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一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法
本發(fā)明為一種常溫條件下大批量制備疏水性碳量子點的方法，公開了一種可在室溫、常壓條件下，大規(guī)模制備疏水性碳量子點的方法。此方法以烷基吡啶鹽為碳源和保護劑，在其溶液中加入強堿，常溫常壓條件下靜置，即可生成具有綠色熒光的疏水性碳量子點。整個制備過程在室溫及常壓條件下完成，操作簡單，成本低，且具有較高的產(chǎn)率，可用于大規(guī)模合成疏水性碳量子點。制備的碳量子點具有低毒、較強的熒光和較高的光穩(wěn)定性，因此在制備熒光油漆、熒光涂料及熒光纖維生產(chǎn)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
四川大學(xué)
2016-09-12
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可任意尋址操縱的超導(dǎo)量子計算機芯片設(shè)計及可行性論證
本項目提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。
一、項目分類
重大科學(xué)前沿創(chuàng)新
二、成果簡介
提出一種基于數(shù)據(jù)總線工作模式可切換的超導(dǎo)量子計算機芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(發(fā)表于國際一流期刊PRB，2005)，相比于美國Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超導(dǎo)量子計算機芯片而言，具有更強的糾錯和避錯品質(zhì)，更易于實現(xiàn)大規(guī)模陣列集成。技術(shù)上已經(jīng)實現(xiàn)了全國產(chǎn)設(shè)備工藝線上，芯片電路單元核心器件-約瑟夫森結(jié)和共面波導(dǎo)超導(dǎo)諧振器的自行設(shè)計制造，在極低溫環(huán)境下完成了單元器件性能的標定和檢驗。
西南交通大學(xué)
2022-09-13
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發(fā)現(xiàn)全無機鹵化物鈣鈦礦CsPbBr3量子點具有出色的鐵電性
合成了立方相CsPbBr3量子點，屬于空間群，其結(jié)構(gòu)中心對稱，不具有鐵電性。當(dāng)溫度降低到低于263 K時，量子點發(fā)生相轉(zhuǎn)變。該相轉(zhuǎn)變是可逆的，升高溫度超過298 K時，重新轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎较唷Ｍㄟ^X-射線衍射圖譜精修和高分辨透射電鏡分析發(fā)現(xiàn)，低溫處理使鈣鈦礦由立方相轉(zhuǎn)變?yōu)榉侵行膶ΨQ的正交相，屬于Pna21空間群。結(jié)構(gòu)分析表明，正交相CsPbBr3中，[PbBr6]4-八面體發(fā)生畸變，Cs+偏離中心位置，使得正電荷和負電荷的中心不重合，預(yù)
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點，同時摻雜硅量子點與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
量子谷Berry Phase的拓撲聲子態(tài)在二維六角晶格材料
徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓撲聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓撲材料的分類越來越豐富和多樣化。到目前為止，拓撲材料的研究主要集中在費米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進一步發(fā)展，拓撲的玻色子系統(tǒng)也越來越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓撲現(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓撲聲子的研究相對緩慢。理論研究表明，拓撲聲子對研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓撲聲子熱器件等具有重要作用。因此，在現(xiàn)實材料中尋找拓撲聲子態(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動力學(xué)計算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓撲邊緣態(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對進一步研究拓撲聲子態(tài)以及其實際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓撲材料的理論預(yù)測和設(shè)計方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料 RbIO2F2 及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料，其化學(xué)式為 RbIO2F2，上述材料的晶體空間群為 Pca21，晶胞參數(shù)為 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本發(fā)明 還提供了上述晶體材料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學(xué)晶體材料具有較強的能相位 匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)，Kurtz 粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)為磷酸二氫鉀(KDP)的 4&n
武漢大學(xué)
2021-04-14
一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料 KBi4F13 及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種中紅外非線性光學(xué)晶體材料，其化學(xué)式為 KBi4F13，上述材料的晶體空間群為 I-4， 晶胞參數(shù)為 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本發(fā)明還提供了上述晶體材 料的水熱法制備方法，本發(fā)明制得的中紅外非線性光學(xué)晶體材料具有能相位匹配的倍頻效應(yīng)(SHG)， Kurtz 粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)與磷酸二氫鉀(KDP)相當(dāng);粉末的激光傷閾值為 120MW/c
武漢大學(xué)
2021-04-14
OM-8F氙燈耐氣候試驗箱/氙燈耐氣候箱/氙燈耐氣候?qū)嶒灆C
產(chǎn)品詳細介紹
歐美奧蘭儀器有限公司
2021-08-23
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一種基于菌毛多樣性的尿路感染大腸桿菌的分型方法
本發(fā)明提出了一種基于菌毛多樣性的尿路感染大腸桿菌的分型方法，該方法可對尿路感染大腸桿菌進行精細分型，從而對感染菌株的耐藥性和毒性進行判斷，可為尿道感染的精準診斷與治療提供參考依據(jù)。
天津醫(yī)科大學(xué)
2021-02-01
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一種制備高亮度白光發(fā)射的錳摻雜鈣鈦礦量子點的方法
本發(fā)明公開了一種制備高亮度白光發(fā)射的錳摻雜鈣鈦礦量子點的方法，該量子點為Ｍｎ：ＣｓＰｂ２（Ｂｒ／Ｃｌ）５。其制備方法包括如下步驟：（１）分別將ＰｂＢｒ２、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ３Ｂｒ、ＭｎＣｌ２·４Ｈ２Ｏ以及ＣｓＢｒ溶于Ｎ，Ｎ?二甲基甲酰胺（ＤＭＦ）中制成反應(yīng)物的前驅(qū)體溶液；（２）將前驅(qū)體溶液依次轉(zhuǎn)移至攪拌的甲苯中，轉(zhuǎn)換方式為以速率２０～６０滴／分鐘進行滴加，形成量子點材料。本發(fā)明無需使用復(fù)雜的熱力學(xué)過程控制誘導(dǎo)Ｍｎ的摻雜，反應(yīng)條件溫和，過程簡單，操作方便，且前驅(qū)體溶液穩(wěn)定性好，可重復(fù)多次使用，適用于工業(yè)推廣。
東南大學(xué)
2021-04-11