工藝步驟為:(1)配制含MO離子絡合物的溶液,以鉬酸銨或/和鉬酸為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(2)配制含金屬離子絡合物的溶液,以堿金屬及堿土金屬的碳酸鹽或/和過渡金屬及稀有金屬的硝酸鹽為溶質,以丙二醇或丙三醇或丙二醇、丙三醇與丙二醇甲醚、冰乙酸的混合液為溶劑;(3)制備鉬酸鹽前驅物溶液,將上述含MO離子絡合物溶液和含金屬離子絡合物溶液充分攪拌混合,然后至少靜置40分鐘;(4)采用旋涂技術成膜和干燥。

隨著微電子行業等微型化科技的快速發展，薄膜材料得到廣泛應用。薄膜電池作為微型電源器件具有廣闊發展空間。薄膜材料對于硅基負極而言，其短程儲鋰深度和單向膨脹的優勢能夠有效克服硅基材料的本征導電率低和體積膨脹大的問題。開發無需粘結劑的硅基負極薄膜材料對于薄膜負極發展意義深遠。項目通過物理沉積方法，實現電極結構設計與導電型材料復合，改善硅基材料低導電率問題，優化硅基材料體積膨脹緩沖空間，從而完成無粘結劑硅基材料制備和倍率、循環等性能的提高。

以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底，采用極低的單體濃度（0.04 mM），在室溫下進行偶聯反應，通過溶液相范德華外延的方法，成功制備得到了大面積均勻連續的高質量、少層石墨雙炔薄膜，高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質量單晶結構。該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結構，電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點，分別對應于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案，結果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。

有機電致發光器件（OLED）具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、使用溫度范圍廣、構造簡單并可用于撓曲性面板等優異特性，被認為是新一代的 顯示技術，在智能手機及各類未來智能終端領域應用潛力巨大。柔性OLED是實現曲面顯示，乃至未來柔性顯示的基礎。由于金屬和玻璃封裝都不適合柔性器件的封裝，薄膜封裝技術的突破是柔性OLED產業化進程推進的關鍵，也是柔性OLED發展的主要課題之一。在聚合物基板和OLED上采用多層薄膜包覆密封（也稱之為Barix技術：基于真空鍍膜工藝制備的有機-無機交替多層膜結構），不僅具有低成本、更輕、更薄的優點，而且可以延長OLED器件的壽命。適用于柔性OLED封裝技術的工藝路線如圖1所示。本項目開發的封裝材料適用于此工藝路線中的聚合物多層薄膜封裝。

聚乳酸（PLA ）也稱作聚丙交酯，是以玉米淀粉作為原料，用酶分解淀粉，得到葡萄糖，再由微生物發酵葡萄糖制得乳酸，從乳酸單體通過兩種不同的合成途徑：即乳酸直接縮聚反應（一步法）和通過丙交酯中間體開環聚合反應（二步法）獲得。目前，高分子量的PLA一般采用二步法。此方法是先由乳酸合成丙交酯，再由丙交酯在催化劑（cat）的作用下開環聚合制備PLA，反應式如圖1所示。因此，PLA是一種能夠被水解和被微生物分解的合成塑料。

適用范圍：     可用于農業、林業、環保、地質、化工、食品等部門以及高等院校、科研部門對植株、種子、飼料、食品、土壤、礦石等消化     儀器特點：*溫度可控，樣品還原性好。*加熱體（模塊）采用紅外加熱，石英管輻射，耐強酸強堿、防爆裂，壽命長，符合CE標準*爐孔溫度和升溫速率連可調，升溫速度快且杜絕掛壁 *消化管受熱面積大、溫差小，樣品消化一致性好，熱效率高 *儀器具有過壓、過流、過熱等多重保護，實驗操作安全可靠*采用雙開關，電源和加熱單獨控制，便于安全參數設置，節約能源。*采用新一代數顯控溫儀，PID智能控制技術，控溫精度高。 *儀器有不銹鋼排污系統，使消化管內逸出的SO2等有害氣體，通過排污管經抽吸泵從水中排入下水道，有效地抑制有害氣體的外逸，消化管，消化架，冷卻架。 *整機采用放腐蝕處理，避免實驗過程中酸性液體對機器的腐蝕； *可選配：樣品防爆器          液晶觸摸屏（可存儲實驗方案5000組）          SF-100廢氣中和系統   技術參數：   型號 SKD-08S2 SKD-20S2 SKD-18S2 SKD-48S2 不銹鋼排廢系統 有 有 排廢小漏斗 排廢小漏斗 控制方式 數控（定時+64階程序升溫） 加熱方式 紅外加熱，石英輻射 爐孔數量 8孔 20孔 18孔 48孔 控溫范圍 室溫-680℃ 室溫-680℃ 室溫-680℃ 室溫-680℃ 升溫速度 10分鐘（400℃） 20分鐘（400℃） 15分鐘（400℃） 25分鐘（400℃） 雙保溫層 硅酸鋁和空氣雙層保溫 溫度波動 ±1℃ 電壓 AC220V 功率 1600W 1950W 1600W 1950W 消化管尺寸 42mm*300mm 42mm*300mm 25mm*300mm 25mm*300mm 選配   液晶觸摸屏（可存儲實驗方案5000組）     液晶觸摸屏（可存儲實驗方案5000組）    

目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。

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