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大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩(wěn)定性、承載力和變形分析
1.依據(jù)海河實(shí)際土質(zhì)條件，提出了基槽水下開(kāi)挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開(kāi)挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測(cè)要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過(guò)應(yīng)力路徑試驗(yàn)方法，進(jìn)行模擬基坑開(kāi)挖時(shí)主動(dòng)區(qū)側(cè)向卸荷試驗(yàn)（DEP）和固結(jié)試驗(yàn)，得到主動(dòng)區(qū)卸荷狀態(tài)下土的強(qiáng)度參數(shù)；5.編制了天津市地方標(biāo)準(zhǔn)《內(nèi)河沉管法隧道設(shè)計(jì)、施工及驗(yàn)收規(guī)范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環(huán)境下，針對(duì)內(nèi)河沉管沉放過(guò)程中存在的技術(shù)難題，形成了對(duì)沉
天津城建大學(xué)
2021-01-12
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一種通過(guò)原位沉積磷酸鈣對(duì)碳納米管進(jìn)行功能改進(jìn)的方法
一種通過(guò)原位沉積磷酸鈣對(duì)碳納米管進(jìn)行功能改性的方法，其步驟為：a、接枝反應(yīng)將聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或馬來(lái)酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶聯(lián)劑構(gòu)成接枝反應(yīng)液；再將經(jīng)酸化預(yù)處理后的碳納米管粉末和催化量的酯化催化劑加入到接枝反應(yīng)液中，進(jìn)行酯化反應(yīng)；然后過(guò)濾、洗滌、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳納米管；b、礦化反應(yīng) 再將a步接枝后的碳納米管置入成分與模擬體液相同，但離子濃度為模擬體液2-10倍的快速礦化液中，超聲分散后置于溫度為37℃的環(huán)境中，靜置1-7天。該種方法改性后的碳納米管的親水性以及生物相容性好，可用作醫(yī)用高分子復(fù)合材料的增強(qiáng)體或者藥物載體材料。
西南交通大學(xué)
2016-10-20
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一種環(huán)氧樹(shù)脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種環(huán)氧樹(shù)脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及其制 備方法。所述環(huán)氧樹(shù)脂-二氧化硅空心管復(fù)合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環(huán)氧樹(shù)脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環(huán)氧樹(shù)脂中，其 添加量為環(huán)氧樹(shù)脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環(huán)氧樹(shù)脂中，形成環(huán)氧樹(shù)脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3
華中科技大學(xué)
2021-04-14
制造有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法、實(shí)現(xiàn)該方法的噴嘴及裝置
本發(fā)明公開(kāi)了應(yīng)用混合型噴嘴噴印制造有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導(dǎo)電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導(dǎo)電單元及覆在導(dǎo)電單 元上的油層；4)轉(zhuǎn)印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發(fā)明工藝簡(jiǎn) 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán) 境要求也較低；成本低，設(shè)備成本低，同時(shí)制造過(guò)程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復(fù)定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿(mǎn)足電路要求；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱的制作方法
（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201310543403.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制作方法為：（1）在鋼管內(nèi)部焊接加勁肋，然后在鋼管內(nèi)部澆筑高強(qiáng)混凝土，形成鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱；（2）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內(nèi)截面拐角處，設(shè)置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱和異形FRP管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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提升結(jié)晶小分子半導(dǎo)體在n型有機(jī)薄膜晶體管柔性方面的研究
該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過(guò)合成一個(gè)柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導(dǎo)體的晶界，提升其機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)了柔性有機(jī)晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。
南方科技大學(xué)
2021-04-14
實(shí)驗(yàn)室溫度計(jì) 硅二極管溫度傳感器 DT640
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專(zhuān)門(mén)適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線(xiàn)，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線(xiàn)；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線(xiàn)：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-06-27
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進(jìn)展 | 電子系崔開(kāi)宇在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片
清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開(kāi)宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國(guó)際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測(cè)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。
清華大學(xué)
2022-05-30
喜迎二十大 | 管培俊：高質(zhì)量的高等教育是億萬(wàn)人民的期待
我們熱切地期望二十大之后，我國(guó)高等教育的發(fā)展實(shí)現(xiàn)新的歷史性跨越。
人民政協(xié)報(bào)
2022-10-12
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可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ｎ?ＺｎＯ納米線(xiàn)；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長(zhǎng)ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問(wèn)題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。
東南大學(xué)
2021-04-11