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本發(fā)明提供了一種高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設(shè)計方法，其包括以下步驟：步驟1，將高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)簡化為雙轉(zhuǎn)子耦合動力學(xué)模型；步驟2，高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)特性分析；步驟3，高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設(shè)計，以獲得盡可能大的轉(zhuǎn)子臨界轉(zhuǎn)速和軸端靜剛度。采用本發(fā)明提供的高速電主軸轉(zhuǎn)子?軸承?外殼系統(tǒng)動態(tài)設(shè)計方法，能夠大幅提高該類電主軸動態(tài)設(shè)計精度，并縮短設(shè)計周期，為該類高速電主軸設(shè)計提供有效的方法。

本發(fā)明提出一種高速間歇分度裝置，包括曲柄滑塊機(jī)構(gòu)、液壓系統(tǒng)和同步齒形帶齒輪機(jī)構(gòu)，所述液壓系統(tǒng)包括柱塞泵和柱塞缸，該柱塞泵和柱塞缸通過單向閥連接，所述同步齒形帶齒輪機(jī)構(gòu)包括同步齒形帶和與其嚙合的齒輪，該同步齒形帶與柱塞缸活塞連接，驅(qū)動力通過所述曲柄滑塊機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)化為所述柱塞泵活塞的往復(fù)運動，并帶動柱塞缸活塞間歇運動，進(jìn)而驅(qū)動同步齒形帶運動從而使齒輪間歇轉(zhuǎn)動，即可實現(xiàn)對固設(shè)在齒輪上的工件的分度。本發(fā)明還提出了該分度裝置在齒輪飛刀圓弧倒角加工中應(yīng)用。本發(fā)明可實現(xiàn)齒輪圓弧倒角加工的連續(xù)進(jìn)行，不需要工件、刀具進(jìn)行

本發(fā)明提供了一種高速加工機(jī)床整機(jī)結(jié)構(gòu)熱力學(xué)建模與熱設(shè)計方法，其包括以下步驟：步驟1：高速加工機(jī)床三維數(shù)字化建模；步驟2：高速加工機(jī)床主要熱源發(fā)熱功率和相關(guān)換熱系數(shù)計算計算；步驟3：機(jī)床平面結(jié)合部熱阻參數(shù)計算；步驟4：高速加工機(jī)床整機(jī)結(jié)構(gòu)熱力學(xué)建模與熱特性計算；步驟5：高速加工機(jī)床整機(jī)結(jié)構(gòu)熱態(tài)設(shè)計方法。采用本發(fā)明提供的高速加工機(jī)床整機(jī)結(jié)構(gòu)熱力學(xué)設(shè)計方法，能夠大幅提高高速加工機(jī)床整機(jī)結(jié)構(gòu)熱力學(xué)建模精度，縮短設(shè)計周期。不僅便于高速加工機(jī)床的正向設(shè)計，而且提高一次設(shè)計成功率。

研發(fā)階段/n本發(fā)明涉及一種鋁合金表面復(fù)合高速鋼耐磨層的制備方法，首先，在鋁合金表面熱噴涂０．２ｍｍ－１．５ｍｍ厚度的高速鋼涂層，然后通過攪拌摩擦加工，使熱噴涂的高速鋼涂層均勻鑲嵌、熔合在鋁合金表面層中，形成一層良好的耐磨層，涂層和基體間產(chǎn)生冶金結(jié)合。本發(fā)明通過攪拌摩擦加工，使熱噴涂涂層均勻鑲嵌、熔合在鋁合金表面層中，形成一層良好的耐磨層，涂層和基體間產(chǎn)生冶金結(jié)合。本發(fā)明獲得的高速鋼耐磨層硬度＞５２０ＨＶ，結(jié)合強(qiáng)度＞７０ＭＰａ。

本項目已完成完成了小試階段，進(jìn)入中試階段，擁有獨立知識產(chǎn)權(quán)，采用獨有的兼?zhèn)涓唠娏髅芏群痛蟀l(fā)射電流的碳納米管場致發(fā)射陣列為電子源，并設(shè)計了精細(xì)的聚焦透鏡的電子槍，制備出的高速碳納米管X射線管及碳納米管CT球管，具有快速啟動、超低劑量輻射、高分辨率、低功耗、運動閃拍等傳統(tǒng)X射線管無法實現(xiàn)的性能，可滿足新一代CT設(shè)備或全數(shù)字X光透射成像設(shè)備中的要求，進(jìn)而推動整個CT產(chǎn)業(yè)和全數(shù)字X光成像設(shè)備步入全新的發(fā)展階段。微焦點管：分辨率0.5-30μm可調(diào)，束流5-200μA；，醫(yī)用CT球管：0.3-1.2mm可調(diào)，

1. 痛點問題 液壓往復(fù)密封作為航空液壓系統(tǒng)的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其泄漏導(dǎo)致的液壓系統(tǒng)減能或失效，輕則影響航空裝備的完好率，重則造成飛行事故。關(guān)于往復(fù)密封的研究距今已有了80多年的歷史，現(xiàn)該技術(shù)的理論模型和實驗仿真等在低壓、低速工況下的研究已較為成熟。然而近幾年隨著主機(jī)裝配性能的不斷提高，往復(fù)密封的研究也要往保證高壓高速下密封性能和密封壽命的方向突破，高壓高速的嚴(yán)苛工況給往復(fù)密封技術(shù)提出了更高的要求。 往復(fù)密封技術(shù)是涉及材料學(xué)、機(jī)械學(xué)、力學(xué)、摩擦學(xué)及傳熱學(xué)等多個學(xué)科的綜合性密封技術(shù)，對于往復(fù)密封系統(tǒng)中的摩擦力和泄漏量等物理量的測量本身就有一定難度，在高壓高速的工況下測量的難度會更大；不僅如此，想要控制系統(tǒng)內(nèi)的高壓，并且讓活塞桿有較穩(wěn)定的高速運動，在實現(xiàn)上也有技術(shù)難度；另外，高壓高速的艱難工況會給密封系統(tǒng)帶來較為嚴(yán)重的溫升，由密封界面的摩擦導(dǎo)致的大量摩擦生熱，只能通過活塞桿和實驗缸體內(nèi)的油液運走，所以對于這樣的高壓高溫系統(tǒng)，必須要設(shè)計合理的冷卻系統(tǒng)控制密封界面和實驗缸體內(nèi)的溫度。 2. 解決方案 為了使實驗裝置能夠成功模擬高壓高速的惡劣工況，并解決在此工況下的測量難題，本發(fā)明提供一種高壓高速往復(fù)密封實驗測試平臺的方案和結(jié)構(gòu)設(shè)計，整套實驗設(shè)備以實驗缸體為核心，配套提供高速往復(fù)運動的驅(qū)動裝置、進(jìn)行系統(tǒng)降溫的冷卻裝置，并且將實驗缸體浮動式安裝以準(zhǔn)確地測得密封圈摩擦力。 本發(fā)明通過組合偏心輪、導(dǎo)桿、直線軸承等傳動裝置，形成了曲柄滑塊機(jī)構(gòu)，實現(xiàn)了活塞桿的往復(fù)高速運動，將直線軸承布置在缸體兩側(cè)，可以有效地平衡導(dǎo)桿傳遞給實驗桿的力矩，同時可以通過設(shè)計偏心輪的轉(zhuǎn)動慣量，平衡高速往復(fù)運動所帶來的慣性沖擊；將整個缸體浮動安裝，并用力傳感器將其與機(jī)架相連，實現(xiàn)了密封圈摩擦力的測量。

本新技術(shù)成果來自省部級科技計劃，獲得省部（學(xué)會）三等以上科技獎勵，并獲得國家發(fā)明專利授權(quán)。該成果成功解決了大斷面淺埋隧道下穿高速公路的施工技術(shù)難題，研究成果處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。該成果已在國內(nèi)下穿高速公路隧道施工當(dāng)中推廣應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種非對稱磁盤陣列高速緩存調(diào)度方法，屬于計 算機(jī)存儲技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過選擇不參與重構(gòu)的盤作為犧牲盤，減 少該犧牲盤的緩存大小，并相應(yīng)增加參與重構(gòu)磁盤的緩存的大小，減 少了對于失效盤以及參與重構(gòu)盤的 I/O 請求次數(shù)，加速了失效盤的重 構(gòu)速度，減少了用戶的 I/O 響應(yīng)時間，提高了存儲系統(tǒng)的可用性、可 靠性及系統(tǒng)的性能。

5G新基建是國家的重要發(fā)展戰(zhàn)略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當(dāng)前5G建設(shè)的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進(jìn)“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實施，保障我國通信基礎(chǔ)設(shè)施安全具有重要的經(jīng)濟(jì)和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規(guī)的DFB激光器面臨嚴(yán)重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應(yīng)用要求的-40~85℃的寬溫應(yīng)用場景，常規(guī)DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴(yán)重影響可靠性。因此，研制全國產(chǎn)寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進(jìn)“中國芯”國家重大戰(zhàn)略實施具有重要意義。 本成果創(chuàng)新性地提出一種溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器結(jié)構(gòu)，相比較常規(guī)DFB激光器，在脊兩側(cè)對稱的刻蝕兩個溝槽。此結(jié)構(gòu)可抑制注入載流子的橫向擴(kuò)散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達(dá)到商用需求。同時，相比較常規(guī)芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。 圖1（a）常規(guī)DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導(dǎo)DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規(guī)芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖 圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規(guī)芯片響應(yīng)帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線 圖3（a）（b）25℃和85℃下常規(guī)芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結(jié)果，功率變化小于0.5%