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       芯片功率器件測試平臺，以工程教育專業認證為引領參與高校專業建設，以信息化引領構建學習者為中心的教育生態，培養集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現實的產業環境，支撐集成電路相關課程的教學與實訓，且能進行項目開發和師資培訓。

基本原理：層析三維數字化儀的基本原理在本質上不同于傳統的逆工程三維測量技術，它把被測物體用專門的填充劑充滿其內外所有細節結構，再用真空和高壓裝置把被測物體制作成測量模塊；對該測量模塊進行逐層切削和掃描測量；對所有的被測斷面進行圖像處理，同時精確提取內外輪廓的邊緣數據；再通過工作站進行三維CAD重建被測物體的實體模型，在三維CAD實體模型的基礎上直接進行激光

本發明涉及一種可拆洗管間組合式壓力補償灌水器，包括灌水器主體、壓力補償式薄膜、出水環腔和活動螺管；在灌水器主體的一端設置固定螺管，在灌水器主體的另一端通過螺紋連接活動螺管；在位于固定螺管和活動螺管之間的灌水器主體的外壁上布置有第一迷宮流道，第一迷宮流道的始末為與灌水器主體的內部相通的進水口；出水環腔設置在位于固定螺管和活動螺管之間的灌水器主體的外部；壓力補償式薄膜環設在出水環腔與灌水器主體之間且兩端限位于固定螺管和活動螺管；在出水環腔的內壁上設置第二迷宮流道，第二迷宮流道的末端為與出水環腔的外部相通的出水口；在壓力補償式薄膜上設置有連通第一迷宮流道與第二迷宮流道的薄膜過流孔。

本實用新型公開了一種無線電磁自適應清管器及其定位系統，屬于清管器無線電磁自適應定位領域，包括清管器、管道內電磁波發射裝置、管道外傳感器接收裝置，清管器內部安裝有管道內電磁波發射裝置；所述管道外傳感器接收裝置包括有傳感器，傳感器為六個，且六個傳感器在三個坐標方向上采用對稱結構、均勻分布。可實現清管器的自適應三位定位測量跟蹤并且定位的精度較高。

本發明涉及一種多層落管式降膜脫揮反應器，主要包括外塔和多個塔芯。其中，外塔由塔頂、塔體與塔底組成，而安裝在外塔內部的多個塔芯從上到下依次布置；塔芯由塔板與多個并行排列的降膜落管組成，降膜落管是由中空管和固定在中空管外側壁上的多個開口朝下的傘裙狀落套組成；中空管相互連接，其內部通有熱介質，并由換熱管路連接。相比于傳統反應器，本發明結構簡單，具有很大的氣液界面，在膜表面產生拉伸作用，表面更新速率快；流量大，停留時間可控；結構簡單，無外加動設備；反應能耗低，傳熱效率快。

?  成果簡介：采用金屬波紋管作為執行元件，金屬波紋管安裝在載物臺上，將輸入壓力變為位移的線性輸出；載物臺安裝在氣浮導軌上，氣浮導軌通過外部輸入的壓力氣體在氣浮導軌定子和動子之間形成一層氣膜，從而形成了一個潤滑層，使得氣浮導軌動子可以無摩擦運行，從而使氣動伺服執行器獲得較高的運動精度和定位精度。?  項目來源：自行開發?  技術領域：先進制造技術?  應用范圍：采用氣壓驅動的高速

XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數字標識） ? XM-855A帶數字標識螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構，模型的內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣處的斷面，可見其中的骨質，表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內含多數血管，由側面看可見前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見它由上面的間皮，中間的結締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質：PVC材料

本項目屬光、機、電、材一體化技術領域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結構簡單、能將電能直接轉換為激光能、功率轉換效率高、便于直接調制、省電等優點，因此應用領域日益擴大。半導體激光技術已成為一種具有巨大吸引力的新興技術并在工業中得到了廣泛的應用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術中最具發展潛力的領域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術進行了研究，整個封裝技術涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術，小型化、全金屬化無膠封裝技術，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統的元件數和相關損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩定性。項目組通過采用這些技術，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術。 經國家光學儀器質量監督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關企業開展產學研合作，經過近五年的技術研發和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關鍵技術研究成果已成功應用于相關產品的批量生產，為企業創造了較好的經濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業技術進步和產業結構優化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現自動化技術。因此，小型化泵浦激光器封裝技術的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術基礎好的環境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術的研究，實現了封裝技術的源頭性創新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術在光電子器件的應用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應用前景，將成為形成光電子器件封裝技術產業的重要技術支撐。

本發明公開了一種模塊化多電平換流器功率運行區間的獲取方 法，包括下述步驟：(1)根據已知的模塊化多電平換流器的基本參數， 建立旋轉坐標系下模塊化多電平換流器的穩態數學解析模型；(2)確定 要考慮的運行約束條件；(3)根據穩態數學解析模型計算各約束條件下 功率運行區間；(4)將各約束條件下的功率運行區間取交集，獲得考慮 多重運行約束條件下模塊化多電平換流器的功率運行區間。本發明考 慮的運行約束條件，通過建立一套旋轉坐標系下模塊化多電平換流器 的穩態數學解析模型，并通過取交集得到考慮多重約束條件下的功率