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在人類發(fā)展的長(zhǎng)河中，細(xì)菌感染曾經(jīng)奪去無數(shù)人的生命。自從青 霉素問世以來，大量的抗菌藥物不斷涌現(xiàn)，在細(xì)菌感染疾病的治療中 發(fā)揮了極大的作用。但是由于抗菌藥物的不合理應(yīng)用，導(dǎo)致細(xì)菌耐藥 頻繁發(fā)生，甚至耐藥傾向性產(chǎn)生的速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出抗菌藥物的研發(fā)速 度。細(xì)菌耐藥性已經(jīng)成為全球嚴(yán)重的公共衛(wèi)生問題。特別是―超級(jí)細(xì) 菌‖的出現(xiàn)，使人類面臨無藥可用的窘境。因此除了規(guī)范抗菌藥物的 使用外，迫切需要開發(fā)具有新作用機(jī)制并且不受傳統(tǒng)耐藥機(jī)制

面向我國能源結(jié)構(gòu)調(diào)整的重大戰(zhàn)略需求，提出了利用二氧化碳高效開發(fā)頁巖氣的新理論與新方法，成功指導(dǎo)了我國首次陸相頁巖氣超臨界二氧化碳?jí)毫熏F(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了頁巖氣高效開發(fā)與二氧化碳地質(zhì)封存一體化的突破。

本發(fā)明公開了一種基于激光測(cè)距傳感器的便攜式二維隨動(dòng)激光 測(cè)量裝置，其包括水平移動(dòng)組件、豎直移動(dòng)組件和控制系統(tǒng)組件，水 平移動(dòng)組件包括水平移動(dòng)滑臺(tái)和驅(qū)動(dòng)其作水平運(yùn)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)，水平 移動(dòng)滑臺(tái)上安裝有水平光柵尺;豎直移動(dòng)組件包括豎直升降滑臺(tái)和激 光測(cè)距傳感器，豎直升降滑臺(tái)固定在水平移動(dòng)滑臺(tái)上，其由步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)作豎直運(yùn)動(dòng)，其上安裝有豎直光柵尺;激光測(cè)距傳感器固定在豎 直升降滑臺(tái)的運(yùn)動(dòng)端;控制系統(tǒng)組件用于控制水平移動(dòng)滑臺(tái)和豎直升 降滑臺(tái)的運(yùn)動(dòng)，并處理激光測(cè)距傳感器、水平光柵尺和豎直光柵尺反 饋的距離數(shù)據(jù)。

本發(fā)明公開了一種含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體及其制備方法。甲基丙烯酸羥乙酯經(jīng) N,N’-羰基二咪唑(CDI)活化后與胱胺反應(yīng)，得到一端雙鍵一端氨基的中間產(chǎn)物，繼續(xù)用 CDI 活化氨基， 再與金剛烷胺反應(yīng)得到含有雙硫鍵和金剛烷的甲基丙烯酸酯單體。該單體容易發(fā)生自由基聚合得到大分 子聚合物，也可以與其它的含有雙鍵的單體共聚得到功能性聚合物。所得到的聚合物含有雙硫鍵，在還 原劑存在的條件下能夠斷鏈降解，可用于制備氧化還原敏感功能高分子材料。

本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進(jìn)行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯

本發(fā)明公開了一種制備二元或三元含氟磺酰亞胺堿金屬鹽和由 這些二元或三元含氟磺酰亞胺的堿金屬鹽制備離子液體的方法，以及 這些堿金屬鹽、離子液體作為電解質(zhì)在碳基超級(jí)電容器、二次鋰（離 子）電池等中的應(yīng)用。本發(fā)明提供的制備二元或三元含氟磺酰亞胺堿 金屬鹽的方法操作步驟簡(jiǎn)短，產(chǎn)物易分離提純，其產(chǎn)物的產(chǎn)率和純度 都很高；本發(fā)明提供的二元或三元含氟磺酰亞胺鋰的熱穩(wěn)定性和耐水 解性好，其非水電解液具有較高的電導(dǎo)率和鋰離子遷移數(shù)，同

本發(fā)明公開了一種1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇的不對(duì)稱合成方法，包括以下步驟：（A）3,5-二氯吡啶（I）在胺基鋰的作用下與乙醛反應(yīng)生成（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）；（B）（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）在氧化劑的作用下生成1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮（III）；（C）1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮在手性配體存在下與硼烷試劑反應(yīng)，制得單一光學(xué)異構(gòu)體的1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（IV）。該法較傳統(tǒng)手性柱分離（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇相比，優(yōu)點(diǎn)突出：（1）反應(yīng)簡(jiǎn)單，易于操作，總收率高，光學(xué)純度大于98%；（2）工業(yè)制備周期明顯縮短，設(shè)備要求低；（3）制備成本低，是適合工業(yè)生產(chǎn)的方法。

山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)通過自主設(shè)計(jì)的“微爆炸法”獲得了無氧化MXene-Ti3C2Tx量子點(diǎn)，首次提出可將此類二維結(jié)構(gòu)鈦基晶體材料用于腫瘤治療，并與劉宏教授團(tuán)隊(duì)合作發(fā)現(xiàn)其具有較強(qiáng)的類芬頓反應(yīng)特性，在抗腫瘤實(shí)驗(yàn)中效果顯著，從而實(shí)現(xiàn)了更高效、更安全的納米催化治療方式。相關(guān)結(jié)果以“Nonoxidized MXene Quantum Dots Prepared by Microexplosion Method for Cancer Catalytic Therapy”為題，發(fā)表在材料類權(quán)威期刊Advanced Functional Materials（IF=15.621）上，陶緒堂教授和劉宏教授為通訊作者，晶體所博士研究生李雪松和劉鋒為共同第一作者，山東大學(xué)為獨(dú)立完成單位。 對(duì)于腫瘤治療，傳統(tǒng)的化學(xué)、物理療法都存在嚴(yán)重的副作用，限制了其在實(shí)際臨床治療中的應(yīng)用。最近，基于特殊的腫瘤微環(huán)境，利用腫瘤內(nèi)部催化反應(yīng)的納米催化治療成為前沿且備受關(guān)注。其中，研究最為廣泛的鐵基納米催化劑可特異性響應(yīng)腫瘤的弱酸性細(xì)胞微環(huán)境，釋放Fe2+并引發(fā)芬頓反應(yīng)，產(chǎn)生?OH自由基以觸發(fā)細(xì)胞凋亡，從而抑制腫瘤。然而，在弱酸性腫瘤環(huán)境中，F(xiàn)e2+催化的芬頓反應(yīng)速率較低，導(dǎo)致?OH自由基形成緩慢。此外，眾多抗腫瘤復(fù)合納米制劑的潛在毒性值得關(guān)注。因此，尋找更高催化活性和更安全的納米制劑是人們一直追求的目標(biāo)。晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授團(tuán)隊(duì)與劉宏教授團(tuán)隊(duì)合作發(fā)現(xiàn)所制備的鈦基無氧化MXene-Ti3C2Tx量子點(diǎn)具有較強(qiáng)的類芬頓反應(yīng)特性，其對(duì)正常細(xì)胞和組織器官均表現(xiàn)良好的生物相容性，并對(duì)宮頸癌和乳腺癌均有強(qiáng)烈的殺傷能力，體現(xiàn)出優(yōu)異的抗腫瘤效果。這種以鈦基類芬頓反應(yīng)為基礎(chǔ)的腫瘤治療方式潛力巨大，為實(shí)現(xiàn)腫瘤的高效、精準(zhǔn)治療提供了一條新的探索途徑。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????