葡京娱乐场-富盈娱乐场开户_百家乐试玩_sz全讯网网址xb112 (中国)·官方网站

成果描述：本發明公開了一種近實時地震震源位置定位方法，包括以下步驟：地震發生后，讀取最先得到P波到時的三個臺站編號和地理坐標，識別P波到時，兩兩求出到時差，對地震臺站的經緯度坐標數據進行投影變換轉換成平面直角坐標；對于任意兩個臺站，畫出滿足到時差的雙曲線，震中靠近先到臺站的一支上，三支雙曲線兩兩相交；根據交點坐標構成的三角形，計算三角形重心，該重心的坐標即為震中位置初值；進一步修訂震源位置；對觀測方程和指標函數進行“減元”處理；求偏導數，直到滿足要求為止；將最后計算結果換算成地理坐標，此坐標即為最終結果。本發明通過排除震中方位角和震級估算的誤差，提高了地震定位精度和定位速度。市場前景分析：軌道交通、地質災害工程領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

成果描述：本發明公開了一種用于地震預警系統的實時地震震級估計方法，利用地震矩求出的矩震級，即：檢測到信號后每1秒估算出相對應的矩震級，隨著時間增長至20s左右得出與實際震級非常接近的估計震級。本發明利用地震矩從而求出的矩震級能有效克服中大型地震(M>6)中出現的震級飽和問題，而且地震矩與地震動中零頻時的振幅Ω0有明確聯系，具有明確的物理意義。本發明方法具有實時性，檢測到信號后每間隔1s均能估算出相對應的矩震級，隨著時間增長至20s左右就能得出與實際震級非常接近的估計震級，能有效應用于地震預警系統。市場前景分析：軌道交通、地質災害工程領域。與同類成果相比的優勢分析：技術先進，性價比較高。

東南大學化學化工學院青年教師陳旭漫博士在國際頂級期刊《Angewandte Chemie（德國應用化學）》上發表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學術論文。光捕獲過程作為將自然光進行捕獲、能量轉化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個也是十分重要的過程。構筑人工光捕獲體系對于光能的利用具有重要意義，但目前構筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰。東南大學研究團隊利用“杯芳烴誘導聚集”策略，設計合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍作為熒光受體分子，成功構筑了近紅外發射的超分子人工光捕獲體系。

1.本成果突破了1項關鍵技術（近閾值集成電路設計技術體系）、2項關鍵指標領先（工作電壓最低、處理能效最高）、實現了3類應用（近閾值單元庫、低功耗芯片、定制流程），解決了我國物聯網芯片，低功耗近閾值設計關鍵技術不再受制于人。 2.近閾值技術已經應用于國內多家集成電路企業，新增產值6.3億元，新增利潤1.7億元。標準單元庫電源電壓從1.1V降低到0.6V，讀寫能耗降低了80%。大幅度提成了國產工藝在物聯網芯片方面的競爭力。 3.該成果在保證良率的前提下，降低電源電壓至閾值電壓附近。在國內首次系統性研究低電壓（近閾值）集成電路設計方法，突破了低電壓片上靜態存儲器、同步電路的彈性設計方法、模擬/射頻低功耗主從結構等三項關鍵技術，研制的40nm 0.6V低電壓標準單元和存儲器獲得中芯國際的任何，研制的0.6V 6mW低電壓導航芯片獲得國內領先移動互聯芯片設計企業-珠海全志的認可。 4.本成果應用效果顯著：1）江蘇東大集成電路系統工程技術有限公司整體應用本項目技術，以低功耗核心技術提升物聯網終端產品競爭力，研制并規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網終端產品競爭力，研制并且規模量產65nm低功耗系統芯片，開發工業級物聯網移動終端7系列共474580臺，近兩年新增銷售額45976萬元，新增利潤13793元，在國內物流快遞領域應用于順豐等行業領軍企業，取代國外競爭對手優勢地位。2)深圳市國微電子采用本項目技術，研發國內最大容量低功耗軍用存儲芯片，近兩年新增銷售額5000萬元。

本發明公開了一種用于地震預警系統的實時地震震級估計方法，利用地震矩求出的矩震級，即：檢測到信號后每1秒估算出相對應的矩震級，隨著時間增長至20s左右得出與實際震級非常接近的估計震級。本發明利用地震矩從而求出的矩震級能有效克服中大型地震(M>6)中出現的震級飽和問題，而且地震矩與地震動中零頻時的振幅Ω0有明確聯系，具有明確的物理意義。本發明方法具有實時性，檢測到信號后每間隔1s均能估算出相對應的矩震級，隨著時間增長至20s左右就能得出與實際震級非常接近的估計震級，能有效應用于地震預警系統。

本發明提供了一種卟啉化合物及其制備方法和用途，以及以卟啉化合物為活性成分的藥物組合物。該卟啉化合物結構新穎，結構可調，可以在多個位點進行衍生和修飾，實現生物相容性修飾和功能的改變；該卟啉化合物吸收波長處于近紅外區域，可以實現較深的組織穿透深度，具備良好光動力治療活性。

含芯棒和無芯棒的旋鍛工藝參數優化、缺陷預防以及產品設計。

項目簡介 本項目基于生命科學、信息科學和工程科學的多學科交叉的研究，采用近紅外光譜 分析技術，具有不需要對分析樣品進行前處理；分析過程中不消耗其它材料或破壞樣品， 分析重現性好、成本低等特點，可應用于食品、農產品流通現場檢測和加工過程中在線 分析。 產品性能、指標 1) 儀器小巧緊湊,攜帶方便；通過 USB 數據線與電腦連接或通過安卓手機藍牙無線傳 輸，均可進行檢測； 2) 采用不同的檢測模

電，是現代文明之光。今天，人類對電能的依賴不亞于水和空氣，電力傳輸正如我們的交通，為人類社會提供了持續的能源供給。特高壓輸電是電力傳輸的“高速公路”，經過多年的努力，在解決了眾多技術難題后我國的特高壓輸電技術已處于世界領先的地位。 外絕緣設備是保證電力傳輸安全穩定不可缺少的重要組成部分，其中，絕緣子是最重要的一類外絕緣設備，目前廣泛應用的絕緣子主要有瓷質、玻璃和復合絕緣子三類。由于出色的憎水性和憎水遷移特性，以及由此獲得的優異耐污閃性能，以硅橡膠作為傘裙材料的復合絕緣子在我國電網中使用廣泛，據不完全統計，目前全國掛網運行的復合絕緣子已超過800萬支。 然而，由于造型工藝簡單，復合絕緣子的生產制造廠家可以根據需求調整模具在相同的絕緣高度或爬電距離的要求下制造出多種具有不同傘形結構的產品。項目組前期的研究發現，具有不同傘形結構的復合絕緣子（包括懸式和支柱）將具有不同的外絕緣性能（污閃和雨閃性能）。因此，通過某種手段進行傘形結構的優化和選型，不但可以提升外絕緣設備的性能，保障電力供給的安全性，還可以通過節約原材料或絕緣距離有效提升工程設計和運行維護的經濟性。 項目組與中國南方電網有限責任公司、清華大學具有長期的深度合作，本項目的試驗研究均是在由上述兩家單位合作共建的特高壓工程技術（昆明、廣州）國家工程實驗室完成的。首先根據特高壓輸變電工程對于絕緣水平的要求，設計了三十余種具有不同傘裙結構參數的復合絕緣子試品；其次，復合絕緣子的生產制造廠家根據設計結果進行試品研制；第三，以試品為研究對象在實驗室內開展一系列的大量實驗研究，獲得關鍵實驗數據（閃絡電壓值），并采用多種方法對數據進行分析；最后，通過對比能夠反映產品外絕緣性能的實驗結果選出綜合性能優異的試品，并以其傘裙結構參數作為優化設計的結果。 成果應用：烏東德電站送電廣東廣西特高壓多端直流示范工程（簡稱昆柳龍直流工程）是國家特高壓多端直流示范工程，也是國家西電東送部署、推動構建清潔低碳安全高效能源體系的世界級輸電工程。該工程采用混合直流輸電方式，直流額定輸電容量8000MW，額定電壓為±800kV，工程起點位于云南省昆明市祿勸縣昆北換流站，直流落點分別為廣西柳州市鹿寨縣柳北換流站和廣東省惠州市龍門縣龍門換流站，線路長度約1452km。項目組成員參與了“換流站站址污穢調查和預測以及外絕緣研究”工程前期專題研究，同時根據在特高壓工程技術（昆明）國家工程實驗室的實驗結果，給出了工程三個昆北、柳北和龍門換流站直流設備的外絕緣配置要求，并將傘裙優化結果直接應用于上述三個換流站直流設備的外絕緣設計中。

半導體激光器由于體積小、效率高、結構簡單、便于調諧等優點，在工業、軍事、科研以及家電等領域發揮越來越重大作用，已成為重要的基礎器件。 項目研制和開發了半導體激光器系列產品，主要包括: 1、可調諧外腔半導體激光器 激光器二極管(LD)發出的光經準直透鏡后平行入射到外腔閃耀光柵上，經光柵分光得到一級衍射光和零級光。一級衍射光反饋回外腔與有源區光場相互作 用，實現壓窄線寬、降低噪聲目的;零級光經聚焦透鏡后作為輸出光，調整光柵 的角度可實現波長的調諧。產品覆蓋從 762 到 795 納米(nm)各種波長，輸出功 率 50~100 毫瓦(mW)，線寬<500 kHz，可用于工業測量、光通信、光信息處理、 激光光譜學等。2、外腔半導體激光器穩頻系統通過調制激光器的外腔、激光管的注入電流等得到激光光譜信號，處理后得 到參考譜線中心頻率兩側極性相反的穩頻誤差控制信號，將激光頻率鎖定在參考 譜線中心附近。激光穩頻在精密干涉測量、光頻標、光通信、激光陀螺及其精密光譜研究等 領域中有廣泛應用。產品可實現三種激光穩頻，將線寬限制在 100kHz 左右。主 要有:(1)飽和吸收鎖——鎖峰: 產品精度高且易于操作。利用飽和吸收峰將激光 器精確鎖在某一固定頻率上。(2)FP 腔鎖——鎖峰:產品使用非常方便。通過改變 FP 腔的腔長實現一定 范圍的波長掃描。(3)PID 電路鎖——鎖邊:產品簡單易用，用于對精度要求不高的鎖頻應用。 3、外腔半導體激光放大器 放大器可對入射激光進行放大，同時保持注入光的偏振、線寬和波長等物理特性不變。產品輸入光功率 10 mW~50 mW, 放大倍數 13dB, 輸出功率 500mW~ 1000mW,增益帶寬 30nm。