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XM-855A螺旋器及膜性蝸管模型（帶數字標識） ? XM-855A帶數字標識螺旋器及膜性蝸管模型放大350倍，可拆分為5部件，顯示螺旋器及膜性蝸管三壁的立體微細結構，模型的內側端為骨性螺旋板，相當于螺旋緣處的斷面，可見其中的骨質，表面肥厚的骨膜及穿通骨質的聽神經纖維束，模型的另一端為螺旋韌帶，內含多數血管，由側面看可見前庭膜起于螺旋緣上面的骨膜，止于螺旋韌帶的上方。將前庭膜取下觀察，可見它由上面的間皮，中間的結締組織及下面的上皮所成，膜性蝸管的外壁為螺旋韌帶，內面附有單層立方上皮。 尺寸：放大350倍，47.5×18×32.5cm 材質：PVC材料

近日，天津大學趙廣久教授團隊在鈣鈦礦材料的激發態化學機制研究方面取得突破性進展。相關研究成果發表在《Chemical Engineering Journal》（IF: 10.65）上。該團隊首次合成了一種新型非鉛雙鈣鈦礦材料，并調控晶格畸變，調控了激發態載流子動力學，從而顯著促進了光致發光量子產率的提升，對進一步的材料開發和應用有很強的指導意義。 研究背景 在過去的十年中，關于鈣鈦礦材料的開發和應用一直在光伏電池和發光領域得到了極大的發展。鈣鈦礦納米晶體的與其塊狀材料相比，具有許多優勢，例如鈣鈦礦納米晶具有高的光致發光量子產率，顏色可調，同時易于大規模制備柔性器件。因此，鹵化鈣鈦礦納米晶體已成為研究人員的重要研究對象。 不幸的是，鉛的毒性限制了鹵化鉛的進一步應用鈣鈦礦納米晶體。最近報道了一些無鉛鈣鈦礦納米晶體的合成，但是其很難構造3D的鈣鈦礦結構，導致性能不佳。鉛基鈣鈦礦的出色光學性能NC由獨特的3D鈣鈦礦結構和ns2電子軌道，使其具有優異的電荷載流子行為。同時，幾種雙鈣鈦礦納米晶體 3D結構取得了一些進展。但是有兩個問題仍然存在。一種是開發更新穎的雙納米晶體來配合設備的應用；另一種是使用高精度光譜探索更深層次的激發態動力學。因此，更有效的合成技術改造和更深刻的載流子動力學研究是目前最有效的方法，這可提高無鉛鈣鈦礦納米晶體的應用前景。 研究基礎 在前期的研究中，團隊在鈣鈦礦光電材料設計與機理研究方面取得了一系列的原創性成果。前期我們團隊通過離子摻雜誘導相轉變，從非活性相轉變為活性相，使得發光效率得到大幅度提高 (Angew. Chemie. Int. Ed. 2019, 58, 11642.) ; 在認識到晶型對發光調控的重要影響后，我們進一步地通過離子摻雜控制晶格變形程度進而調控發光峰的寬度，可以在實現高發光效率的同時隨意控制發光峰寬度的窄化和拓寬(Chem. Eng. J. 2020, 125367; J. Lumin. 2020, 117045; 2D Mater. 2020, 7, 031008.)；最后我們為了開發多手段實現構象調控，我們通過引入不同的左右旋手性基團，從而實現手性的傳遞和放大(J. Mater. Chem. C. 2020, 8, 5673. Phys. Chem. Chem. Phys. 2020, 22, 17299.)。 研究進展 在這項工作中，趙廣久團隊創新地開發了高效光致發光鈉鉍雙鈣鈦礦Cs2NaBiX6（X = Cl，Br）納米晶體。該團隊通過離子摻雜控制晶格畸變，促進自陷態激子的捕獲，實現了超快的熱載流子弛豫；同時，DFT理論計算分析表明離子摻雜后的晶體的能帶結構從間接帶隙轉變為直接帶隙，促進了電子空穴的輻射復合；此外離子摻雜也降低了晶體的體相缺陷，減少了缺陷產生的非輻射復合。以上三者的貢獻綜合作用從而大幅度促進了光致發光產率的提升，結果離子摻雜后的雙鈣鈦礦Cs2NaBiCl6 NCs可顯示約16％的明亮寬帶光致發光PLQY，高于迄今為止報告的單組分鈣鈦礦發光材料（2-10％）。我們的研究為未來的新材料的開發和應用提供了指導。

項目成果/簡介:近日，天津大學趙廣久教授團隊在鈣鈦礦材料的激發態化學機制研究方面取得突破性進展。相關研究成果發表在《Chemical Engineering Journal》（IF: 10.65）上。該團隊首次合成了一種新型非鉛雙鈣鈦礦材料，并調控晶格畸變，調控了激發態載流子動力學，從而顯著促進了光致發光量子產率的提升，對進一步的材料開發和應用有很強的指導意義。 研究背景 在過去的十年中，關于鈣鈦礦材料的開發和應用一直在光伏電池和發光領域得到了極大的發展。鈣鈦礦納米晶體的與其塊狀材料相比，具有許多優勢，例如鈣鈦礦納米晶具有高的光致發光量子產率，顏色可調，同時易于大規模制備柔性器件。因此，鹵化鈣鈦礦納米晶體已成為研究人員的重要研究對象。 不幸的是，鉛的毒性限制了鹵化鉛的進一步應用鈣鈦礦納米晶體。最近報道了一些無鉛鈣鈦礦納米晶體的合成，但是其很難構造3D的鈣鈦礦結構，導致性能不佳。鉛基鈣鈦礦的出色光學性能NC由獨特的3D鈣鈦礦結構和ns2電子軌道，使其具有優異的電荷載流子行為。同時，幾種雙鈣鈦礦納米晶體 3D結構取得了一些進展。但是有兩個問題仍然存在。一種是開發更新穎的雙納米晶體來配合設備的應用；另一種是使用高精度光譜探索更深層次的激發態動力學。因此，更有效的合成技術改造和更深刻的載流子動力學研究是目前最有效的方法，這可提高無鉛鈣鈦礦納米晶體的應用前景。 研究基礎 在前期的研究中，團隊在鈣鈦礦光電材料設計與機理研究方面取得了一系列的原創性成果。前期我們團隊通過離子摻雜誘導相轉變，從非活性相轉變為活性相，使得發光效率得到大幅度提高 (Angew. Chemie. Int. Ed. 2019, 58, 11642.) ; 在認識到晶型對發光調控的重要影響后，我們進一步地通過離子摻雜控制晶格變形程度進而調控發光峰的寬度，可以在實現高發光效率的同時隨意控制發光峰寬度的窄化和拓寬(Chem. Eng. J. 2020, 125367; J. Lumin. 2020, 117045; 2D Mater. 2020, 7, 031008.)；最后我們為了開發多手段實現構象調控，我們通過引入不同的左右旋手性基團，從而實現手性的傳遞和放大(J. Mater. Chem. C. 2020, 8, 5673. Phys. Chem. Chem. Phys. 2020, 22, 17299.)。 研究進展 在這項工作中，趙廣久團隊創新地開發了高效光致發光鈉鉍雙鈣鈦礦Cs2NaBiX6（X = Cl，Br）納米晶體。該團隊通過離子摻雜控制晶格畸變，促進自陷態激子的捕獲，實現了超快的熱載流子弛豫；同時，DFT理論計算分析表明離子摻雜后的晶體的能帶結構從間接帶隙轉變為直接帶隙，促進了電子空穴的輻射復合；此外離子摻雜也降低了晶體的體相缺陷，減少了缺陷產生的非輻射復合。以上三者的貢獻綜合作用從而大幅度促進了光致發光產率的提升，結果離子摻雜后的雙鈣鈦礦Cs2NaBiCl6 NCs可顯示約16％的明亮寬帶光致發光PLQY，高于迄今為止報告的單組分鈣鈦礦發光材料（2-10％）。我們的研究為未來的新材料的開發和應用提供了指導。

本發明公開了一種非晶合金微細零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內；準備用于制備非晶合金微細零件的硅模具，將該硅模具置于內部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護氣，對非晶合金原材料進行熔煉，并通過降低銅模具內的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內；脫模即可得到非晶合金微細零件。本發明還公開一種非晶合金微細零件的制備裝置。本發明采用真空吸鑄，克服了非

懸賞金額：10萬元 發榜企業：德旭新材料（廣州）股份有限公司 產業集群：先進材料產業集群 需求領域：特種功能材料;精細化工;電子材料;半導體材料;表面改性材料 技術關鍵詞：抗磨;超滑;切割;拋光

目前我國開始發展單體泵燃油噴射系統以使發動機的排放達到歐III排放標準，這對于我國節約能源、保護環境、降低車輛運輸成本等具有重要意義。本項目開發對單體泵內的關鍵零件—柱塞進行表面改性的工業化應用技術，使表面改性處理的柱塞不僅具有優異的耐磨壽命（顯著優于表面覆有TiN薄膜的柱塞），同時具有很低的摩擦系數（為TiN薄膜的～1/6），使柱塞/泵體摩擦副均具有高度的壽命水平和保持長期精度。

我們已采用磁控濺射沉積方法成功地制備和研究了環境友好的鈦酸鋇和鉍鎂鋯鈦氧的復合薄膜，發現其儲能密度和儲能效率在-100~200 °C溫度區間內都表現出了良好的熱穩定性，并且其寬溫儲能密度明顯高于鉛基材料在這個溫度區間報道的最大值，使其成為替代鉛基儲能材料的最佳選擇。為了降低生產成本，目前我們正在通過研究和調控薄膜的生長工藝來實現在成本低廉的Si、Ni等襯底上制備大面積、高質量、高性能的復合儲能薄膜。

本發明公開了一種基于超磁致伸縮薄膜驅動器的平面線圈驅動式微閥，包括下閥體 （1）、依次壓疊在下閥體（1）上的基片（3）、上閥體（4）和平面螺旋線圈（6），下閥 體的底部沿徑向方向分別設有進液流道（2）和出液流道（11），下閥體的上部設有液體腔 （13），進液流道（2）設有垂直向上的與液體腔連通的流道口，出液流道（11）與所述液 體腔連通；基片（3）上表面鍍有具有逆磁致伸縮效應薄膜（7），下表面鍍有具有正磁致伸 縮效應薄膜（9）；平面螺旋線圈（6）通電后，磁致伸縮薄膜驅動器在激勵磁場的作用下發 生形變向上彎曲，使得工作流體通道打開，實現液壓系統回路的通斷。本發明具有體積小、 易于微型化、響應速度快、可控性強等特點。

本項目利用我們在高效節能設備研制和產業化方面的成功經驗，自主研制的新型扭曲管中冷器，并實現扭曲管中冷器的制造產業化。通過采用扭曲管可以使空氣冷卻器傳熱能力增加10%-20%，殼程阻力下降50%-70%，充分體現了扭曲管中冷器的節能潛力，實現節能20%-35%。扭曲管中冷器的研發提升了我國新型高效節能設備在氣體壓縮機領域的整體技術水平和市場競爭力。本項目中冷器的碳鋼管束芯體和管板在與殼體、封頭、管箱裝配前整體熱浸鋅處理，顯著提高殼程、管程的抗腐蝕能力，用以取代傳統的銅管光管中冷器，大大減少了壓縮機中間冷卻系統的制造成本。可降低制造成本20%-40%，增加生產利潤20%-30%。本項目中冷器，由于扭曲管具有多點自支撐結構，省去了傳統換熱器的折流板（支撐板），殼程流道變為傳逆流，殼程壓降降低20%-60%，進而減少泵工的消耗30%-50%，達到節能的效果，提高了換熱器的抗誘導振動以及強化傳熱的性能，有效防止了壓縮機由于排氣溫度過高而引起的內壁溫升大、潤滑油變質、氣缸磨損、“積碳”等現象的發生。由于本項目中冷器流速均勻、無流動死區，而且管壁溫度比較均勻，大大降低了結垢的可能性。為振動、少結垢，從而延長了維修周期，降低了壓縮機中間冷卻系統的的維修費用。本項目中冷器不改變換熱器的外形結構，保留管殼式換熱器的特點，結構簡單，采用橫截面為橢圓形或扁圓形的螺旋扭曲管，其余均采用傳統的管殼式換熱器的基本結構形式，易于推廣，成本較低，具備較好的壓縮機中間冷卻系統的工業應用前景。

本發明提供了一種具有倒裝結構的紫外發光二極管，其該二極管自下而上依次為襯底、AlN成核層、非摻雜AlN或者AlaGa1?aN緩沖層、n型AlbGa1?bN區、AlcGa1?cN?AldGa1?dN多量子阱有源區、BN電子阻擋層、AleGa1?eN?BN布拉格反射鏡結構p型區、重摻p型GaN層、ITO導電層、在ITO導電層上設置有p型歐姆電極，在n型AlbGa1?bN層上設置有n型歐姆電極，且n型歐姆電極與除n型AlbGa1?bN層以外的其他區域絕緣。該二極管有效提高了紫外LED的發光效率，同時大幅降低紫外LED的開啟電壓和電阻率。