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主要性能指特點   您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！  ※高真空BNC直通頭，真空度達10-6pa，可用于面板安裝，也可用于機箱配線架安裝。 ※BNC雙通信號線連接，用于兩段或多段信號線連接，也可用于安裝面板，實屬工程安裝不可或缺。 ※兩端都是BNC母頭，可配合BNC公頭使用。 ※高真空BNC連接器是按照*工技術研制生產，具有卡口鎖定連接結構，可以快速接通和斷開。 ※此款真空式母頭專門用于壓接廣泛使用的RG174/188/316，50歐姆同軸線纜，真空度達10-6pa真空腔體*用屏蔽連接器。 ※BNC連接器連接扭鎖，因而特別適合射頻應用。   您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ BNC連接器主要性能指標 溫度范圍：-55℃～+165℃（PECable-40～+85℃） 特性阻抗：50Ω 頻率范圍：0～4GHz 工作電壓：500V（rms） 耐壓：1500V（rms） 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 接觸電阻    中心導體之間：≤0.002Ω 外導體之間：≤0.0025Ω 絕緣電阻：≥500MΩ 內導體保持力：≥0.57N 插入損耗：0.20dB/3GHz 連接器嚙合力：8-63N 連接器拉脫力：8-63N 電壓駐波比：直 式：≤1.22/3GHz  彎 式：≤1.30/3GHz 耐用性：≥500次 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。  

錦正茂實驗室設備標準化設計圓柱形真空腔體 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 錦正茂實驗室設備標準化設計圓柱形真空腔體 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 作為北京高科技企業，錦正茂科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。 錦正茂始終秉承“誠信、合作、創造、共贏”的經營理念，將現代化管理技術引入到產品生產與管理中，通過新的軍民融合平臺建設，形成具有一定市場競爭優勢的高科技企業；其次，公司逐步形成以現代化高科技產業化帶動企業價值增張的商業模式，堅持“與時俱進，科技創新”的思路，彰顯業務的核心優勢，共創新的戰略制高點。 公司目前擁有各類技術人員30余名，其中產品研發工程師10余名（高級工程師4名）、工藝工程師3名、檢測工程師2名，售后服務工程師3名。已形成完整的設計、生產、安裝、調試、維修及相關配套服務的專業化的人才隊伍。承接大、中、小型儀器儀表的設計、生產、安裝、調試、維修業務。  

儲能在新型電力系統中源、網、荷側發揮重要的作用，儲能規劃運行和安全管理是推廣儲能可靠、安全、經濟運行的重要保障。本項目圍繞電力系統中不同應用場景的源、荷特性，針對光伏電站棄光率高和預測合格率低的問題，結合電池儲能SOX(SOH、SOP及SOE)動態性能，進行能量管理優化，提出了一種計算每個月光伏預測的合格率及懲罰成本的技術，可有效提升不同應用場景的儲能安全性和系統經濟性。 發電側:提升預測精度，減小懲罰成本，多目標優化； 配網側:可削峰填谷，提升分布式光伏消納； 負荷側:成本低，收益大。

目前主流的抗菌膜制備方法是在基膜表面接枝抗菌物質，常用的抗菌材料包括氧化石墨烯、碳納米管、抗菌聚合物、金屬離子等，但這些材料普遍存在著接枝方式復雜，且對環境有危害的缺陷。相比而言，季銨鹽類抗菌劑具有抗菌效果好，環境友好等特點，目前水溶性的小分子或高分子季銨鹽抗菌劑已經廣泛應用于水處理、食品、醫療衛生和包裝材料等領域。然而，將季銨化合物直接接枝到膜表面所制備的抗菌膜仍存在制備流程復雜，成本較高等問題，這也使得目前開發的大部分季銨鹽功能膜無法大規模應用于實際水處理系統。因此，為解決以上問題，開發新型親水抗菌功膜的制備方法是目前業內所亟需的。 本成果中提出的制備方法將氯甲基化聚合物制備為中空纖維多孔膜，并制作為管殼式膜組件，之后采用過濾操作模式直接將叔胺化合物接枝到組件中的中空纖維膜絲上，從而制備出具有優良抗菌性能的季銨化功能膜組件。該制備方法簡單便捷，且接枝穩定性高，適合長期大規模應用于實際膜法水處理體系中，且制備的超濾膜具有良好的親水性和抗菌性。抗菌膜制備簡單便捷，常溫常壓過濾操作即可完成接枝，且接枝穩定性高，成本低，對水體中微生物去除率99.9%以上，尤其能抑制微生物在膜上（內外表面，孔道壁面）生長。 圖1.性能參數

摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優點，而后續處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導電薄膜性能的關鍵。為此我們研究 105  到  10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規律，發現：電阻率的降低集中在相對狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa  到 10 Pa  之間，電阻率陡降了 2 個數量級。電阻率在 10 Pa  退火時達到最小值，繼續提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續降低。這一研究結果不僅澄清了以往對溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續工藝處理的模糊認識，而且對實際生產工藝具有重要的指導意義，例如以此為根據，選擇合適的真空度退火，達到既滿足產品的性能指標，又能節能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS  的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+  對 Zn2+  離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用  Ar+ 離子對退火后的樣品進行反濺射清洗，能進一步提高電導率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結構，能將入射太陽光分散到各個角度。用作太陽能電池電極時，能有效增強太陽能電池內的光吸收材料對入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。

低成本冶金法生產太陽能級多晶硅的技術瓶頸是無法實現真空感應熔煉的連續化生產，因此無法實現規模化量產。因此，本團隊開展“低成本太陽能級多晶硅真空除磷連續化生產關鍵技術及其產業化”的研究，重點要解決太陽能級多晶硅真空感應熔煉除磷的連續化生產關鍵技術，徹底突破低成本冶金法生產太陽能級多晶硅的關鍵工藝技術瓶頸。

用于制備各向異性熱變形稀土永磁體的真空感應熱壓熱變形裝置，包括支撐體、爐體、施壓系統和加熱系統，所述施壓系統包括上壓頭、下壓頭和液壓驅動組件，所述加熱系統包括感應線圈及與感應線圈連接的感應加熱電源，所述爐體為夾層水冷結構，爐體外壁設有冷卻水進口和冷卻水出口，爐門上設有觀察窗。爐體安裝在支撐體的底座上，下壓頭位于爐體內腔并固定在爐體底部用于放置模具，上壓頭位于爐體內腔，其上端與伸入爐體內腔的液壓驅動組件中的壓桿連接并位于下壓頭的上方，所述壓桿、上壓頭和下壓頭的中心線重合，感應線圈位于爐體內腔并安裝在與模具的放置位置相適應處。該裝置能縮短磁體的冷卻時間，保證大尺寸磁體的磁性能和提高生產效率。

項目介紹： 本項目的研發工作先后獲得日本學術振興會（JSPS）、日本大阪鹽野（Shiono）香精株式會社的資助(2005, 04 - 2007, 07)。目前擁有日本授權專利1項，專利號：P2008-79558A（日本特許公開）。 大多數香精香料油的香味和藥用特征主要由含氧組分提供。超臨界二氧化碳可用于從香精香料油中分離含氧組分。但是由于比較低的得率和不穩定的分離效果，這一技術并不能在工業過程中取代真空精餾。研究表明，超臨界二氧化碳萃餾過程與真空精餾實際上是互補性很強的過程，配合使用可以成功得到高純度和高得率的香精香料油中的含氧組分；基于這一技術，與日本大阪市的鹽野香精香料株式會社（Shiono Flavor Co., Ltd.，Osaka, Japan)共同開發了從香精香料油副產物中精制香精成分的連續化萃餾技術。并獲得日本特許公開（專利）的授權。

本發明公開了一種沿面擊穿型兩對棒極結構觸發真空開關；觸 發真空開關采用三段式結構，包括上段波紋狀陶瓷外殼，下段波紋狀 陶瓷外殼，中段金屬屏蔽罩，設置在金屬屏蔽罩內的上電極和下電極， 觸發電極，上電極金屬連桿，上電極法蘭盤，下電極金屬連桿以及下 電極法蘭盤；上電極法蘭盤與上段波紋狀陶瓷外殼連接，下電極法蘭 盤與下段波紋狀陶瓷外殼連接，再與金屬屏蔽罩共同構成密閉殼體； 通過上段波紋狀陶瓷外殼連接上電極法蘭盤，以及通過下段波紋狀陶 瓷外殼連接下電極法蘭盤能有效提高上電極法蘭盤與下電極法蘭盤之 間的爬電距離