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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于硅基液晶的偏振檢測(cè)系統(tǒng)及方法，所述 偏振檢測(cè)系統(tǒng)包括檢偏器、光探測(cè)器、硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊、控制單元 和用于相位調(diào)制的硅基液晶，硅基液晶在硅基液晶驅(qū)動(dòng)模塊的驅(qū)動(dòng)下 對(duì)待測(cè)光進(jìn)行相位調(diào)節(jié)，獲取一系列偏振光，通過(guò)對(duì)這一系列偏振光 的分析獲取待測(cè)光的偏振信息，包括豎直方向與水平方向的振幅及相 位差。本發(fā)明的系統(tǒng)在精確可編程控制下，進(jìn)行偏振態(tài)檢測(cè)與控制， 不受類(lèi)似于波片的波長(zhǎng)敏感性制約；且本發(fā)明采用硅基液晶進(jìn)

該項(xiàng)目與南京中電、上海神舟、揚(yáng)州協(xié)鑫等多家協(xié)同單位合作，開(kāi)展表面微納米結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、高效晶硅表面刻蝕劑的研制、大規(guī)模量產(chǎn)工藝技術(shù)的突破。

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 激光雷達(dá)在自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。基于調(diào)頻連續(xù)波技術(shù)的激光雷達(dá)（FMCW Lidar）有著探測(cè)距離遠(yuǎn)、抗干擾和同時(shí)測(cè)速等優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是最具應(yīng)用潛力的激光雷達(dá)。激光光源是FMCW激光雷達(dá)的核心器件之一，F(xiàn)MCW光源的調(diào)頻非線性會(huì)嚴(yán)重影響激光雷達(dá)的分辨率，導(dǎo)致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達(dá)性能的提升。 2. 解決方案 本成果預(yù)期解決目前調(diào)頻連續(xù)波激光雷達(dá)（FMCW Lidar）中光源調(diào)頻非線性的問(wèn)題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過(guò)無(wú)源硅基外腔芯片反射波長(zhǎng)中心頻率和反射相位的聯(lián)合調(diào)諧，可以實(shí)現(xiàn)高線性的激光輸出頻率調(diào)諧，其原理架構(gòu)與和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證結(jié)果如圖1所示。從而突破了傳統(tǒng)FMCW光源直接通過(guò)電流調(diào)制進(jìn)行調(diào)頻導(dǎo)致的非線性限制，直接產(chǎn)生高線性連續(xù)調(diào)頻光信號(hào)。 合作需求 1、需要融資1800~2000萬(wàn)元，完成研發(fā)實(shí)驗(yàn)室及一期生產(chǎn)線的建設(shè)，以及前期工程樣品的開(kāi)發(fā)； 2、需要800平米左右萬(wàn)級(jí)超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區(qū)或者園區(qū)能夠提供優(yōu)惠的政策與支持； 3、歡迎FMCW激光雷達(dá)廠家及其它對(duì)FMCW光源有需求的客戶合作，聯(lián)合測(cè)試、共同開(kāi)發(fā)； 4、歡迎在硅光設(shè)計(jì)、光有源、無(wú)源耦合及自動(dòng)化生產(chǎn)等方面的技術(shù)、管理專(zhuān)家加盟，共同打造激光雷達(dá)的中國(guó)光芯，共創(chuàng)美好未來(lái)。

本發(fā)明涉及一種利用雙核酸性離子液體選擇性脫除油品中堿性（喹啉）和非堿性（吲哚）氮化物的新方法。其特征在于所采用的離子液體為雙咪唑SO3H功能化酸性離子液體，在常溫常壓下即可進(jìn)行操作，反應(yīng)結(jié)束，經(jīng)簡(jiǎn)單處理，回收的離子液體可重復(fù)使用。本發(fā)明與傳統(tǒng)方法相比，其特點(diǎn)是：（1）無(wú)需采用背景技術(shù)中的酸精制脫氮，顯著改善了設(shè)備腐蝕和廢水排放等問(wèn)題。（2）所用離子液體脫氮方法條件緩和，操作簡(jiǎn)單易行，且離子液體可實(shí)現(xiàn)重復(fù)使用。（3）與其他離子液體相比，所用離子液體能夠同時(shí)脫除油品堿性和非堿性氮，且保持較高的選擇性，一次脫氮即可將氮含量降至10?mg?L-1以下，且克服了原有脫氮?jiǎng)┲荒苊摮龎A性氮或非堿性氮的弊端。

本發(fā)明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質(zhì)還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們?nèi)苡谌ルx子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅(qū)體粉末。將前驅(qū)體粉末置于高溫反應(yīng)爐中，并通入還原氣體作為反應(yīng)和保護(hù)氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應(yīng)溫度低、反應(yīng)時(shí)間短、生產(chǎn)成本低、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，適合工業(yè)化生產(chǎn)。

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示四大模塊組成，傳感器由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換、ＭＣＳ５１單片機(jī)和液晶顯示三個(gè)大模塊組成，傳感器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的間接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和電阻組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)、兩個(gè)電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電

本發(fā)明的硅基縫隙耦合式的直接式毫米波信號(hào)檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開(kāi)關(guān)、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器、Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，該結(jié)構(gòu)制作在高阻Ｓｉ襯底上，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有個(gè)移相器；Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功分器和Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ功合器主要是由共面波導(dǎo)、非對(duì)稱共面帶線和隔離電阻組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)熱電偶和隔直電容所構(gòu)成

已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級(jí)瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測(cè)到近導(dǎo)帶能級(jí)ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國(guó)際上第一次通過(guò)高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來(lái)源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O