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本發(fā)明公開了一種直流偏磁多階段遞進(jìn)式綜合治理評(píng)估方法，包括:步驟 1，收集接地極和接地站 點(diǎn)的相關(guān)資料;步驟 2，從接地極向土壤注入小電流，獲得接地站點(diǎn)的直流電流測(cè)試值;步驟 3，采用 直流電流仿真模型計(jì)算接地站點(diǎn)的直流電流仿真值;步驟 4，基于接地站點(diǎn)的直流電流測(cè)試值和直流電 流仿真值調(diào)整直流電流仿真模型，并進(jìn)行第一階段直流偏磁治理;步驟 5，從接地極向土壤注入逐步增 大的小電流，觀察治理站治理設(shè)備動(dòng)作情況，測(cè)量測(cè)試站直流電流，檢查觀察站的運(yùn)行情況和噪聲;步 驟 6，采用直流電流仿真模型計(jì)算測(cè)試站的直流電流仿真值，調(diào)整直流電流仿真模型;并進(jìn)行下一階段 直流偏磁治理。本發(fā)明計(jì)算簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確度高、效率高、切實(shí)可行。

汽車零部件產(chǎn)品知識(shí)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)主要用于汽車產(chǎn)品的自主開發(fā)設(shè)計(jì)。系統(tǒng)內(nèi)可儲(chǔ)存相關(guān)成熟產(chǎn)品的設(shè)計(jì)圖紙、結(jié)構(gòu)圖片、及設(shè)計(jì)知識(shí)。為設(shè)計(jì)師進(jìn)行新產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)提供查詢和參考。系統(tǒng)可運(yùn)用關(guān)鍵詞或圖號(hào)或所屬關(guān)系進(jìn)行模糊查詢，調(diào)用內(nèi)存中的設(shè)計(jì)圖紙、結(jié)構(gòu)圖片、及設(shè)計(jì)知識(shí)。實(shí)現(xiàn)技術(shù)支持的目標(biāo)。 系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)權(quán)限管理，即根據(jù)不同的權(quán)限進(jìn)行分級(jí)授權(quán)管理和存儲(chǔ)調(diào)用AutoCAD、Pro/E、UG、CATIA等多種繪圖軟件繪制的工程視圖，以及對(duì)相關(guān)圖片、表格和測(cè)試報(bào)告等資料。并設(shè)計(jì)接口以兼容和調(diào)用采用其它設(shè)計(jì)計(jì)算模塊，使其能有效的進(jìn)行二次應(yīng)用與管理操作

機(jī)械產(chǎn)品性能預(yù)測(cè)技術(shù)是在虛擬樣機(jī)技術(shù)基礎(chǔ)上，結(jié)合產(chǎn)品的特點(diǎn)和要求，在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段就對(duì)產(chǎn)品的性能進(jìn)行預(yù)測(cè)。汽車動(dòng)力學(xué)仿真研究所現(xiàn)有成熟的產(chǎn)品性能預(yù)測(cè)技術(shù)有：1．剛度，強(qiáng)度及承載能力預(yù)測(cè)；2．疲勞性能預(yù)測(cè)；3．固有頻率，模態(tài)及動(dòng)態(tài)響應(yīng)分析； 4．撞擊性能預(yù)測(cè)；5．溫度場(chǎng)，熱應(yīng)力場(chǎng)分析；6．汽車整車性能分析；7．建模造型技術(shù)。

高壓電器柜銅箔軟連接零件是用厚度為0.03～0.1mm的銅箔疊上幾十甚至上百層，然后折彎成“U”字形狀，兩端各打兩孔，再于兩端熱壓焊合而中間銅箔仍保持自由分層的狀態(tài)。使用該“U”字形軟連接，可使大電流方便地通過(guò)，又使振動(dòng)得到隔離，也不會(huì)因軟連接兩端熱膨脹冷縮造成接頭松動(dòng)或破壞。目前生產(chǎn)“U”字形狀銅箔片的生產(chǎn)工藝均采用手動(dòng)纏繞疊料，熱壓焊合“U”字形狀的兩

Al-Si 合金具有低膨脹系數(shù)，良好的耐磨性及鑄造性能，在內(nèi)燃機(jī)活塞、缸 體壓等發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)力傳動(dòng)件制造領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。過(guò)共晶 Al-Si 合金的微觀組織中 通常存在五瓣星狀、板片狀、八面體和其他復(fù)雜相貌的初晶 Si，這些分布在該 合金基體中的較粗大初晶 Si，嚴(yán)重割裂了合金基體，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部應(yīng)力集中，從而明顯降低了合金的力學(xué)性能， 尤其是影響其塑性、強(qiáng)度、耐熱性和熱疲勞性能的提高。與此同時(shí)，在過(guò)共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出現(xiàn)集聚現(xiàn)象，嚴(yán)重降低了合金的各項(xiàng)性能。要改善 過(guò)共晶 Al-Si 合金的性能,必須同時(shí)對(duì)共晶 Si、初晶 Si 進(jìn)行良好的細(xì)化處理，細(xì) 化、球化初晶 Si，才能使其得以廣泛應(yīng)用。目前國(guó)內(nèi)外實(shí)際生產(chǎn)中通常采取加 磷（P）的方法，亦稱磷變質(zhì)（細(xì)化）處理。含磷變質(zhì)劑主要包括磷鹽或赤磷復(fù) 合變質(zhì)劑及含磷中間合金。其主要存在問(wèn)題如下： (1)磷鹽或赤磷復(fù)合變質(zhì)劑：處理過(guò)程中產(chǎn)生大量有害氣體，環(huán)境污染嚴(yán)重， 效果不穩(wěn)定，廢品率高。 (2) Cu-P 中間合金：熔點(diǎn)高，加入后難熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行業(yè)背景，本課題組研制開發(fā)了一種應(yīng)用于發(fā)動(dòng)機(jī)活塞、壓鑄合 金熔體變質(zhì)處理的新型 Al-P 晶種合金

本發(fā)明屬于復(fù)合材料領(lǐng)域，并公開了一種 C/C-SiC 復(fù)合材料零 件的制備方法及其產(chǎn)品，包括以下步驟：(a)利用溶劑蒸發(fā)法制備碳纖 維/酚醛樹脂復(fù)合粉末；(b)依據(jù)零件的三維模型，將碳纖維復(fù)合粉末采 用 3D 打印工藝成形出該零件的初始形坯；(c)對(duì)初始形坯進(jìn)行第一次 增密處理得到 C/C 多孔體；(d)對(duì)上述 C/C 多孔體進(jìn)行熔融滲硅反應(yīng)、 高溫除硅工藝和第二次增密處理，得到最終的 C/C-SiC 零件。通過(guò)本

本發(fā)明公開了一種用于加工大直徑薄壁盤類零件的數(shù)控雙面車 床，其包括主傳動(dòng)系統(tǒng)、進(jìn)給系統(tǒng)、床身和伺服電機(jī)，主傳動(dòng)系統(tǒng)上 設(shè)置有用于安裝夾具體的中空結(jié)構(gòu)的主軸，并且其與伺服電機(jī)相連; 夾具體用于夾持待加工零件，其包括夾具基體和壓板;進(jìn)給系統(tǒng)設(shè)有 兩組，對(duì)稱設(shè)置在主軸的兩側(cè)，其包括 x 向、z 向運(yùn)動(dòng)組件和刀架，所 述 x 向運(yùn)動(dòng)組件沿主軸的徑向安裝在床身上;所述 z 向運(yùn)動(dòng)組件沿主 軸的軸向安裝在 x 向運(yùn)動(dòng)組件上

本發(fā)明公開一種超大長(zhǎng)徑比深孔類零件的金屬增材制造方法， 首先通過(guò)金屬增材制造沉積一層金屬，然后銑削成平面，最后鉆孔加 工孔徑，形成“沉積金屬，銑削平面，鉆孔成形”的工藝過(guò)程。其特 點(diǎn)是在增材制造每層金屬的過(guò)程中進(jìn)行深孔的加工，變深孔加工為厚 度約 1～3mm 的淺孔加工，因而可以有效地解決直徑小到 1mm 的超大 長(zhǎng)徑比深孔無(wú)法加工的問(wèn)題，避免了傳統(tǒng)深孔加工中切削散熱難、刀 具易走偏等技術(shù)難題，制造成本較低，零件成形

浙江大學(xué)聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù) 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、技術(shù)分析 如何通過(guò)超潔凈流控技術(shù)降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關(guān)乎整機(jī)產(chǎn)品的產(chǎn)線應(yīng)用性能與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外，作為各類半導(dǎo)體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場(chǎng)被美國(guó)、日本等國(guó)壟斷，使我國(guó)半導(dǎo)體制造裝備產(chǎn)業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。浙江大學(xué)流體動(dòng)力與機(jī)電系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室啟爾團(tuán)隊(duì)所承擔(dān)的高端半導(dǎo)體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來(lái)在國(guó)家863計(jì)劃和國(guó)家02專項(xiàng)支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎(chǔ)研究、技術(shù)攻關(guān)和產(chǎn)品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產(chǎn)率的1mk級(jí)溫度測(cè)控、5ppt級(jí)金屬離子測(cè)控、20μm級(jí)氣泡測(cè)控、50nm級(jí)殘留液膜測(cè)控等關(guān)鍵核心技術(shù)，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測(cè)試，為半導(dǎo)體制造設(shè)備掃描速度與產(chǎn)能的提高提供基礎(chǔ)理論與方法依據(jù)，同時(shí)自主研發(fā)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)核心超潔凈流控零部件實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，突破了國(guó)外技術(shù)的封鎖，為我國(guó)半導(dǎo)體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎(chǔ)支撐。