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基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動汽車充電系統(tǒng)和方法，包括充電樁、設(shè)于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號連接；信號處理模塊通過通信模塊與云 服務(wù)器信號連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了非接觸式的充電樁控制，簡化了電動汽車的充電操作，方便了運(yùn)營商對 充電樁的管理，并可實(shí)現(xiàn)無人值守情況下充電費(fèi)率的自動調(diào)節(jié)，從而促進(jìn)城市智能充電網(wǎng)絡(luò)的
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個電荷存儲層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化的測量方法
本發(fā)明公開了一種直流激勵磁場下的非侵入式快速溫度變化測量方法，包括：(1)將鐵磁性粒子置于待測對象處；(2)對所述鐵磁性粒子所在區(qū)域施加直流磁場使所述鐵磁性粒子達(dá)到飽和磁化狀態(tài)；(3)獲得待測對象在常溫下的穩(wěn)態(tài)溫度 T1，根據(jù)所述穩(wěn)態(tài)溫度 T1 計算出鐵磁性粒子的初始自發(fā)磁化強(qiáng)度 M1；(4)當(dāng)待測對象發(fā)生溫度變化后，測量鐵磁性粒子在溫度變化后的磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A，根據(jù)所述磁化強(qiáng)度變化信號的幅值 A 計算得到
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途，薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構(gòu)成了頂柵型存儲器；薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構(gòu)成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，通過對底柵型TFT進(jìn)行操作實(shí)現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離，提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時間和反應(yīng)溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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網(wǎng)格狀CuxS/Cu2o0,x=1.75~2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法
一種網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復(fù)合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網(wǎng)格狀CuxS/Cu2O復(fù)合類金字塔薄膜。該方法設(shè)備簡單，能耗低，適合大規(guī)模生產(chǎn)；制得物對太陽光吸收波長范圍寬，作為太陽能電池材料具有應(yīng)用前景；可作為模版和反應(yīng)介質(zhì)直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽能電池材料。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
一種鈦基底上制備有機(jī)分子雜化TiO2納米復(fù)合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機(jī)分子雜化TiO2納米復(fù)合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機(jī)分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調(diào)節(jié)PH值至2.7-2.9；D、將有機(jī)分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結(jié)合力高、分布均勻、光電轉(zhuǎn)換效率高，生物相容性好。
西南交通大學(xué)
2016-10-25
教育部關(guān)于印發(fā)《綠色低碳發(fā)展國民教育體系建設(shè)實(shí)施方案》的通知
把綠色低碳發(fā)展理念全面融入國民教育體系各個層次和各個領(lǐng)域，培養(yǎng)踐行綠色低碳理念、適應(yīng)綠色低碳社會、引領(lǐng)綠色低碳發(fā)展的新一代青少年，發(fā)揮好教育系統(tǒng)人才培養(yǎng)、科學(xué)研究、社會服務(wù)、文化傳承的功能，為實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰碳中和目標(biāo)作出教育行業(yè)的特有貢獻(xiàn)，制定本實(shí)施方案。
教育部
2022-11-09
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哈爾濱工程大學(xué)電化學(xué)碳捕獲及電催化轉(zhuǎn)化系統(tǒng)采購項目競爭性磋商
哈爾濱工程大學(xué)電化學(xué)碳捕獲及電催化轉(zhuǎn)化系統(tǒng)采購項目競爭性磋商
哈爾濱工程大學(xué)
2022-06-06