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近年來，磁振子電子學(xué)在信息計(jì)算和信息傳輸領(lǐng)域表現(xiàn)出了極具價(jià)值的應(yīng)用潛力。磁振子電子學(xué)利用以磁振子為載體的電子自旋進(jìn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)信息處理，有望實(shí)現(xiàn)無熱量產(chǎn)生、低耗散的信息傳輸，相比于傳統(tǒng)意義上通過操縱電荷來實(shí)現(xiàn)信息的處理的微電子學(xué)具有無可比擬的巨大優(yōu)勢。磁振子電子學(xué)領(lǐng)域的進(jìn)展很大程度上依賴于能夠有效傳輸磁振子的新材料的發(fā)現(xiàn)，而獲得長距離的磁振子輸運(yùn)始終是磁振子電子學(xué)研究的重中之重。與通常的三維磁性絕緣體（如Yttrium Iron Garnet）相比，二維尺度下的磁振子被理論預(yù)言有很多的新穎物理效應(yīng)，例如自旋能斯特效應(yīng)，拓?fù)浯耪褡?，以及外爾磁振子等?在最新的研究文章中，量子材料科學(xué)中心韓偉課題組在二維磁性體系中展開工作并取得了重要進(jìn)展，觀測到了二維反鐵磁體系中磁振子的長距離輸運(yùn)。MnPS3晶體是一種層狀反鐵磁材料，利用機(jī)械剝離手段得到了二維的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制備了用于測量磁振子輸運(yùn)的非局域器件，器件結(jié)構(gòu)如圖A所示。器件左側(cè)Pt電極通過熱方法來注入磁振子，右側(cè)Pt電極探測在二維MnPS3中擴(kuò)散傳輸?shù)拇耪褡印Ｔ诙S反鐵磁MnPS3中，實(shí)驗(yàn)上觀測到了幾微米的磁振子擴(kuò)散長度。并且從圖B中可以看出，隨著注入端和探測端距離的增加，探測到的非局域信號表現(xiàn)出e指數(shù)衰減的形式，跟一維漂移擴(kuò)散模型的理論模型一致。在此基礎(chǔ)上，他們還系統(tǒng)研究了MnPS3厚度對磁振子弛豫性質(zhì)的影響。隨著MnPS3厚度從40nm降低至8nm，磁振子弛豫長度由4μm減小到1μm（圖C），這可能是由較薄的MnPS3中較強(qiáng)的表面雜質(zhì)散射效應(yīng)導(dǎo)致的。 該文章中的結(jié)果具有重要的學(xué)術(shù)價(jià)值：二維材料中的磁振子輸運(yùn)實(shí)現(xiàn)為二維磁性材料在磁振子電子學(xué)的應(yīng)用與發(fā)展奠定了基礎(chǔ)，也有望推動(dòng)磁振子在量子尺度下的新穎量子物理性質(zhì)研究。圖：二維反鐵磁體系中磁振子輸運(yùn)研究。（A）二維反鐵磁MnPS3中的磁振子輸運(yùn)測量結(jié)構(gòu)示意圖。（B）自旋信號R_NL^*隨電極間距的依賴關(guān)系，與理論預(yù)言的e指數(shù)衰減吻合。（C）磁振子弛豫長度隨MnPS3厚度的依賴關(guān)系。 該工作于2019年2月7日在線發(fā)表于物理學(xué)術(shù)期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。該工作由韓偉研究員設(shè)計(jì)和指導(dǎo)完成，北京大學(xué)量子材料科學(xué)中心2015級博士生邢文宇為文章第一作者，物理學(xué)院2015級本科生邱露頤為第二作者（今年9月份將去哈佛大學(xué)讀博士），韓偉研究員為文章通訊作者。本工作的順利完成得到了量子材料科學(xué)中心賈爽教授和謝心澄院士的合作幫助，以及國家重大科學(xué)研究計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金、中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)的支持。

本發(fā)明公開一種用于制備金屬軟磁復(fù)合材料的絕緣粘結(jié)劑及其使用方法。本發(fā)明絕緣粘結(jié)劑是一種納米改性有機(jī)硅樹脂絕緣粘結(jié)劑，成分由有機(jī)硅樹脂和無機(jī)納米分散液組成。該絕緣粘結(jié)劑大幅度提高了有機(jī)硅樹脂的耐熱溫度，提高了磁粉芯的力學(xué)強(qiáng)度，成分選擇合理使用效果好，對鐵基、鎳基和其他成分的金屬軟磁磁粉都有很好的絕緣粘結(jié)效果。采用本發(fā)明提供的絕緣粘結(jié)劑所制備的磁粉芯具有綜合的優(yōu)良磁性能和力學(xué)性能。

該發(fā)明公開了一種熔體磁紡絲裝置及利用該裝置制備微納米纖維的方法，該裝置包括可控制給料速率可加熱的給料裝置，紡絲噴頭，噴頭驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和紡絲接收裝置，接收裝置為水平圓盤，與無刷電機(jī)聯(lián)動(dòng)，表面有多個(gè)豎直支柱，一個(gè)為永磁鐵。該設(shè)備以磁場力代替電場力，整個(gè)過程無需高壓電作用，有效降低生產(chǎn)成本和安全隱患，同時(shí)可批量連續(xù)生產(chǎn)微納米纖維，且制得的纖維排布有序，產(chǎn)量高適合大規(guī)模生產(chǎn)，所得纖維有很好的應(yīng)用前景

本發(fā)明公開了一種三角波激勵(lì)磁場下的磁納米溫度測量方法，屬于納米測試技術(shù)領(lǐng)域。該方法具體為：（1）將磁納米樣品放置于待測對象處；（2）在磁納米樣品所在區(qū)域施加三角波激勵(lì)磁場；（3）檢測三角波激勵(lì)磁場-時(shí)間曲線和磁納米粒子樣品的磁化強(qiáng)度-時(shí)間曲線；（4）依據(jù)三角波激勵(lì)磁場曲線和磁化強(qiáng)度曲線得到磁納米粒子磁化曲線即激勵(lì)磁場-磁化強(qiáng)度曲線，對該曲線采樣獲得激勵(lì)磁場 Hi 下磁納米粒子樣品的磁化強(qiáng)度 Mi；（5）以激勵(lì)磁場 H

本發(fā)明公開一種磁納米粒子濃度成像方法，其主要?jiǎng)?chuàng)新在于采用交流磁化率的虛部來進(jìn)行濃度成像，有效提高磁納米粒子成像的空間分辨率。對磁納米粒子施加交流磁場和直流梯度磁場，檢測出一次諧波幅值和相位。利用幅值差和相位差或直接利用磁化強(qiáng)度變化量計(jì)算出磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部。通過控制直流梯度磁場的零磁場點(diǎn)位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子交流磁化率的實(shí)部和虛部，進(jìn)而利用交流磁化率的虛部實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像。從仿真數(shù)

本發(fā)明公開了一種適用于線型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應(yīng)部分及磁軛式局部微磁化部 分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導(dǎo)芯和引導(dǎo)芯套 筒，磁引導(dǎo)芯由長短不一的長方體形引導(dǎo)芯構(gòu)成；磁感應(yīng)部分由繞制 在引導(dǎo)芯套筒外側(cè)的磁感應(yīng)線圈和引線端組成；由引導(dǎo)芯套筒支撐固 定的磁軛式局部微磁化部分，包括方形導(dǎo)磁構(gòu)件、磁軛式雙磁鐵以及 斜向雙導(dǎo)磁構(gòu)件，該部分將磁場量導(dǎo)入待檢測金屬體內(nèi)，達(dá)到局部微 磁化的效果，通過與磁引導(dǎo)芯連接的磁敏感元件和引導(dǎo)芯套筒外的磁 感應(yīng)線圈，傳遞

本發(fā)明公開了一種基于磁納米粒子交流磁化率的溫度測量方法，所述方法包括如下步驟：(1)確定待測對象區(qū)域，并利用通電螺線管對待測區(qū)域施加交流激勵(lì)磁場；(2)利用探測線圈采集交流激勵(lì)磁場下待測區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H1；(3)保持交流激勵(lì)磁場不變，將磁納米樣品放置于待測對象的待測區(qū)域內(nèi)，利用探測線圈采集施加磁納米樣品之后待測區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度 H2；(4)計(jì)算磁納米粒子的交流磁化率χ的實(shí)部χ’和虛部χ”；其中的 A1，A2，α都

本發(fā)明公開了一種基于磁納米粒子一次諧波幅值的成像方法。采用交流磁化強(qiáng)度一次諧波幅值實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，只需在一個(gè)方向施加高頻正弦磁場并在不同方向提供掃描磁場便可實(shí)現(xiàn)一維、二維以及三維空間的掃描；用低頻三角波掃描磁場或低頻正弦波掃描磁場控制空間區(qū)域零磁場點(diǎn)的位置，求解出不同空間位置的磁納米粒子的一次諧波幅值，最終實(shí)現(xiàn)磁納米濃度成像，從而避免了通過改變直流電源的大小來移動(dòng)零磁場點(diǎn)掃描空間，有效提高了磁納米粒子成像的

本發(fā)明公開了一種基于矢量變換與信號濾波的定子磁鏈計(jì)算方法。采用交流電動(dòng)機(jī)定子磁鏈的電壓模型，對輸入的反電動(dòng)勢矢量進(jìn)行幅值和相位變換直接得到原始的定子磁鏈?zhǔn)噶?，然后?jīng)過信號濾波與補(bǔ)償處理得到期望的定子磁鏈。分別設(shè)計(jì)了基于可編程的低通濾波器(LPF)和帶通濾波器(BPF)的矢量變換方案，并且根據(jù)計(jì)算磁鏈幅值盡快收斂于給定磁鏈值的原則得到優(yōu)化函數(shù)，對 LPF 與 BPF 的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行組合，得到性能最優(yōu)的磁鏈計(jì)算方法。進(jìn)一步的

本發(fā)明公開了一種基于體表反向場的內(nèi)外傷漏磁檢測區(qū)分方法及裝置。該方法的特征為：將被檢測導(dǎo)磁構(gòu)件磁化，在上述被磁化導(dǎo)磁構(gòu)件體表內(nèi)施加反向磁感應(yīng)場 B_反，與體內(nèi)原有磁感應(yīng)場B_原發(fā)生矢量疊加抵消，在體表內(nèi)形成零磁感應(yīng)區(qū)域，使得出現(xiàn)在該體表內(nèi)區(qū)域的缺陷(也即外傷)因無漏磁場產(chǎn)生而無法被探測到；而出現(xiàn)在非體表零磁感應(yīng)區(qū)的缺陷均有漏磁場產(chǎn)生而可以被探測到，包括內(nèi)、外傷；然后采用磁敏元件分別布置靠近于零磁感應(yīng)區(qū)和非零磁感應(yīng)