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采用全固態(tài)薄膜鋰電池的背包內(nèi)嵌儲(chǔ)能裝置無(wú)線充電系統(tǒng)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種采用全固態(tài)薄膜鋰電池的背包內(nèi)嵌儲(chǔ)能裝置無(wú)線充電系統(tǒng)，包括發(fā)射單元和 接收單元，發(fā)射單元包括第一 AC-DC 模塊、DC-DC 模塊、高頻逆變模塊、第一控制器、第一檢測(cè)電路、 第二檢測(cè)電路和發(fā)射機(jī)構(gòu)；接收單元包括接收機(jī)構(gòu)、第二 AC-DC 模塊、第三檢測(cè)電路、第二控制器和 儲(chǔ)能單元，儲(chǔ)能單元為全固態(tài)薄膜鋰離子電池。本實(shí)用新型采用磁耦合諧振式無(wú)線電能傳輸技術(shù)實(shí)現(xiàn)儲(chǔ) 能單元的無(wú)線充電，大大地簡(jiǎn)化了充電過(guò)程，可有效避免因遺忘而未對(duì)背
武漢大學(xué)
2021-04-14
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在玻璃表面制備納米厚度光交聯(lián)型高分子凝膠薄膜的方法
一種在玻璃表面制備納米厚度光交聯(lián)型高分子凝膠薄膜的方法，其步驟是：選取表面光滑的玻璃，在暗室中，將反應(yīng)物溶液涂敷在玻璃的一面；在光源與玻璃之間加透可見(jiàn)光和/或紫外光的濾波片，光源的位置為能滿足光在玻璃上產(chǎn)生全反射的位置，開(kāi)啟光源2～30分鐘，光從沒(méi)有涂敷有反應(yīng)物溶液的表面入射到涂敷有溶液的一面，在反應(yīng)物溶液與玻璃交界面上產(chǎn)生衰減波；衰減波觸發(fā)反應(yīng)物溶液反應(yīng)生成納米厚度的凝膠薄膜；將B步處理后的玻璃用水清除未反應(yīng)完得溶液，即得。它能在玻璃上制備出納米厚度的高分子凝膠薄膜，制得的材料能用于細(xì)胞培養(yǎng)中篩選特定直徑范圍的細(xì)胞、篩選無(wú)極納米顆粒、以及調(diào)節(jié)光學(xué)顯微鏡頭焦距等技術(shù)領(lǐng)域。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
一種制備高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體LaSrMn03緩沖層薄膜的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體La0.7Sr0.3MnO3緩沖層薄膜的方法，屬于高溫超導(dǎo)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法制備的薄膜平整致密，織構(gòu)良好，可以充分發(fā)揮La0.7Sr0.3MnO3作為導(dǎo)電型緩沖層薄膜具有的隔離、外延、電流傳輸?shù)娜毓πА１景l(fā)明包括以下步驟：分析純氧化鑭(La2O3)按陽(yáng)離子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸與陽(yáng)離子摩爾比為10∶1)。待完全溶解后，將溶液置于紅外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固體后取出。將乙酸鍶和乙酸錳按照上述陽(yáng)離子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例與制得的白色固體(即乙酸鑭)混和溶解在丙酸中，形成無(wú)水溶液；向無(wú)水溶液中加入聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，制成成膜性好的膠體；再將膠體涂覆在基片上，干燥后，放入燒結(jié)爐中燒結(jié)成相，即得鑭鍶錳氧La0.7Sr0.3MnO3高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體緩沖層。該方法成本不高，制作工藝簡(jiǎn)單，操作控制容易，不污染環(huán)境。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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具備高熱穩(wěn)定性的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備方法及其產(chǎn)品
本發(fā)明公開(kāi)了一種具備高熱穩(wěn)定性的柔性透明導(dǎo)電薄膜的制備 方法，包括：步驟一，在平整光滑的目標(biāo)襯底表面，均勻涂覆呈一維 結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電金屬納米材料，并形成為導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；步驟二，在具有 導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的目標(biāo)襯底表面上，刮涂形成含氟聚酰亞胺的前驅(qū)體涂 層；步驟三，通過(guò)梯度升溫的方式來(lái)對(duì)含氟聚酰亞胺前驅(qū)體涂層執(zhí)行 固化處理；步驟四，將完成上述固化后的含氟聚酰亞胺膜層從目標(biāo)襯 底予以剝離，由此制得所需成品。本發(fā)明還公開(kāi)了相應(yīng)的柔性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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三氧化鎢/聚苯胺核殼納米線陣列變色薄膜及其制備方法
本發(fā)明提供了一種三氧化鎢/聚苯胺核殼納米線陣列變色薄膜及其制備方法，其方法包括：將白鎢酸溶于過(guò)氧化氫水溶液，配制成過(guò)氧化鎢酸溶液；將過(guò)氧化鎢酸溶液涂在清潔干凈的導(dǎo)電基底的導(dǎo)電面上；將鎢鹽溶于醇中，形成前軀體溶液，將導(dǎo)電基底固定于反應(yīng)釜中，將前軀體溶液加入反應(yīng)釜中，在150～250℃反應(yīng)8～16h，取出后再在300～450℃熱處理1～3h，得到三氧化鎢納米線陣列；將苯胺與稀硫酸混合，形成用于制備聚苯胺的電解液，電聚合聚苯胺即得。該制備工藝控制方便，制造成本較低，易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。該薄膜具有光譜調(diào)節(jié)范圍大、變色種類(lèi)豐富、著色效率高、響應(yīng)速度快、循環(huán)壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-13
一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的熱壓設(shè)備
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于制造片材與柔性薄膜復(fù)合疊層的熱壓設(shè)備，該設(shè)備包括：由上下兩個(gè)熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側(cè)用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應(yīng)疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對(duì)柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進(jìn)行檢測(cè)和反饋的薄膜檢測(cè)裝置和上料檢測(cè)裝置。通過(guò)本發(fā)明，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)熱壓、上料、拾取和轉(zhuǎn)移等多種功能，結(jié)構(gòu)緊湊，便于控制和操作，并利用視覺(jué)定位技術(shù)和獨(dú)立的熱壓裝置支撐框架來(lái)進(jìn)一步保證薄膜疊層的精度。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉及用途
本發(fā)明公開(kāi)了一種高電阻率高磁性能核殼結(jié)構(gòu)NdFeB磁粉，該發(fā)明首先將配好的原料進(jìn)行感應(yīng)熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進(jìn)行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護(hù)氣氛下，進(jìn)行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時(shí)繼續(xù)通入氨氣，即可得到核殼結(jié)構(gòu)的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強(qiáng)、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點(diǎn)。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種負(fù)低老化率負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學(xué)組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽(yáng)離子的氧化物為起始原料，球磨，經(jīng)過(guò)多次煅燒，加入有機(jī)粘結(jié)劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環(huán)境下將樣品無(wú)電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過(guò)所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區(qū)的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12
一種提高微型光譜儀紫外響應(yīng)和分辨率的濾光片
本實(shí)用新型提供一種提高微型光譜儀紫外響應(yīng)和分辨率的濾光片，包括基板、鍍膜層和鍍膜保護(hù)層， 所述鍍膜層分為三個(gè)區(qū)域，在不同區(qū)域分別鍍有紫外轉(zhuǎn)換膜，紫外截止濾光膜，可見(jiàn)光截止濾光膜。本 實(shí)用新型同時(shí)解決了紫外效率低、可見(jiàn)光、紅外光波段存在高次衍射光的問(wèn)題，并且可以根據(jù)光譜儀的 光譜范圍選擇鍍膜的層數(shù)、類(lèi)型、區(qū)間長(zhǎng)度，具有安裝拆卸方便，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用靈活的特點(diǎn)，且鍍膜 之間不會(huì)相互產(chǎn)生干涉。
武漢大學(xué)
2021-04-13
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解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達(dá)~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測(cè)到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對(duì)所得Bi2O2Se單晶塊材進(jìn)行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測(cè)得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費(fèi)米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?
北京大學(xué)
2021-04-11