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簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:Cr2N層與WC層交替分布實(shí)現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強(qiáng)的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時(shí)非晶WC層進(jìn)一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的

菊花晶和金銀花晶具有清熱去火的功效，目前市售的菊花晶和金銀花晶主要 以粉末狀的形態(tài)存在，外觀形狀較差，且溶解時(shí)所需的時(shí)間較長(zhǎng)。本項(xiàng)目開發(fā)的 菊花晶和金銀花晶顆粒較大，溶解性較好。 溶解時(shí)間：熱水中 3 s 以內(nèi)全部溶解，不使用食品添加劑。 效益分析：菊花和金銀花中的有效成分具有清熱去火等諸多功效，將其從菊花和金銀花 中提取出來(lái)制備成菊花晶和金銀花晶可以提高食用的方便。此外，將菊花晶和金 銀花晶與奶粉同時(shí)食用，可以有效降低嬰兒食用奶粉時(shí)引起的上火等問題。因此， 開發(fā)具有良好外觀形態(tài)和溶解性的菊花晶和金銀花晶具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

本項(xiàng)目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來(lái)取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時(shí)具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級(jí)，而且還可對(duì)晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進(jìn)行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。

電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個(gè)整體，使晶圓上每個(gè)晶粒成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。晶圓切割的過(guò)程是將集成有 電路的整片晶圓通過(guò)劃切分割成單個(gè)的晶粒，切割過(guò)程又是一種無(wú)法恢復(fù)的過(guò)程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復(fù)性決定了切割工藝成為整個(gè)集成電路制造過(guò)程中最關(guān)鍵 和難度最大的工藝環(huán)節(jié)。 精密機(jī)械：可加工的晶圓最小直徑可達(dá)50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個(gè)晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設(shè)備的切割精度要求控制在2μm以內(nèi)，每小時(shí)切割15片。 運(yùn)動(dòng)平臺(tái)采用高精度的直線電機(jī)平臺(tái)，定位精度為2μm，重復(fù)定位精度為1μm；旋轉(zhuǎn)平臺(tái)的定 位精度為30″，重復(fù)定位精度為4″。 計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制：劃片機(jī)系統(tǒng)將根據(jù)客戶要求以及配合視覺檢測(cè)系統(tǒng)傳輸?shù)木A數(shù)據(jù)，自 動(dòng)生成切割路徑，在規(guī)定的工作時(shí)間內(nèi)完成晶圓的切割。

本項(xiàng)目開發(fā)了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術(shù)。它采用天然礦物和工業(yè)廢渣來(lái)取代高溫?zé)Y(jié)法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時(shí)具有生產(chǎn)周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優(yōu)點(diǎn)。開發(fā)的原位受控晶化技術(shù)不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級(jí)，而且還可對(duì)晶相數(shù)量和結(jié)晶形狀進(jìn)行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。

本項(xiàng)目以溶膠凝膠技術(shù)為基礎(chǔ)，輔以其他技術(shù)手段，在技術(shù)及產(chǎn)品質(zhì)量指 標(biāo)上完全達(dá)到了世界上最先進(jìn)的諾頓（法國(guó)圣戈班）、3M 公司的水平，實(shí)現(xiàn)工 業(yè)化生產(chǎn)后，可以打破國(guó)外的技術(shù)封鎖和產(chǎn)品壟斷，并解決國(guó)內(nèi)關(guān)鍵加工行業(yè) 受國(guó)外制約的困難，從而提升國(guó)內(nèi)整體的機(jī)械加工水平。

提出并制備了非線性光學(xué)準(zhǔn)晶超構(gòu)表面，并研究了超構(gòu)單元局域?qū)ΨQ性和排布方式的全局對(duì)稱性對(duì)超構(gòu)表面遠(yuǎn)場(chǎng)非線性光輻射的共同影響。該非線性光學(xué)準(zhǔn)晶超構(gòu)表面運(yùn)用了基于非線性光學(xué)貝里幾何相位的金屬等離激元結(jié)構(gòu)單元，依據(jù)經(jīng)典的彭羅斯準(zhǔn)周期拼接和具有六重對(duì)稱性的六角準(zhǔn)周期拼接形成了不同種類的準(zhǔn)晶結(jié)構(gòu)。彭羅斯結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)周期拼接具有五重對(duì)稱性，其衍射圖案則具有十重對(duì)稱性，這些都是晶體衍射定理所不允許的對(duì)稱性。而六角準(zhǔn)周期拼接是2017年提出的一種準(zhǔn)周期拼接，它具有晶體衍射定理所允許的六重對(duì)稱性，卻并不遵從短程有序的規(guī)律。這兩種拼接方式可以與某些特定的比例聯(lián)系起來(lái)，這些比例由不同階次的迭代規(guī)則決定：彭羅斯結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)一階迭代過(guò)程，其比例是人們熟知的“黃金分割比”，而六角準(zhǔn)周期晶格對(duì)應(yīng)三階過(guò)程，其比例可稱為“黃銅分割比”。自六角準(zhǔn)周期晶格從理論上提出以來(lái)，本項(xiàng)工作中的非線性光學(xué)準(zhǔn)晶超構(gòu)表面是首個(gè)利用黃銅分割比實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)的人工光學(xué)結(jié)構(gòu)。? 非線性光學(xué)準(zhǔn)晶超構(gòu)表面中不同轉(zhuǎn)向的超構(gòu)單元對(duì)入射基頻光的響應(yīng)是均勻的，因此其線性光學(xué)衍射僅能反映超構(gòu)表面的全局對(duì)稱性，即晶格結(jié)構(gòu)決定其遠(yuǎn)場(chǎng)光衍射。而在倍頻實(shí)驗(yàn)中，即出射光的頻率是入射光的兩倍（如1200nm 變?yōu)?00nm）。由于打破了超構(gòu)單元的中心反演對(duì)稱性并引入了非線性光學(xué)幾何相位，其非線性光學(xué)衍射與晶格結(jié)構(gòu)的局域?qū)ΨQ性、全局對(duì)稱性同時(shí)相關(guān)。因此，可以通過(guò)調(diào)控超構(gòu)單元的指向分布，進(jìn)而有效地調(diào)控倍頻光衍射中的零級(jí)。非線性光學(xué)準(zhǔn)晶超構(gòu)表面這一概念或?qū)樵O(shè)計(jì)超構(gòu)表面非線性光源、人工微納光學(xué)結(jié)構(gòu)材料提供新的思路。

本項(xiàng)目開發(fā)的超細(xì)晶高強(qiáng)多孔鐵合金具有精細(xì)細(xì)小（均小于5微米），強(qiáng)度高、韌性好、質(zhì)輕等特點(diǎn)。根據(jù)不同需要可制備出孔隙率從10-50%的多孔結(jié)構(gòu)，孔徑在1微米左右。當(dāng)孔隙率為20%時(shí)，最高抗壓強(qiáng)度超過(guò)了1000MPa。當(dāng)孔隙率達(dá)到50%左右時(shí)，抗壓強(qiáng)度超過(guò)了400MPa，壓縮率超過(guò)50%而不斷裂。該合金具有非常好的軟磁性能，可用于輕質(zhì)鐵磁性材料的制備。

?  成果簡(jiǎn)介：本項(xiàng)目的研究?jī)?nèi)容屬于火工品專業(yè)起爆藥、點(diǎn)火藥等火工藥劑的范疇。本項(xiàng)目研制的微晶共沉淀安全點(diǎn)火藥主要應(yīng)用于電引火類火工品中，是電引火藥頭的核心藥劑，應(yīng)用于軍用橋絲式電火工品和工業(yè)電雷管中。?  項(xiàng)目來(lái)源：自行開發(fā)?  技術(shù)領(lǐng)域：新材料?  應(yīng)用范圍：軍用火工品和民用爆破器材用點(diǎn)火藥劑?  現(xiàn)狀特點(diǎn)：該技術(shù)獲得了發(fā)明專利，已經(jīng)通過(guò)會(huì)議

青島嘉星晶電科技股份有限公司成立于2009年，是一家專注從事半導(dǎo)體材料研發(fā)、半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)，半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本16066萬(wàn)元。擁有年產(chǎn)量達(dá)1200萬(wàn)片的半導(dǎo)體襯底晶片生產(chǎn)線。 本公司目前擁有的主營(yíng)產(chǎn)品有以下幾類： 半導(dǎo)體材料 包括2-6英寸碳化硅、氮化鎵、氧化鎵襯底晶片等第三代化合物半導(dǎo)體襯底晶片。 半導(dǎo)體關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備 包括半導(dǎo)體晶棒切割機(jī)、半導(dǎo)體晶圓減薄機(jī)、半導(dǎo)體晶片倒角機(jī)、半導(dǎo)體襯底研磨機(jī)、三坐標(biāo)測(cè)量機(jī)、晶片表面綜合檢查設(shè)備、晶片表面拋光設(shè)備等關(guān)鍵生產(chǎn)裝備。 軍工產(chǎn)品 包括雷達(dá)光電設(shè)備窗口片、導(dǎo)彈整流罩、軍用防彈玻璃、軍用半導(dǎo)體功率通訊器件等。 Mini-LED，Micro-LED屏幕技術(shù)材料 包括Mini-LED，Micro-LED用大尺寸藍(lán)寶石窗口片的開發(fā)生產(chǎn)。