葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

可以對用于電氣化鐵路（包括站場）帶電（及非帶電）絕緣子的水沖洗。該設備是鐵道部大力推廣普及的設備，近年會成為電經鐵路的必備設備。可以大大提高工作效率并節約“天窗”時間，具有巨大的推廣價值和市場潛力，并可產生十分明顯的經濟效益。

名稱 參數 型號 CMP-25(2-20)-45X2-CNG 外形尺寸(mm) 4500x2300x2650 適用場合 加氣子站 壓縮介質 天然氣 驅動型式 液壓活塞式 防爆等級 Ex dII BT4 壓縮級數 二級 進氣壓力（Mpa） 2—20.0 進氣溫度（℃） ＜45 最大排氣壓力（MPa） 27.5 排氣溫度(冷卻后)（℃） ≤最高環境溫度+10 排氣量（Nm³/h） ≧2400@10MPa 日供氣能力（Nm³/d） 20000 冷卻方式 風冷 潤滑方式 無油潤滑 壓縮氣含油量(mg/m³) 無油 傳動方式 電機驅動液壓油泵 電機功率（KW） 45x2 總功率（KW） 100 電機轉速(r.p.m) 1465 電機電壓（V） 380V/50Hz 噪音 ≤75dB 控制方式器 PLC+觸摸屏+軟啟動 安裝方式 撬裝式

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅動IC、不同電壓需求的高壓開關IC、D類功率放大器、電機驅動IC等的研制，滿足照明、工業控制、汽車電子、電機驅動、消費電子等領域的需求。具體包括： 硅基：（1）超低比導通電阻700V單晶型BCD工藝；（2）600V外延型BCD工藝；（3）1200V外延型BCD工藝；（4）48V高功率BCD工藝；（5）40V高壓雙極型工藝。 SOI基：（1）600V 厚層SOI BCD工藝；（2）650V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（3）300V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（4）200V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（5）100V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（6）40V薄層SOI高壓CDMOS工藝；（7）-200V SOI高壓CDMOS工藝；（8）-100V SOI高壓CDMOS工藝。

本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高壓集成技術，可用于700V AC-DC電源管理IC、600V/1200V高壓柵驅動IC、不同電壓需求的高壓開關IC、D類功率放大器、電機驅動IC等的研制，滿足照明、工業控制、汽車電子、電機驅動、消費電子等領域的需求。

北京大學物理學院現代光學所王劍威研究員與意大利羅馬大學Fabio Sciarrino教授、英國布里斯托爾大學Anthony Laing和Mark Thompson教授，受邀在國際著名刊物《自然-光子學》（Nature Photonics）上撰寫綜述文章，介紹“集成光量子技術”這一新興領域的基本科學原理和前沿進展。 量子技術利用量子物理基本原理，通過操控光或物質的量子疊加和量子糾纏等內稟屬性，其信息處理能力有望從根本上超越經典范疇的信息技術。集成光量子芯片技術是一門結合了量子物理、量子信息、集成光子學和微納制造等學科的前沿交叉技術，通過半導體微納加工制造，有望實現高性能且大規模集成的光量子器件和系統，達到對作為量子信息載體的單光子進行高效處理、計算和傳輸等功能。 國內外對集成光量子芯片技術的研究取得許多重要進展 2008年，國際上首次實現了基于二氧化硅平面光波導體系的量子受控糾纏門和量子干涉，開創了集成光量子芯片領域的先河。在過去十年間，國內外對集成光量子芯片技術的研究,取得了許多重要進展，目前已實現了片上光量子態的制備、量子操控以及單光子探測等核心功能，并且器件集成度和功能復雜度也都得到了大幅度提高。綜述總結了集成光量子芯片的主流材料體系、核心量子光學元器件，及其量子信息的前沿應用，包括量子密鑰分發和通信、物理和化學系統的量子模擬、量子玻色取樣、光量子信息處理和計算等。 集成光量子芯片的材料體系目前主要采用硅基絕緣體上、鈮酸鋰、激光直寫二氧化硅、氮化硅、氮化嫁、磷化銦等光波導材料。核心器件主要包括集成單光子源與糾纏光子源、可編程大規模集成光路、集成單光子探測器等，其中量子光源主要有非線性參量型量子光源和固態量子點型量子光源，而單光子探測主要通過超導納米線探測和過度邊緣感應傳感來實現。這些核心光量子集成器件的性能均取得了很大程度的提升。與此同時，集成光芯片平臺上也已經逐漸發展出一套可以將量子信息精確加載在單光子的路徑、偏振、時間、空間、頻率等不同自由度的方法，為該技術的發展提供了廣闊的便利性和多樣化。 集成光電子器件在經典通信系統中一直起著舉足輕重的作用，可以預期其也將在量子密鑰分發和量子通信中起到重要作用，特別是微小型、低成本、高性能的量子通信收發芯片的發展，將有助于進一步降低成本、提高可靠性，推進其實用化進程。目前，量子通信的幾種主要協議，包括制備-測量類的通信協議以及基于糾纏分布和量子隱形傳態類的協議等，已先后在硅基、磷化銦、氮化硅等光子芯片上得到實驗驗證。另外，全集成型量子真隨機數發生器也有很多實驗實現，并有望在不遠的將來提供微小型、高速和低成本的真隨機數發生器。 量子線路模型和基于測量的單向量子計算模型是實現通用量子計算的主流模型。光學量子計算的線路模型實現方案存在擴展性困難，但基于測量的光量子計算可以大大降低需要的物理資源，并可實現通用量子計算。在可編程的光量子芯片平臺上，目前已成功實驗驗證了Shor因數分解算法、Grover搜尋算法、優化算法等重要算法，并可在單一芯片實現多種復雜量子信息處理功能。近年來，片上制備并操控復雜量子態，包括高維量子態、多光子糾纏態、圖糾纏態等，均已在硅基和二氧化硅等平臺實現。值得一提的是，集成光量子芯片的高可編程性、高穩定性、高保真度，為通用量子計算的實現提供了基礎。 量子玻色取樣和量子模擬被認為是量子計算的短期實現目標和重要應用方向。觸發型玻色取樣和基于量子點光源的玻色取樣，被認為是實現具備“量子優勢”的玻色取樣量子計算的有效技術方案，有望超越經典計算機計算能力，其中前者已實現芯片上量子光源和線性網絡的全集成，而后者最近在中科大發布的一個論文預印本中報道了20光子60模式玻色取樣的重要突破。集成光量子芯片體系已實驗驗證了離散型和連續型的量子漫步功能，并可用于模擬復雜的物理和生物過程。同時，集成光量子模擬器也成功驗證了多種典型的量子模擬算法，有望有效地模擬化學分子動力學過程。

水是工業生產的主要媒介之一，在生產過程中既作為工藝介質，又作為輔助介質，因此應用十分廣泛，但由于以前水價偏低，致使企業不重視節水工作，不但用水量較大，同時還會產生大量的廢水，既增加了企業廢水處理的成本，又污染了環境。從2011年開始，國家又一次提高了污水的排放標準，與此同時，江蘇地區還重新修訂了工業企業的用水定額，對企業的用水與排水提出了更高的要求。針對于此，本課題組面向火力發電、鋼鐵、造紙、紡織印染、化學工業與石油化工等行業，在綜合企業現有水系統的基礎上，采用水夾點優化技術開發了集成節水技術，通過對水系統進行節水改造，通過提高水的重復利用率及廢水的深度處理與再生回用，可大大減少企業的新水用量和廢水排放量，降低企業的運行成本，減小環境治理的壓力。  本課題組可承接各種節水技術改造的工藝與設備設計、設備安裝調試等。

成果簡介隨著 LED 制造技術的發展， LED 應用已經從顯示設備的背光照明領域發展到了民用照明領域， 越來越多的 LED 已被應用在汽車、 路燈、 民用以及舞臺燈光等各種照明場合。 驅動電源性能是體現 LED 整體性能的關鍵， 保證 LED 驅動電源具有小巧、 長壽命、 高可靠性等優點是未來 LED 驅動電源的發展方向。本項目設計的是采用擁有自主知識產權的高性能功率變換器作為主電路， 將AC-DC 電源和驅動芯片的功能合二為一， 在實現功率因數校正的同時， 保證 LED

QFDesk是一個集成前處理、求解器、 后處理的基礎軟件平臺。QFDesk已經實現了專業軟件必備的功能模塊以及擴展所需的全部基礎模塊，為客戶實現專有計算軟件提供靈活、豐富的接口。我們將與客戶一起開發屬于客戶轉悠的功能模塊。由于所有的基礎模塊已經在QFDesk中實現，這使得擴展客戶專屬功能模塊的工作非常簡單和高效。用戶可以自由擴展內容包括：功能菜單的自定義、參數配置界面的初始化、求解器調用集成、配置文件讀寫、結果文件的可視化等。

“國家示范性高等職業院校”