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DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測(cè)量?jī)x器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
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特點(diǎn)：
※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用；
※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
關(guān)于國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“農(nóng)業(yè)生物種質(zhì)資源挖掘與創(chuàng)新利用”重點(diǎn)專項(xiàng)2023年度指南項(xiàng)目正式申報(bào)書（含預(yù)算申報(bào)書）填報(bào)的通知
根據(jù)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)管理工作的總體部署，中國(guó)農(nóng)村技術(shù)開(kāi)發(fā)中心已完成“農(nóng)業(yè)生物種質(zhì)資源挖掘與創(chuàng)新利用”重點(diǎn)專項(xiàng)2023年度指南項(xiàng)目預(yù)申報(bào)受理和形式審查，形審結(jié)果已通過(guò)國(guó)家科技管理信息系統(tǒng)進(jìn)行反饋，依規(guī)確定了進(jìn)入正式申報(bào)環(huán)節(jié)的申報(bào)項(xiàng)目。請(qǐng)收到農(nóng)村中心正式申報(bào)通知郵件的項(xiàng)目，按要求填報(bào)項(xiàng)目正式申報(bào)書（含預(yù)算申報(bào)書）。
科學(xué)技術(shù)部
2023-07-05
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安徽大學(xué)基于金屬有機(jī)框架納米材料的電致化學(xué)發(fā)光生物傳感器用于高靈敏檢測(cè)腫瘤標(biāo)志物研究取得新進(jìn)展
Ti3C2Tx-MXene是一種新型的二維納米材料，該材料具有良好的金屬導(dǎo)電性、親水性、大比表面積及豐富的表面修飾基團(tuán)等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用在催化、電化學(xué)傳感領(lǐng)域。
安徽大學(xué)
2022-06-13
安徽大學(xué)基于金屬有機(jī)框架納米材料的電致化學(xué)發(fā)光生物傳感器用于高靈敏檢測(cè)腫瘤標(biāo)志物研究取得新進(jìn)展
我校毛昌杰教授團(tuán)隊(duì)以二維過(guò)渡金屬碳化物（Ti3C2Tx-MXene）為金屬源合成金屬有機(jī)框架納米材料（Ti3C2Tx-PMOF），并成功將其應(yīng)用于電致化學(xué)發(fā)光生物傳感領(lǐng)域。
安徽大學(xué)
2022-06-01
關(guān)于填報(bào)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“生物安全關(guān)鍵技術(shù)研究”等4個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)2023年度項(xiàng)目正式申報(bào)書（含預(yù)算申報(bào)書）的通知
根據(jù)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)管理工作的總體部署，由中國(guó)生物技術(shù)發(fā)展中心承擔(dān)管理的“生物安全關(guān)鍵技術(shù)研究”“常見(jiàn)多發(fā)病防治研究”“前沿生物技術(shù)”“中醫(yī)藥現(xiàn)代化”4個(gè)重點(diǎn)專項(xiàng)2023年度項(xiàng)目將進(jìn)入正式申報(bào)書（含預(yù)算申報(bào)書）填報(bào)階段?，F(xiàn)將有關(guān)要求通知如下。
科學(xué)技術(shù)部
2023-08-21
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北京大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院張蔚課題組以枯葉蛺蝶屬為例揭示山地生物多樣性演化和遺傳機(jī)制
生物多樣性包括物種多樣性、遺傳多樣性和生態(tài)系統(tǒng)多樣性，其成因是生物學(xué)中的核心問(wèn)題之一。陸地環(huán)境中，山區(qū)生態(tài)系統(tǒng)蘊(yùn)藏著異常多樣的陸地生物多樣性，可能的解釋包括巨大的海拔梯度變化形成了多樣的微環(huán)境，促進(jìn)了種群的分化。
北京大學(xué)
2022-08-26
關(guān)于組織開(kāi)展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器申報(bào)和績(jī)效評(píng)價(jià)工作的通知
為貫徹落實(shí)黨的二十大精神，加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，促進(jìn)創(chuàng)業(yè)孵化機(jī)構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動(dòng)科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動(dòng)效應(yīng)，現(xiàn)開(kāi)展2023年山西省省級(jí)科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項(xiàng)通知如下
山西省科技廳國(guó)際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時(shí)檢測(cè)CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測(cè)Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過(guò)激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對(duì)溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測(cè)出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對(duì)Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測(cè).
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于薄膜太陽(yáng)能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽(yáng)能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡(jiǎn)單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過(guò)細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２，可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過(guò)細(xì)槽與可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１對(duì)應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過(guò)淺槽二與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２對(duì)應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過(guò)可測(cè)量低壓差的電容Ｃ１與可測(cè)量高壓差的電容Ｃ２分別實(shí)現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測(cè)量。
東南大學(xué)
2021-04-11