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???????? 本儀表用于測量各種電機、電覽、變壓器、電訊元器件、家用電器和其它電氣設備的絕緣電阻。 技術性能:? 1、額定電壓: 220V ;? 2、測量范圍: 0-500MΩ ;? 3、準確度等級: ±10% ;? 4、使用條件: 溫度-25～+40℃, 相對濕度不大于80%; ?5、搖柄額定轉速:120f/min ;?? 6、外磁場影響: 當外界磁場強度為0.4KA/m時, 儀表允許改變量為等級指數的100%;? 7、傾斜影響: 當儀表自水平位置向傾斜5度時，儀表允許改變量為等級指數的50%;?? 8、絕緣電阻: 儀表所有線路與外殼之間的絕緣電阻應不小于2 MΩ;??? 9、試電壓: 儀表能耐受頻率為50Hz的正弦波交流電壓歷時1min試驗，電壓有效值為1000V;?? ????????????????10、刻度弧長: 約65mm ; 11、外型尺寸:205 mm×120 mm×14 mm ;?? ???12、重量: 2Kg ;?? ?????13、標準代號: JB/T9290-1999。

（專利號：ZL 201410317209.0） 簡介：本發明公開了一種以含鐵冶金塵泥為主要原料制備Fe2O3/Al2O3載氧體的方法，屬于固體廢棄物利用技術領域。該方法通過酸解和pH調節的溶膠凝膠方法在含鐵冶金塵泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，將該溶液氧化得到復合粒子溶液，以此為Fe-Al源進行pH調節，產生兩種元素的氫氧化物沉淀，最后在氧氣或者空氣氣氛下焙燒生成Fe2O3/Al2O3載氧體。與傳統方法相比，該方法制備Fe2O3/Al2

本發明公開了一種海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米結構材料的制備方法。稱取3mmoLBi(NO3)3·5H2O，加入1mL?HNO3和9mL?H2O,溶解得溶液A；稱取1mmoL?MoO3，溶解于20mL含有2.5mmol?NaOH的溶液中，得溶液B；將溶液B加入到溶液A中，然后向該反應液加入一定量的十二烷基磺酸鈉；將反應混合液轉移至40毫升帶有聚四氟乙烯內襯的不銹鋼反應釜中，密封后置于烘箱，設置一定的溫度，反應10-15小時；反應結束后，抽濾干燥，即得本發明的海綿狀γ-Bi2MoO6多孔超級納米

課題組與加州大學洛杉磯分校的倪霓課題組聯合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員，MnBi 4

采用高性能200W像素1/2.8英寸CMOS圖像傳感器，低照度效果好，圖像清晰度高 可輸出200萬(1920X1080)@25fps 支持H.265編碼，壓縮比高，超低碼流 支持CVBS/SDI輸出 最大紅外監控距離30米 支持防閃爍，寬動態，3D降噪，強光抑制，背光補償，數字水印，電子防抖，適用不同監控環境 支持H.264H,H.264,H264B,H.265，靈活編碼，適用不同帶寬和存儲環境 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態檢測，區域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢測，客流量統計，區域人數統計,熱度圖 支持報警2進2出，音頻1進1出，RS485，BNC，128G SD卡，內置MIC 支持DC12V/POE供電方式，支持電源返送，最大電流1A,方便工程安裝 支持IP67防護等級 類別 參數 參數值 外觀 紅外槍 傳感器類型 1/2.8英寸CMOS 最大分辨率 200萬 掃描方式 逐行掃描 電子快門 1/3s~1/100000s;可手動或自動調節 最低照度 0.002Lux(彩色模式);0.0002Lux(黑白模式);0Lux(紅外燈開啟) 信噪比 ＞56dB 最大補光距離 30米 補光燈數量 雙燈 強光抑制 支持 外調焦 支持 鏡頭類型 定焦 鏡頭接口 M12 鏡頭焦距 3.6mm 鏡頭光圈 3.6mm:F1.8 視場角 3.6mm:水平:76°;垂直:46° 對角:80.5° 光圈控制 固定 近攝距 3.6mm：0.9mm 智能 支持 智能功能 支持遮擋報警，虛焦偵測，SD卡異常，網絡異常，非法訪問，動態檢測，區域入侵，絆線入侵，物品遺留/消失，場景變更，徘徊檢測，全局配置，快速移動，人員聚集，非法停車，音頻異常偵測，人臉偵測，外部報警，起立檢 測，客流量統計，區域人數統計，熱度圖,并且可以與報警聯動;支持多種觸發規則聯動動作;支持目標過濾

一種納米Ti4O7粉末的制備方法，各原料的重量百分數如下：納米二氧化鈦粉末96％～97％，納米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工藝步驟如下：(1)將按上述重量百分數計量的納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛放入球磨機中，加入研磨球體和研磨介質在常壓、室溫下進行濕磨分散，當納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛混合均勻后，分離出研磨球體，得混合漿料，繼后將混合漿料在60～80℃進行干燥，干燥時間1～3h；(2)將步驟(1)制備的混合料裝入加熱爐中，在真空條件或通流動惰性氣體的條件下加熱到800℃～1150℃并在該溫度進行還原反應，還原反應的時間為1～4小時，反應時間屆滿后隨爐冷卻至室溫。

“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.