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一種具有電磁性能的柔性微納米纖維絞線及其制備裝置
本發明公開了一種具有電磁性能的柔性微納米纖維絞線及其制備方法，纏繞成所述柔性微納米纖維絞線的微納米纖維含有光固化高分子材料、導電物質和磁性納米顆粒，所述微納米纖維通過無溶劑電紡紡絲前驅液制得，電紡過程在少氧紫外光照環境下進行，所述紡絲前驅液含有光固化材料的液體預聚物、光引發劑、導電物質和磁性納米顆粒，不含有機溶劑。該微納米纖維絞線具有優異的力學性能，且具有良好的電磁性能，同時在靜電紡絲制備過程中無需添加有機溶劑，制備過程更加安全環保，適宜大規模生產。
青島大學
2021-04-13
一種硫酸頭孢喹諾的肺靶向PLGA微球制劑及其制備方法
本發明公開了一種硫酸頭孢喹諾的肺靶向PLGA微球制劑及其制備方法。所述靶向微球制劑是以硫酸頭孢喹諾為原料藥，以PLGA為載體，按原料藥與載體的重量比為1：5~20制得，本發明還提供了靶向微球制劑的制備方法。本發明的有益效果是：所制備的微球包封率在60%以上，85%以上的微球粒徑分布在7~35um范圍內，因此微球制劑可靶向富集到肺部，有效提高藥物的療效，降低藥物的毒副作用；同時可延長藥物在肺部的滯留時間，維持血藥濃度平穩，起到長效的作用。
青島農業大學
2021-04-13
一種高分辨率光學推掃衛星穩態重成像傳感器校正方法及系統
提供一種高分辨率光學推掃衛星穩態重成像傳感器校正方法及系統，包括構建單片TDICCD非穩態嚴密幾何模型和虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型，根據虛擬CCD穩態成像嚴密幾何模型得到有理函數模型，建立單片TDICCD影像與虛擬CCD重成像影像的一一映射關系，從而根據原始的單片TDICCD影像生成傳感器校正后影像。本發明技術方案結合虛擬CCD成像原理，利用多片TDICCD非穩態幾何模型與虛擬單線陣CCD穩態幾何模型定位的一致性，實現多片CCD影像的無縫拼接的同時，校正由平臺震顫引起的影像變形，提供用戶標準景影像和對應高精度RPC參數，便于后續圖像應用。
武漢大學
2021-04-10
一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發明涉及壓力傳感器技術領域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細槽連通，淺槽二中心位置設有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應設置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應設置。本發明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實現了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。
東南大學
2021-04-11
一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器
本發明公開了一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器，包括四分之一模基片集成波導弧形腔，四分之一模基片集成波導弧形腔通過基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導弧形腔包括介質基片，介質基片的上表面設有上金屬層，介質基片的下表面設有下金屬層，介質基片中沿四分之一模基片集成波導弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發明相對于傳統的基片集成波導圓形腔有效實現了小型化。并且，相對于傳統的多層結構，本發明結構簡單，加工方便。此外，相對于傳統的微帶結構，本發明的濾波器品質因數高，損耗小。
東南大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
道路交通事故鏈阻斷方法及主動安全集成控制系統關鍵技術研究
本課題組研究方向為智能交通與車輛主動安全，項目涉及交通信息與安全、行車主動服務、智能網聯汽車等領域。相關研究成果可以給予相關部門、 企業提供理論基礎和技術支持。研發的車牌識別系統，可以實現停車場出入口收費管理、盜搶車輛管理、高速公路超速自動化管理等功能；基于身份信息的無證駕駛輔助識別方法與系統， 實現司機與車輛信息的匹配，解決無證者的違法駕駛問題，同時預防車輛被盜；基于激光的車頭與障礙物間距離檢測裝置及方法，魯棒性優良， 避免了傳統檢測方式的盲區監測問題，減少駕駛員信息處理量， 有助于
江蘇大學
2021-04-14
天津大學研發一步式制備集成型一體化儲能電極新方法
天津大學“英才計劃”特聘研究員吉科猛團隊聯合湖南大學譚勇文教授團隊利用鈷磷合金研發出僅用一步即可制成電池電極的電化學腐蝕制備技術。
天津大學
2022-12-07
基于無機-有機雜化混合基質膜的速溶紅茶揮發性芳香物滲透汽化分離技術集成
成果簡介： 針對紅茶揮發性芳香組分復雜、分子量大、濃度低、易揮發等共性特征，制備高性能的無機-有機雜化混合基質滲透汽化膜，明確膜性能參數與過程應用性能之間的構效關系，發展面向應用的膜性能調控方法；結合過程參數優化，改善速溶紅茶揮發性芳香物的分離因子和通量，并最終形成速溶紅茶揮發性芳香物的滲透汽化膜回收技術體系，為速溶茶產品的香氣修復，提高產品風味品質奠定重
南京工業大學
2021-01-12
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13