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大尺寸寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)
在大尺寸寬禁帶/半導(dǎo)體單晶襯底外延設(shè)備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內(nèi)第一臺(tái)用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統(tǒng)，研究發(fā)展了獲得高質(zhì)量GaN襯底所需的所有關(guān)鍵技術(shù)并擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在氮化鎵單晶襯底設(shè)備和材料技術(shù)領(lǐng)域已獲授權(quán)國家發(fā)明專利30余項(xiàng)、申請(qǐng)國家發(fā)明專利30余項(xiàng)。在國內(nèi)最早研制出2英寸毫米級(jí)GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統(tǒng)并實(shí)現(xiàn)7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創(chuàng)新性的GaN襯底批量制備技術(shù)，即將進(jìn)行高質(zhì)量、低成本GaN襯底的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，為第三代半導(dǎo)體應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。
南京大學(xué)
2021-05-10
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一種適應(yīng)急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法
本發(fā)明公開了一種適應(yīng)急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法，該裝置包括裝置主體(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述裝置主體(1)為一根直徑15cm硬質(zhì)pvc管，長度30cm，管上端3cm處設(shè)置隔板(3)，將管分為地上部分(2)和地下部分(4)。本發(fā)明具有種子萌發(fā)率高、成本低廉、操作簡單的特點(diǎn)，適合推廣應(yīng)用。
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-04-11
一種基于超構(gòu)透鏡陣列的大視場(chǎng)集成顯微成像裝置
發(fā)明(設(shè)計(jì))人：李濤, 徐貝貝, 祝世寧。本發(fā)明涉及一種基于超構(gòu)透鏡陣列的大視場(chǎng)集成顯微成像裝置。該裝置包括：光源、超構(gòu)透鏡陣列、線偏振片和圖像傳感器；所述線偏振片固定于所述光源的后方，且所述線偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超構(gòu)透鏡陣列固定于所述線偏振片的后方，且所述超構(gòu)透鏡陣列位于所述線偏振片的出射光路上；待成像物體位于所述線偏振片和所述超構(gòu)透鏡陣列之間；所述圖像傳感器位于所述超構(gòu)透鏡陣列的后方；所述超構(gòu)透鏡陣列中包括周期性排布的多個(gè)超構(gòu)透鏡。本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)在不犧牲分辨率不增加工作距離的條件下，擴(kuò)大成像視場(chǎng)。
南京大學(xué)
2021-04-10
2021年度“中國地理科學(xué)十大研究進(jìn)展”發(fā)布
中國地理學(xué)會(huì)于2022年1月啟動(dòng)了2021年度“中國地理科學(xué)十大研究進(jìn)展”遴選工作。經(jīng)中國地理學(xué)會(huì)會(huì)士和本會(huì)所屬各分支機(jī)構(gòu)推薦，以及2021年度“中國地理科學(xué)十大研究進(jìn)展”遴選專家組評(píng)審，并經(jīng)過中國地理學(xué)會(huì)十二屆十一次常務(wù)理事會(huì)議審議批準(zhǔn)，確定“國產(chǎn)地理建模與模擬軟件平臺(tái)”等十項(xiàng)成果入選2021年度“中國地理科學(xué)十大研究進(jìn)展”。
中國地理學(xué)會(huì)
2022-06-08
團(tuán)中央發(fā)布2023年大學(xué)生創(chuàng)業(yè)幫扶計(jì)劃工作指引
把促進(jìn)青年特別是高校畢業(yè)生就業(yè)工作擺在更加突出的位置”的重要要求，共青團(tuán)中央將在2023年繼續(xù)實(shí)施“共青團(tuán)促進(jìn)大學(xué)生就業(yè)行動(dòng)。
創(chuàng)青春
2023-01-31
2023年抓好促進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化運(yùn)用等7大重點(diǎn)工作！
全國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局局長會(huì)議召開
國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局政務(wù)微信
2023-01-10
復(fù)旦大學(xué)魏大程團(tuán)隊(duì)提出“分子機(jī)電系統(tǒng)”，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)生物檢測(cè)
魏大程課題組長期致力于研究新型晶體管材料、器件及其在生物、化學(xué)和光電傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。他們提出的“分子機(jī)電系統(tǒng)”(MolEMS)，即一種通過DNA分子自組裝而成，通過外電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，能精準(zhǔn)調(diào)控分子識(shí)別和信號(hào)轉(zhuǎn)化過程的微型裝置。
復(fù)旦大學(xué)
2022-02-11
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一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發(fā)明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設(shè)置 腐蝕穩(wěn)壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機(jī)配 合實(shí)現(xiàn)對(duì)腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數(shù)的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發(fā)明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優(yōu)點(diǎn)， 并通過對(duì)腐蝕電
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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Φ1500 大尺寸超精密非球面車復(fù)合加工機(jī)床及應(yīng)用工藝
激光核聚變裝置、衛(wèi)星用光學(xué)系統(tǒng)、大型天文望遠(yuǎn)鏡等國家重大工程及國防尖端技術(shù)對(duì)高精度大口徑光學(xué)非球面元件（Φ400mm以上）有極大的需求。該類元件屬于硬脆性難加工材料，對(duì)非球面表面加工精度的要求也相當(dāng)高，當(dāng)前國內(nèi)精密超精密加工技術(shù)及裝備與國外相比仍然存在階段性差距，技術(shù)整體水平落后于發(fā)達(dá)工業(yè)國家。 針對(duì)國家對(duì)高精度大口徑非球面光學(xué)元件的重大需求，西安交通大學(xué)聯(lián)合國內(nèi)超精密加工領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)單位秦川機(jī)床、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京空間機(jī)電研究所、廈門大學(xué)和蘇州大學(xué)，首次采用階梯梁結(jié)構(gòu)成功研制出了國內(nèi)首臺(tái)1500mm非球面超精密車磨復(fù)合加工機(jī)床，實(shí)現(xiàn)了典型加工件（Φ400mm以上）的面型精度優(yōu)于5μm（PV），粗糙度小于10nm（RMS），同時(shí)研制出了1500mm大尺寸工件等應(yīng)力支撐夾具和高精度工作轉(zhuǎn)臺(tái)（軸跳和徑跳均為0.3μm），開發(fā)了測(cè)量范圍可達(dá)1000mm的大尺寸非球面測(cè)量裝置，重復(fù)測(cè)量精度1μm。
西安交通大學(xué)
2021-04-11
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大容量碳化硅電力電子產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
已有樣品/n在微電子所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司國內(nèi)首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務(wù)、動(dòng)力、工藝、測(cè)試條件均已完備，可實(shí)現(xiàn)4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。與其他半導(dǎo)體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，以及高熱導(dǎo)率等優(yōu)異物理特點(diǎn)，是新一代半導(dǎo)體電力電子器件領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢(shì)。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12