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無鹵高效磷系阻燃劑及其高阻燃透明環氧樹脂復合材料制備技術
項目簡介： 環氧樹脂固化物具有較好的熱穩定性、絕緣性、 粘結性、良好的力學性能、優良的成型工藝性能及較低的成本等優點，廣泛應用于電子元器件的粘接、封裝、印制線路板的 制造及航天等領域， 是目前最為
西華大學
2021-04-14
高活力內切-外切復合菊粉酶酶制劑及在高純度果糖生產中的應用
菊粉內切酶是能夠使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-鍵連接的聚果糖）在糖鏈內部隨機降解，產生低聚果糖的生物酶；菊粉外切酶是在聚果糖鏈的一端逐個酶解，產生果糖的生物酶；菊粉內切酶和外切酶的復合酶制劑能夠高效率地水解聚果糖產生果糖。果糖是一種高品質的甜味劑，甜度是蔗糖的1.8倍，是所有天然糖中甜度最高的糖，具有口感好、血糖升糖指數低以及不宜導致齲齒等優點，可以替代蔗糖，市場巨大。目前甜味劑大量使用蔗糖和高果糖漿。蔗糖價格較高且價格波動較大。高果糖漿生產工藝使用淀粉水解得到
山東大學
2021-04-14
高活力菊粉內切酶酶制劑生產及其在菊粉低聚果糖生產中的應用
菊粉內切酶是能夠使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-鍵連接的聚果糖）在糖鏈內部隨機降解，生產低聚果糖的生物酶。低聚果糖具有增殖腸道雙歧桿菌、排除體內有害物質、增強免疫力、降低膽固醇、預防結腸癌、抗衰老等多種生理功能，作為保健品具有巨大的市場。目前亞洲國家和地區，如中、日、韓、臺灣等，都是以蔗糖為原料利用果糖基轉移酶合成的（合成法）。產品純度低、工藝復雜、成本高，需要色譜分離才能得到純度高的產品。菊芋或菊苣產量高、種植成本低、富含菊糖（-鍵連接的聚果糖）。
山東大學
2021-04-14
中國科大提出“離子精餾”新單元操作，實現高鎂鋰比鹽湖鹵水直接提鋰
中國科學技術大學徐銅文教授團隊在高鎂鋰比鹽湖鹵水提鋰領域取得重要進展,啟發于傳統的多級塔板精餾機制與層析色譜分離機制，針對化工特種分離領域復雜物料分離難題，團隊原創性地提出一種“離子精餾”概念，并首次應用于高鎂鋰比鹽湖提鋰。
中國科學技術大學
2022-06-02
高可見光活性納米氮摻雜TiO2規模化制備及應用技術
所屬行業領域 環境凈化新材料、新技術 成果簡介 該成果解決了氮摻雜納米TiO2（N-TiO2）粉體的低成本規模化制備及其在水相中的均勻分散和懸浮穩定等關鍵技術，建成了年產能達百噸級的高可見光活性的納米N-TiO2光催化噴劑中試生產線；制定了國內首個納米N-TiO2光催化噴劑產品標準；建立了高效氣相和液相
北京科技大學
2021-04-14
提高 700MPa 強度級高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法
項目簡介 一種提高 700MPa 強度級高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法，其特征是它由 預回復（ 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h ）、 固 溶 （450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保溫后室溫水淬）、預變形（2%的塑性變形）和時效 （121℃×24h）組成。 產品性能、指標 本發明能在不降低合金強度的情況下，顯著提高合金的抗晶間腐蝕和抗剝落腐蝕性158 能。 合作方式
江蘇大學
2021-04-14
一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標記及應用
本發明提供了一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標記及應用，屬于分子標記技術領域，本發明通過測定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高來體現紫花苜蓿刈割后一定時間內植株再生的能力。所述分子標記的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示，插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于擴增分子標記的引物對，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1～2所示。本發明所述分子標記對應的引物對能夠鑒定或輔助鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同時本發明還提供了利用所述分子標記快速鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法，該方法簡便快捷，鑒定結果準確，具有良好的推廣應用前景。
蘭州大學
2021-01-12
一種高結晶性的二維MWW沸石分子篩及其制備方法
本發明提供了一種高結晶性的二維MWW沸石分子篩的制備方法，包括以下步驟：步驟S1，將二維材料的粉末加入反應容器，滴加有機結構導向劑并混合均勻，得混合液，對混合液依次進行超聲處理和離心處理后取上層清液，得液相剝離后的薄層二維材料分散液；步驟S2，將薄層二維材料分散液、去離子水、堿金屬源和鋁源配制成溶液，在溶液中緩慢加入硅源，攪拌溶解，陳化處理，得溶膠凝膠；步驟S3，溶膠凝膠進行水熱晶化后，得反應產物，進行洗滌、離心和干燥處理后，得高結晶性的二維MWW沸石分子篩。本發明中采用六方氮化硼或硫化鉬作為外延生長二維沸石的模板，無需額外添加除六亞甲基亞胺或哌啶之外的有機模板劑，合成得到結晶性好且橫縱比大的二維MWW型沸石。
復旦大學
2021-01-12
高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。技術指標如下：溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應用領域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學
2021-04-11
二維拓撲材料MoTe2中發現光激發誘導的亞皮秒時間尺度結構相變
用各種物理手段（電場、磁場、壓力、摻雜等）創造新的物態或調控不同量子物態是凝聚態物理領域廣受關注的研究前沿，并有巨大的應用前景。而超短脈沖激光的飛速發展使得光激發調控復雜量子材料的晶體結構和電子性質成為可能。層狀過渡金屬二硫化物MoTe2可以形成幾種不同的晶體結構并具有不同的物理性質或拓撲能帶結構，為調控或切換不同結構相變提供了可能性。最近量子材料科學中心王楠林課題組和合作者利用超快泵浦探測和時間分辨的二次諧波探測技術，研究了MoTe2中兩個半金屬相之間激光誘導的亞皮秒時間尺度的結構相變。 MoTe2是由MoTe6八面體結構單元構成的原子層沿c方向堆疊形成的二維材料系統，不同的堆疊方式具有不同晶體對稱性。1T-MoTe2在室溫時是單斜的1T’相，隨著溫度降低在250K時發生結構相變，轉變成正交的T_d相，其中可以存在第二類外爾費米子。王楠林課題組通過實驗發現高強度的近紅外激光脈沖可以在亞皮秒時間尺度內將中心反演對稱性破缺的T_d相驅動到具有中心反演對稱的1T’相。該相變發生的最明顯的特征是時間分辨的反射率變化中橫向剪切振蕩聲子的消失和二次諧波強度的急劇下降。通過選擇和改變激發脈沖的脈寬和波長，從實驗上排除了激光加熱效應。該項研究首次在超快亞皮秒尺度內實現了激光誘導的非加熱效應引起的MoTe2晶體中第二類Weyl半金屬相與正常半金屬相的超快結構相變。它為超快激光控制固體的拓撲特性開辟了新的可能性，使超快激光激發的拓撲開關器件具有潛在的實際應用價值。 該工作于2019年5月22日在線發表于著名學術期刊Physical Review X（Phys. Rev. X 9, 021036 (2019)），第一作者為量子材料中心博士生張夢瑤，王楠林教授和其研究組的董濤博士是通訊作者，量子材料科學中心王健教授研究組為該工作提供了樣品。該項研究得到國家自然科學基金委員會、國家重點研究開發項目等項目的支持。
北京大學
2021-04-11