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中國(guó)是凹凸棒石粘土礦的資源大國(guó)，但是由于成礦條件的苛刻，天然凹凸棒石粘土存在著一定的礦物學(xué)局限性。比如氣候條件、地質(zhì)環(huán)境與礦床成分的不同，都會(huì)影響凹凸棒石粘土的形成、晶體發(fā)育、元素組成等，所以，含量較高、單晶體發(fā)育良好的礦床很少，極大部 分的天然凹凸棒石粘土礦物中凹凸棒石粘土的含量都低于 50%，通常，在凹凸棒石粘土礦物開采之后，都要對(duì)其進(jìn)行提純處理，將其中的伴生礦物與之分離，同時(shí)，在提純過(guò)程中減小礦物粒徑，提高分散性， 使包含于凹凸棒石粘土聚集體中以及晶體束中間的雜質(zhì)去除，獲得均勻、完整的凹凸棒石

安徽青軟晶芒微電子科技有限公司，位于安徽省合肥市國(guó)家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)面向集成電路人才培養(yǎng)的實(shí)體企業(yè)，青軟晶芒攜手擁有5000顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路產(chǎn)教融合和設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)——青軟晶尊微電子，共同打造面向國(guó)內(nèi)提供集成電路領(lǐng)域產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。 青軟晶芒致力于打造集成電路人才培養(yǎng)新模式，通過(guò)集成電路產(chǎn)業(yè)學(xué)院共建/專業(yè)共建，產(chǎn)教融合平臺(tái)共建，集成電路大賽，師資培共建，實(shí)驗(yàn)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)訓(xùn)，工信部培訓(xùn)認(rèn)證，新工科優(yōu)訓(xùn)營(yíng)，課程改革等多種合作模式，推動(dòng)集成電路教育與產(chǎn)業(yè)的無(wú)縫銜接，為客戶創(chuàng)造價(jià)值。 青軟晶芒擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)集成電路設(shè)計(jì)專利證書，軟件著作權(quán)等十余項(xiàng)，愿通過(guò)校企合作和院校一起為集成電路人才培養(yǎng)做出貢獻(xiàn)。

青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國(guó)內(nèi)面向集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長(zhǎng)三角經(jīng)濟(jì)帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國(guó)內(nèi)一流的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時(shí)借助臺(tái)灣業(yè)務(wù)平臺(tái)，開拓國(guó)際業(yè)務(wù)，積極部署國(guó)際化發(fā)展戰(zhàn)略。 青軟晶尊集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)始于1996年，為國(guó)內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，向客戶提供高速DDR存儲(chǔ)類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動(dòng)、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計(jì)服務(wù)。為客戶累計(jì)完成5000余顆芯片的設(shè)計(jì)。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計(jì)服務(wù)能力，在美國(guó)、日本、臺(tái)灣及國(guó)內(nèi)積累了長(zhǎng)期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過(guò)國(guó)際DNV信息安全風(fēng)險(xiǎn)管理體系認(rèn)證。

霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來(lái)被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點(diǎn)在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過(guò)程。其基本特點(diǎn)是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進(jìn)的過(guò)程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國(guó)際上迄今報(bào)導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測(cè)試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過(guò)冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國(guó)發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟(jì)山，陳國(guó)良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號(hào)：ZL200510086239.6。“高熔點(diǎn)高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國(guó)有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過(guò)85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測(cè)量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。

成功開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過(guò)搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo) 電。淺色導(dǎo)電晶須的開發(fā)研究對(duì)白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)，葛 明橋教授團(tuán)隊(duì)開發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測(cè)達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國(guó)內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，可提高白色導(dǎo) 電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 2 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達(dá)到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過(guò)濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，315 該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過(guò)熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié) 構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 3 知識(shí)產(chǎn)權(quán)及項(xiàng)目獲獎(jiǎng)情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請(qǐng)專利 6 項(xiàng) 4 項(xiàng)目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 5 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。

本發(fā)明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對(duì) 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對(duì)非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過(guò)冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時(shí)使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動(dòng) 過(guò)冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實(shí)現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過(guò)對(duì)熱塑性成形過(guò)程中的加熱方式、成形驅(qū)動(dòng)方式

本發(fā)明公開了一種非晶基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結(jié)構(gòu)；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對(duì)層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時(shí)對(duì)其實(shí)施 超聲振動(dòng)，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過(guò)程中不會(huì)發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復(fù)合材料。本發(fā)明還公