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本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬化膜固定裝置及金屬化膜通流特性測(cè)試 方法。該裝置包括第一固定板、第二固定板、多個(gè)連接拉桿、第一活 動(dòng)拉桿、第二活動(dòng)拉桿、兩個(gè)彈簧、兩個(gè)固定螺母、兩個(gè)托桿和兩個(gè) 條狀金屬電極。長(zhǎng)條狀的金屬化膜試品能很簡(jiǎn)單方便地固定于該裝置 上，且利用彈簧使條狀金屬化膜樣品處于繃緊狀態(tài)，通過(guò)保證每次試 驗(yàn)中彈簧彈力的一致性，確保多次重復(fù)試驗(yàn)中金屬化膜樣品狀況的一 致性；通過(guò)條狀金屬電極與托桿對(duì)金屬化膜進(jìn)行固定和電氣連接，可 保證金屬化膜金屬層與條狀金屬電極接觸的穩(wěn)定性和可靠性；條狀金 屬化膜試品位于

本發(fā)明公開(kāi)了一套評(píng)測(cè)殺菌劑對(duì)枝干表層腐爛病菌鏟除效果的方法，涉及植物病害防治藥劑評(píng)測(cè)方法。具體方法是用腐爛病菌的孢子懸浮液接種蘋(píng)果的活體枝條，讓接種枝條在自然條件下生長(zhǎng)2~4周后，在接種枝條表面施用待測(cè)殺菌劑，施藥1周后，從樹(shù)體上剪取處理枝條，破壞芽部及周?chē)咏M織，在離體條件下誘導(dǎo)傷口發(fā)病，依據(jù)傷口發(fā)病的百分率，評(píng)測(cè)殺菌劑的鏟除效果。本發(fā)明克服了現(xiàn)有技術(shù)難以評(píng)測(cè)殺菌劑對(duì)潛伏于枝條表層腐爛病菌鏟除

產(chǎn)品詳細(xì)介紹夾套三口圓底燒瓶，三口雙層反應(yīng)瓶，雙層球形三口燒瓶，雙層夾套三口燒瓶，夾套燒瓶產(chǎn)品地址：http://www.shhk.com.cn/product_detail-1137.htm 夾套三口圓底燒瓶，三口雙層反應(yīng)瓶，雙層球形三口燒瓶，雙層夾套三口燒瓶代碼規(guī)格ml/#單位規(guī)格1500/24,24,24只規(guī)格21000/24,29,24只規(guī)格32000/24,29,24只規(guī)格43000/24,29,24只規(guī)格55000/24,40,24只規(guī)格610000/24,40,24只 夾套三口圓底燒瓶，三口雙層反應(yīng)瓶，雙層球形三口燒瓶，雙層夾套三口燒瓶，夾套燒瓶。 上海化科實(shí)驗(yàn)器材：http://www.shhk.com.cn/ 訂單郵箱：sales@shhk.com.cn（推薦）咨詢(xún)電話(huà)：021-67652117，57602161QQ 在線(xiàn)：1152028600。大量供應(yīng)：夾套三口圓底燒瓶，三口雙層反應(yīng)瓶，雙層球形三口燒瓶，雙層夾套三口燒瓶，夾套燒瓶。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:水成膜膠體泡沫是將聚合物分散在水中，加入發(fā)泡劑并在氮?dú)獾淖饔孟掳l(fā)泡形成的復(fù)雜混合體系。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，在泡沫液膜內(nèi)，聚合物間相互交聯(lián)形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成水成膜膠體泡沫的剛性骨架。防滅火水成膜膠體泡沫既具有凝膠的性質(zhì)，又具有泡沫的性質(zhì)，兼有注三相泡沫（注泥漿、注氮?dú)狻⒆上嗯菽⒆⒛z、注復(fù)合膠體的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又克服了各自的不足，從而大大提高其防滅火效果。

納米金剛石的金剛石晶粒尺寸在100nm以下, 表面極其光滑平整, 摩擦系數(shù)極低(可小于0.05), 因此是十分理想的工具(模具)涂層和光學(xué)涂層材料, 同時(shí)在MEMs (微機(jī)電系統(tǒng))和高性能大屏幕(場(chǎng)發(fā)射)顯示技術(shù)等領(lǐng)域也有非常好的應(yīng)用前景。 本項(xiàng)目組采用微波等離子體CVD和 DC Arc Plasma Jet CVD兩種工藝方法, 在玻璃, 硅, 鉬和硬質(zhì)合金等襯底材料上成功制備了納米金剛石膜。 在玻璃襯底上制備的納米金剛石膜晶粒平均尺寸小于100 nm, 表面粗糙度小于Ra 5nm, 采用納米力學(xué)探針測(cè)量的顯微硬度高達(dá)8000kg/mm2, 在可見(jiàn)及近紅外區(qū)域具有非常好的透過(guò)特性, 紫外喇曼光譜(在新加坡國(guó)立南洋理工大學(xué)測(cè)試)顯示薄膜幾乎為純凈的金剛石納米晶粒組成。在其它襯底上的納米金剛石膜的組織結(jié)構(gòu)和性能測(cè)試正在進(jìn)行之中。 納米金剛石膜涂層硬質(zhì)合金工具: 其中最有前景的是納米金剛石膜涂層硬質(zhì)合金微型鉆頭; 納米金剛石膜涂層光學(xué)應(yīng)用: 包括諸如”永不磨損鉆石涂層玻璃表殼”和”永不磨損鉆石涂層玻璃眼鏡片”, 及ZnS, Ge, Si等重要紅外軍事光學(xué)材料的抗(雨滴、沙粒)沖刷涂層; 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMs)的微機(jī)械構(gòu)件: 如微型齒輪, 軸, 軸承等; 高性能大屏幕顯示器件

水成膜膠體泡沫是將聚合物分散在水中，加入發(fā)泡劑并在氮?dú)獾?作用下發(fā)泡形成的復(fù)雜混合體系。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，在泡沫液膜內(nèi)， 聚合物間相互交聯(lián)形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成水成膜膠體泡沫的剛性骨架。防滅火水成膜膠體泡沫既具有凝膠的性質(zhì)，又具有泡沫的性質(zhì)， 兼有注三相泡沫（注泥漿、注氮?dú)狻⒆上嗯菽⒆⒛z、注復(fù)合 膠體的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又克服了各自的不足，從而大大提高其防滅火效果。

本發(fā)明涉及以天然成分為原料，開(kāi)發(fā)一種能夠抑菌防腐和延長(zhǎng) 肉類(lèi)產(chǎn)品保鮮期，具有一定粘稠度，可與肉類(lèi)產(chǎn)品表面結(jié)合為一體的多功能液 態(tài)可食保鮮膜，噴涂于食品表面，對(duì)環(huán)境常在菌具有顯著的抑制作用，無(wú)毒無(wú) 害，且兼有保健和防偽（隱形標(biāo)簽）作用，已獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利。 技術(shù)優(yōu)點(diǎn)或者效益預(yù)測(cè):肉雞屠宰后按部位進(jìn)行分割，噴涂（或浸蘸）保鮮 膜液后裝入食品袋后密封，室溫冷卻編號(hào)，置于微溫(30~~40℃)和常溫 (20~~25℃)2 種條件下貯藏的保質(zhì)期可分別達(dá)到 3、7d。同時(shí)可標(biāo)識(shí)產(chǎn)品生產(chǎn)廠 家。有效防止肉類(lèi)產(chǎn)品加工過(guò)程二次污染，從而延長(zhǎng)保鮮期，同時(shí)兼有產(chǎn)品防 偽標(biāo)識(shí)作用。應(yīng)用前景十分廣闊。 

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級(jí)替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復(fù)制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機(jī)高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

紫外探測(cè)技術(shù)是繼激光探測(cè)技術(shù)和紅外探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。幾十年來(lái)，紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。先進(jìn)光譜儀器是集光、機(jī)、電和計(jì)算機(jī)于一體，技術(shù)密集的高科技產(chǎn)品。它是現(xiàn)代科技必不可少的精密檢測(cè)和分析手段，是現(xiàn)代天文學(xué)、航空航天、分子生物學(xué)、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)、環(huán)境和生態(tài)等新科技建立和發(fā)展的基礎(chǔ)。國(guó)家對(duì)發(fā)展先進(jìn)光譜儀器和研制光譜儀器用的探測(cè)器件非常重視，“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃專(zhuān)門(mén)設(shè)立了科學(xué)儀器設(shè)備研制與開(kāi)發(fā)專(zhuān)項(xiàng)“先進(jìn)大型光譜儀器的關(guān)鍵部件——高分辨分光器件和探測(cè)器件的研制”，技術(shù)人有幸成為承擔(dān)該課題的主要研究人員，負(fù)責(zé)高分辨探測(cè)器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最廣泛應(yīng)用的光電探測(cè)器，而且先進(jìn)的光譜儀器都采用了CCD或CMOS作為探測(cè)器件，這是因?yàn)镃CD和CMOS具有靈敏度高、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段響應(yīng)很弱，這種很弱的紫外響應(yīng)限制了硅基成像器件在先進(jìn)光譜儀器及其他紫外波段探測(cè)方面的使用。 因此，本技術(shù)的研究成果硅基成像器件的紫外響應(yīng)增強(qiáng)薄膜是經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會(huì)發(fā)展迫切需要。 增強(qiáng)硅基成像器件的紫外響應(yīng)，目前有兩種方法：一是改變硅基探測(cè)器的結(jié)構(gòu)，如背照式CCD；另外一種是在現(xiàn)有的成像器件光敏窗口加鍍一層下變頻膜，把紫外光先轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光，然后再接收。國(guó)外自1980年起就開(kāi)始增強(qiáng)硅基探測(cè)器紫外響應(yīng)的下變頻薄膜研究，按使用材料的屬性，可以把變頻膜分為有機(jī)變頻膜和無(wú)機(jī)變頻膜兩種。有機(jī)變頻膜技術(shù)相對(duì)成熟，也有相關(guān)的專(zhuān)利出現(xiàn)。哈勃太空望遠(yuǎn)鏡CCD、星球相機(jī)（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的響應(yīng)波段延伸到紫外的CCD都是鍍的有機(jī)變頻膜。目前紫外增強(qiáng)有機(jī)變頻膜可使普通CCD的響應(yīng)波段延伸到200nm，Roper Scientific公司開(kāi)發(fā)的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下變頻效果。有機(jī)變頻膜技術(shù)盡管成熟，但該類(lèi)薄膜有著致命的缺點(diǎn)，那就是有機(jī)物分子在紫外輻射下降解速度很快。在照明度為1μW/cm2的光照下，有機(jī)分子以高達(dá)每小時(shí)3%的速率成指數(shù)降解。在這一方面，而無(wú)機(jī)變頻膜具有不可比擬的優(yōu)點(diǎn)。無(wú)機(jī)變頻膜材料可以在它使用期限的前2%時(shí)間里，減少90%的降解量，因此，無(wú)機(jī)變頻膜具有非常優(yōu)越的穩(wěn)定性。在無(wú)機(jī)變頻膜方面，國(guó)外研究也剛起步，最早的報(bào)道見(jiàn)于2003年[1]，目前尚無(wú)成熟的增強(qiáng)硅基成像器件的紫外無(wú)機(jī)變頻膜技術(shù)。國(guó)內(nèi)在有機(jī)和無(wú)機(jī)變頻膜方面，都沒(méi)有已見(jiàn)報(bào)道的研究工作。  為了提高探測(cè)器對(duì)紫外輻射的敏感性，我們采取了在硅基成像器件光敏窗口上鍍變頻膜的辦法，成功地使CCD及CMOS的響應(yīng)波段拓展到150nm。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用在光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)推動(dòng)國(guó)家的科研和產(chǎn)業(yè)在這些領(lǐng)域的發(fā)展有極大幫助。

通過(guò)使用鉛的條狀非公度相作為鉛膜和硅襯底的界面，用超高真空分子束外延技術(shù)成功制備出一種宏觀面積的、塞曼保護(hù)的新型二維超導(dǎo)體。系統(tǒng)的低溫強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)表明，該體系的超導(dǎo)電性可存在于超過(guò)40特斯拉的平行強(qiáng)磁場(chǎng)中，這一數(shù)值遠(yuǎn)超過(guò)體系的泡利極限，是塞曼保護(hù)超導(dǎo)電性的直接證據(jù)。第一性原理計(jì)算結(jié)果也表明，條狀非公度相中特殊的晶格畸變會(huì)延伸至鉛膜中，從而在該體系中引入很強(qiáng)的塞曼自旋軌道耦合。同時(shí)，新的微觀理論也給出了強(qiáng)雜質(zhì)情形下各種自旋軌道耦合及散射效應(yīng)對(duì)二維超導(dǎo)臨界場(chǎng)的影響并定量地解釋了塞曼保護(hù)超導(dǎo)電性的物理機(jī)制。該工作表明，可以通過(guò)界面工程在中心反演對(duì)稱(chēng)性保護(hù)的二維超導(dǎo)中引入面內(nèi)中心反演對(duì)稱(chēng)性破缺，也即在二維晶體超導(dǎo)體系中人工引入塞曼保護(hù)的超導(dǎo)電性機(jī)制。這一結(jié)果預(yù)示出人們有望在二維超導(dǎo)體系中，通過(guò)界面調(diào)制發(fā)現(xiàn)新的非常規(guī)超導(dǎo)特性。這種宏觀尺度強(qiáng)自旋軌道耦合下的二維超導(dǎo)，也為拓?fù)涑瑢?dǎo)的探索提供了新的平臺(tái)，并為未來(lái)無(wú)耗散或低耗散量子器件的設(shè)計(jì)與集成奠定了基礎(chǔ)。圖 (a) 脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)表明6個(gè)原子層厚鉛膜的超導(dǎo)電性在高達(dá)40 T的水平強(qiáng)場(chǎng)下仍不被破壞。(b) 臨界場(chǎng)隨溫度的關(guān)系與理論高度重合，有力地證明了超薄鉛膜中的塞曼自旋軌道耦合保護(hù)的超導(dǎo)電性。 (c) 對(duì)外延生長(zhǎng)于條狀非公度相（SIC）界面上的超薄鉛膜進(jìn)行磁阻測(cè)量的示意圖。