葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測量環(huán)境配置、對準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測量

1. 痛點(diǎn)問題 化學(xué)工業(yè)是我國國民經(jīng)濟(jì)的支柱產(chǎn)業(yè)，集中于生產(chǎn)基礎(chǔ)和大宗化工原料，而面向高端制造業(yè)和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品，其比重不足10%。化工產(chǎn)業(yè)正受到國外技術(shù)壁壘和國內(nèi)消費(fèi)結(jié)構(gòu)升級及生態(tài)環(huán)境保護(hù)要求提高的多重壓力，需要加快轉(zhuǎn)型升級，邁向高端化和綠色化。 針對傳統(tǒng)醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)革新的研究方向，微反應(yīng)器和微流控技術(shù)的研究和應(yīng)用成為國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)的研究熱點(diǎn)。微反應(yīng)器和微流控技術(shù)自上世紀(jì)九十年代提出，就受到學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注。微反應(yīng)連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)是一項(xiàng)在新世紀(jì)中具有革命性的技術(shù)，是生物、化學(xué)、化工等交叉前沿的方向；2009年，25家國際著名跨國公司和研究機(jī)構(gòu)將微化工技術(shù)列入化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展新方向，聯(lián)合啟動了構(gòu)建所謂靈活、快速、未來化工廠的“F3計(jì)劃”。醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工產(chǎn)品由于產(chǎn)量小，目前普遍采用傳統(tǒng)的反應(yīng)釜等設(shè)備，單批次生產(chǎn)，存在原料利用率低、污染排放量大,生產(chǎn)過程安全性較差，難以適應(yīng)可持續(xù)發(fā)展的需要。解決醫(yī)藥中間體、精細(xì)化工生產(chǎn)的環(huán)保、安全、效率等問題，是目前廣大中小型生產(chǎn)企業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵。 2. 解決方案 微反應(yīng)器/微流控技術(shù)：以微結(jié)構(gòu)元件為核心，在微米或亞毫米受限空間內(nèi)進(jìn)行的流動、傳遞和反應(yīng)過程，它通過減小體系的分散尺度強(qiáng)化混合、分散與傳遞，提高過程可控性和效率，以“數(shù)量放大”為基本準(zhǔn)則，將實(shí)驗(yàn)室成果可靠地運(yùn)用于工業(yè)過程，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。 目前，微反應(yīng)器/微流控技術(shù)已經(jīng)從研究階段向工業(yè)化生產(chǎn)階段發(fā)展，相關(guān)技術(shù)及產(chǎn)品的應(yīng)用正處于快速增長的階段，在生物醫(yī)藥、化妝品、環(huán)保等領(lǐng)域，都有著廣泛的應(yīng)用需求。采用微反應(yīng)器成套技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)化學(xué)品生產(chǎn)的連續(xù)化同時，具有低能耗，高效率，低排放，高安全性等一系列優(yōu)勢。 1) 本項(xiàng)成果基于微化工技術(shù)，結(jié)合先進(jìn)的生產(chǎn)裝備自動化技術(shù)，提供面向生物醫(yī)藥制造領(lǐng)域的綠色高效的微流控技術(shù)生產(chǎn)方案。 2) 同時，結(jié)合先進(jìn)智能制造技術(shù)，可以構(gòu)建全自動的集成化工藝平臺，實(shí)現(xiàn)智能化、綠色化的生產(chǎn)工藝及裝備的整體應(yīng)用。

該項(xiàng)目是在國家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠(yuǎn)教授主持的課題組經(jīng)過15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機(jī)理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國家技術(shù)發(fā)明獎二等獎。該項(xiàng)目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。 

公開了一種鋁酸鉀溶液碳分法制備氫氧化鋁微粉并聯(lián)產(chǎn)碳酸鉀的方法。以氫氧化鋁、氫氧化鉀、去離子水為原料制備鋁酸鉀溶液，加入表面活性物質(zhì)，用二氧化碳分解至pH值為12?13，停止碳酸化分解，沉淀物經(jīng)分離、干燥得微粉氫氧化鋁；母液接著進(jìn)行深度碳酸化，將溶液中殘余氫氧化鉀、生成的碳酸鉀全部轉(zhuǎn)化為碳酸氫鉀，然后老化、過濾除去不溶物；濾液減壓蒸發(fā)濃縮，冷卻結(jié)晶，得到的碳酸氫鉀固體經(jīng)熱分解得碳酸鉀產(chǎn)品。

東南大學(xué)分析測試中心大口徑核磁共振分析與成像系統(tǒng)采購項(xiàng)目招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在中招聯(lián)合招標(biāo)采購平臺（以下簡稱平臺）網(wǎng)址為：http://www.365trade.com.cn/獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月14日09點(diǎn)30分（北京時間）前遞交投標(biāo)文件。

（專利號：ZL 201310397776.7） 簡介：本發(fā)明公開了一種制備MoO3@mSiO2微球的方法，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法利用十六烷基三甲基磷鉬酸銨為核，采用溶膠凝膠法包覆一層SiO2，然后煅燒得到核殼中空結(jié)構(gòu)的MoO3@mSiO2微球。該MoO3@mSiO2微球分散性好，粒徑200～900nm，具有核殼中空結(jié)構(gòu)，核是MoO3，殼是多孔SiO2。該微球?qū)Υ呋宜岷投〈己铣梢宜岫□サ孽セ磻?yīng)具有很好的催化效果，其在反應(yīng)溫

（專利號：ZL 201310428729.4） 簡介：本發(fā)明公開了一種制備WO3@mSiO2微球及其制備方法和應(yīng)用，屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法利用十六烷基三甲基磷鎢酸銨為核，采用溶膠凝膠法包覆一層SiO2，然后煅燒得到核殼中空結(jié)構(gòu)的WO3@mSiO2微球。該WO3@mSiO2微球分散性好，粒徑500～600nm，具有核殼中空結(jié)構(gòu)，核是WO3，殼是多孔SiO2。該微球?qū)σ杂退岷图状紴樵虾铣捎退峒柞ィㄉ锊裼停┑孽セ磻?yīng)具有很好的

一種微曝氣循環(huán)一體化污水生物生態(tài)處理系統(tǒng)及方法,生活污水先由調(diào)節(jié)池均質(zhì)均量,后送至表面布水式生物濾池,進(jìn)行酸化水解降低部分有機(jī)物,然后自流進(jìn)入循環(huán)生物強(qiáng)化接觸池進(jìn)行好氧生化處理去除絕大部分有機(jī)物,硝化反硝化脫氮,污泥好氧吸磷等生化作用,出水自流至斜板沉淀池進(jìn)行固液分離后,上清液自流至豎向流濕地,廢水中磷污染物進(jìn)一步被濾池中富鐵礦材料吸附去除,出水流至清水池排放或回用.本系統(tǒng)將表面布水式生物濾池,循環(huán)生物強(qiáng)化接觸池,人工濕地進(jìn)行一體化集成設(shè)計(jì),各反應(yīng)單元空間布局緊湊,占地面積小;工藝使用的設(shè)備少,廢水主要靠重力流和推流,自動化強(qiáng),運(yùn)行管理簡便;污泥回流量小,脫氮除磷處理效果好,尤其是磷去除率高.

提出了一種微麥克風(fēng)陣列接收信號壓縮編碼及信號恢復(fù)方法。其 具體方法是對每個時刻微麥克風(fēng)陣列接收的信號進(jìn)行壓縮變換，并對 壓縮變換后的信號進(jìn)行編碼。壓縮變換矩陣為對角元為1的下三角 陣，其非對角元系數(shù)由自適應(yīng)過程更新。自適應(yīng)過程及其代價函數(shù)在 更新過程中最小化壓縮變換后的信號能量，對各麥克風(fēng)陣元接收信號 解相關(guān)，消除各陣元信號之間的冗余信息。每一時刻的壓縮編碼信號 可以通過壓縮變換矩陣的逆矩陣恢復(fù)出原始接收信號。由于壓縮變換 矩陣始終保持對角元為1的

本發(fā)明公開了一種雙路電壓信號驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微透鏡芯片，包括電控液晶散光微透鏡陣列、第一驅(qū)控信號輸入端口和第二驅(qū)控信號輸入端口，面陣電控液晶散光微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1 的整數(shù)，電控液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、共地電極層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印㈨斆鎴D案化電極層、頂層電極間絕緣層、頂面電極層、第二基片，共地電極層和頂面電極層分別固