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目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。  利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：  在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

目前半導體光刻加工用的深紫外光刻膠都采用化學增幅體系，這種體系主要由含酸敏基團的成膜材料和光產酸劑組成，這種體系最大的問題是光產酸在后烘階段會發生酸遷移，導致光刻分辨率難以提高。能夠有效改善酸遷移問題的一種方法是采用高分子光產酸劑，且其光產酸是高分子強酸。 課題組研制了一系列新穎的含多種鎓鹽光產酸基團的苯乙烯衍生物及其與甲基丙烯酸酯的共聚物。它們在曝光過程中產生大分子的磺酸，因此可作為大分子光產酸劑與其它成膜材料一起組成化學增幅型光致抗蝕劑。 以之為產酸劑與其它部分保護的對羥基苯乙烯聚合物一起組成二組分的化學增幅型248-nm光刻膠， 制備了苯乙烯磺酸鎓鹽和甲基丙烯酸酯、對羥基苯乙烯的三元共聚物，再用可酸分解的叔丁基碳酸酯保護部分酚羥基，由其組成了單組分的化學增幅型248-nm光刻膠，這些正型248-nm光刻膠獲得了高感度（20-50mJ/cm2）、高分辨率(0.15-0.20微米)和留膜率（＞99%）及圖形線條平滑陡直等的出色表現。   利用高分子產酸劑透明性好的特點，還制備了厚膜248-nm光刻膠，可獲得線寬0.34微米、高-寬比可達5：1的光刻圖形：   在此基礎上，還制備了負型248-nm光刻膠，這些光刻膠也都獲得了很好的光刻成像性能表現。這些高分子光產酸劑也可用于制備新型的高性能193-nm光刻膠。 這些248-nm光刻膠的主要組分除了溶劑外都是自行制備，原料易得，反應條件溫和可控，去金屬雜質的方法也是簡便易行，成本相對低廉，在經過多年的深入研究之后，完全具備了產業化的條件。 半導體加工的關鍵設備、材料主要掌握在美、日手中，對我國電子工業的平穩發展帶來困難和潛在的巨大威脅。其中光刻膠作為芯片光刻加工的關鍵材料，日本公司的產品占據全球市場的70%以上，而我國在中高端產品上（248-nm光刻膠、193-nm光刻膠）完全依賴進口，即便是低端的i-線光刻膠國產化率也只有20%左右。因此，我們必須盡快扭轉這種不利的局面，這需要科研工作者和產業界共同努力以及政府的大力支持。     近年來光刻膠引起了社會的廣泛關注，已有多家企業開始投身于248-nm光刻膠與193-nm光刻膠的研發與產業化，但絕大部分仍處于研發階段。我們研制的光刻膠具備了產業化的技術條件并具有與國外先進光刻膠產品競爭的產品性能。    半導體加工用光刻膠種類較多，本課題組從2002年參與國家十五“863”光刻膠重大專項開始，至今近二十年來聚焦于光刻膠研究，在i-線膠、248-nm光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、厚膜光刻膠及抗反射涂層材料等方面都取得了很好的結果，也在致力于這些光刻膠產品的產業化。 相關項目、專利及文章： 1.國家重大科技專項（02專項）子課題,課題編號:2010ZX02303（深紫外光刻膠專用光致產酸劑及新型成膜樹脂的擴試技術研究） 2.國家自然科學基金應急管理項目，51641301, 含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物及其組成的化學增幅光致抗蝕劑研究,2016/01-2016/12 3.One-component chemically amplified resist composed of polymeric sulfonium salt PAGs for high resolution patterning，European Polymer Journal，114（2019），11-18 4.A new type of sulfonium salt copolymers generating polymeric photoacid: Preparation, properties and application，Reactive and Functional Polymers，130（2018），118-125 5.含光產酸基團的苯乙烯衍生物-甲基丙烯酸酯共聚物、其制備及其應用，中國發明專利，專利號：9。

本發明公開了一種用于浸沒式光刻的浸液溫控系統，通過其獲得具有穩定溫度的浸液，以用于浸沒式光刻工藝中，其特征在于，該溫控系統包括：用于浸液流動的浸液管路，待溫控的浸液通過管路進口進入該浸液管路，溫控后的浸液通過該浸液管路出口輸出；用于對所述浸液進行冷卻的工藝冷卻液回路，工藝冷卻液在該回路中循環流動；以及熱交換器（6），所述浸液管路和工藝冷卻液回路同時流經該熱交換（6），利用該熱交換器（6）完成工藝冷卻液和浸液的熱交換，獲得具有穩定溫度的浸液，實現對浸液的溫度控制。本發明的裝置采用內部回流結構與熱交換器

本發明公開了一種光刻機自動調焦方法及裝置，其方法是將平行光束經第一狹縫投射至硅片表面，再經振動反射鏡掃描后通過第二狹縫，由光電探測器接收光強信號，然后通過提取光強信號中二倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的粗調量，通過提取光強信號中一倍于掃描頻率的頻域成分得到硅片的精調量，最后由驅動裝置調整硅片至焦點位置。調焦裝置主要由兩個狹縫、一個振動反射鏡、光電傳感器、驅動臺和若干光學鏡片組成，信號處理過程由計算機編程完成。該方法與裝置相較于以往對比光斑強度進行調焦的方式，具有結構簡單、響應迅速、精度高(優于 0.

關鍵科學問題研究團隊開發出一種與CMOS兼容的技術，可以動態且可逆地實現二氧化鈦和黑色二氧化鈦之間的轉化，從而達到結構色的擦寫和再現。通過構筑亞波長尺寸的微納結構，可以把特定波長的光局域在近場，激發出低階甚至高階的電極子或磁極子，它們反過來又會與材料中的電子產生強烈的相互作用，從而激發出更多的高活性電子，使得材料本

安全無污染 全封閉式設計；觀察窗口采用歐洲CE標準防護玻璃；切割產生煙塵內部過濾處理，達標排放，無污染； 傳動與精度 采用日本安川電機、臺灣上銀齒條、法國摩多利減速器。機床的定位精度為0.02。   監控系統 加工過程中，可隨時監控每個死角區域，切割過程可控；高清智能監控系統，遠程報警操作無危險。

產品詳細介紹 SITA表面光潔度儀介紹 表面光潔度儀是一款操作簡便的手持式零件表面潔凈程度的測試儀器。金屬或者其它材料的零件表面潔凈程度以百分比形式輸出。 由于玷污物的熒光特性，通過一個含紫外光波的LED燈照射，SITA表面光潔度儀 即可探測出玷污物。儀器探頭里的光電二極管負責測量UV熒光的強度。UV熒光越強表示污染程度越大，反之則越潔凈。 SITA 表面光潔度儀 – 測量原理 紫外線照射后產生的熒光是一種特殊形態的冷光。當熒光分析的電子吸收了光子后能量提高，但是這種狀態并不穩定，它會馬上變回初始狀態并把吸收的能量再次釋放出來，發出熒光。由于部分能量轉化成熱量消耗了，所以發出的光線能量降低，波長也變長了。 對于平常清潔過程中的玷污物，SITA表面光潔度儀的參數已經設計得最合適。對于特殊的檢驗要求，它也可能適合LED的波長。由于有機物被UV光激發后具有很強的自體熒光特性，因此儀器能夠檢查出油、油脂和殘余表面活性劑的玷污物。此外，它也可能用于檢查腐蝕或者已知厚度的蠟層。 下圖是冷卻潤滑油在365nm波長下激發的熒光光譜圖。由于它在460nm波長下的熒光強度非常強，所以用SITA表面光潔度儀 在此波長下最容易檢測到這種潤滑油玷污。 SITA表面光潔度儀 的測量原理 SITA表面光潔度儀 的測量原理是共焦法，即激發光線和被激發而產生的光線在同一平行輻射軌跡上。因此，探頭的靈活定位和在線測量都易于實現。基于這種測試原理，對于構成中不含或者含有輕微熒光性原料的零件，儀器都可以檢測其清潔度。  

本發明公開了一種用于投影式光刻機成像系統的波像差檢測方法，包括光刻機成像系統的快速正向模型建立，澤尼克系數靈敏度矩陣的解析求解，檢測用掩模圖形優化求解，基于單次光強測量的波像差求解。本發明方法通過解析求解無像差時的空間像光強值和澤尼克系數靈敏度矩陣，實現了基于單次離焦空間像光強測量的波像差檢測。

本發明公開了一種精確控制浸沒式光刻機浸液溫度的裝置，包括增壓泵；初級熱交換器，其浸液入口與增壓泵出口連通，浸液在其中進行熱交換，實現浸液溫度的初級調控；次級熱交換器，其浸液入口與初級熱交換器浸液出口連通，浸液在其中進行再次熱交換，實現浸液溫度的次級調控；流量伺服閥，其入口與初級熱交換器浸液出口連通，與次級熱交換器形成并聯，用于調節進入次級熱交換器的浸液流量。通過協調控制進入初級熱交換器和次級熱交換器的冷媒流量，并結合流量伺服閥對進入次級熱交換器的浸液流量的調節，可實現對浸液溫度的兩級調控，從而獲得溫

本發明公開了一種用于點光源配光的自由曲面光學元件的設計方法。屬于非成像光學技術領域。本發明根據設計要求設置自由曲面光學元件的具體結構，根據折射定律和能量守恒定率在計算機的輔助下，設計出滿足預定照明要求的自由曲面，使光源的出射光經該自由曲面偏折后在目標照明區域產生預定的照明光斑，如帶有“ZJU”字樣的圓形照明光斑和均勻的矩形照明光斑。該自由曲面光學元件的某一表面為自由曲面，該自由曲面通過曲面擬合離散數據點得到。本發明設計效率高，能實現復雜照明，能獲得連續的自由曲面，實現了曲面的可加工。折射型和反射型自由曲面光學元件均可以用光學樹脂等材料借助注塑成型技術來實現。