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一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯構·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了 SR 觸發器的鎖存以及置位和復位功
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏輯操作方法
本發明公開了一種基于相變磁性材料的非易失性邏輯器件及邏 輯操作方法，非易失性邏輯器件包括磁頭以及依次附著于襯底上的底 電極、絕緣層，相變磁性薄膜和頂電極；其中相變磁性材料由一種相 變材料基質中摻雜鐵磁性元素構成，材料的磁性能夠通過非晶態-晶態 相變來可逆調控。本發明基于材料的相變控磁特性實現“實質蘊涵” 邏輯運算以及“與”、“或”、“與非”和“或非”四種布爾邏輯運 算，其運算結果以材料的剩余磁化存儲在器件中，從而實現
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結構，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側壁構 成；所述連通電極的上表面用于連接柵層，下表面用于連接字線。本 發明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接柵層的電極結構。此電 極結構呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應的柵層，對疊層中非相對應 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制備方法
本發明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導體區域以及圍繞半導體區域的四層包 裹結構；半導體區域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯連接；溝道為方柱形結構；四層包裹結構從里到外依 次為隧穿電介質層、電荷存儲層、阻隔電介質層以及控制柵電極；阻 隔電介質層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失存儲器和動態隨機存取存儲器的融合內存系統
本發明公開了一種非易失存儲器和動態隨機存取存儲器的融合 內存系統，將非易失存儲器和動態隨機存取存儲器融合在一起，共同 作為計算機系統的內存統一管理，其中動態隨機存取存儲器既可以與 非易失存儲器統一編址，亦可以以部分容量充當非易失存儲器的高速 緩沖存儲器(cache)，其 cache 空間的容量大小自適應數據負載特點而動 態可配，以便加快非易失存儲器的訪問速度，并能降低 I/O 訪問磁盤 頻率，提高計算機系統整體性能。
華中科技大學
2021-04-14
人才需求；分布式存儲系統架構領域技術性人才，重刪領域技術性人才，資源調度領域技術性人才，非易失介質領域技術性人才，網絡領域技術性人才
1、機器學習領域技術性人才
2、存儲系統領域技術性人才
3、系統軟件領域技術性人才
4、分布式存儲系統架構領域技術性人才
5、分布式存儲系統重刪領域技術性人才
6、分布式存儲系統資源調度領域技術性人才
7、分布式存儲系統非易失介質領域技術性人才
8、分布式存儲系統網絡領域技術性人才
9、固態盤領域技術人才
浪潮集團有限公司
2021-06-16