|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
上海市人民政府辦公廳關于印發《上海市高質量孵化器培育實施方案》的通知
為深入實施創新驅動發展戰略，加快實現高水平科技自立自強，發揮孵化器在全過程創新、全要素集聚、全鏈條加速等方面的作用，持續優化本市科創生態體系，助力硬科技企業培育和未來產業高質量發展，全面支撐國際科創中心建設，制定本實施方案。
人民政府辦公廳
2023-07-24
安徽大學謝峰老師課題組在寬禁帶半導體紫外探測和激光器研制方面取得新進展
近期，信息材料與智能感知安徽省實驗室謝峰老師課題組在寬禁帶半導體日盲紫外探測器和白光激光器研究方面取得新進展，相關研究成果相繼發表在國際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學信息材料與智能感知安徽省實驗室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。
安徽大學
2022-08-26
一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統
本實用新型公開了一種基于單相全橋二極管鉗位多電平背靠背變換器的同相供電系統，其平衡變壓器(1)的輸入端L
西南交通大學
2016-10-24
低溫恒溫器4K/10K單級雙級GM脈沖管PT無液氦極低溫制冷機
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-06
西安交通大學能源與動力工程學院加速器中子源低能段真空設備競爭性磋商
西安交通大學能源與動力工程學院加速器中子源低能段真空設備競爭性磋商
西安交通大學
2022-06-07
關于公布2022年度寧夏回族自治區級科技企業孵化器和眾創空間績效評價結果的通知
根據《寧夏回族自治區科技企業孵化器管理暫行辦法》（寧科規發〔2021〕16號）、《寧夏回族自治區眾創空間管理暫行辦法》（寧科規發〔2021〕17號）和《寧夏回族自治區支持科技企業孵化器和眾創空間高質量發展獎補實施細則》（寧科規發〔2023〕1號）的有關規定，自治區科技廳對2021年以前認定的74家自治區級科技企業孵化器和眾創空間進行了績效評價，現將評價結果予以公布。
自治區科學技術廳
2023-07-07
錦正茂定制液氮低溫恒溫器 光學 實驗室降溫設備 溫區65K~500K 可選700K
北京錦正茂科技有限公司
2022-11-14
寧夏回族自治區科技廳關于組織開展2023年度自治區級科技企業孵化器認定工作的通知
為推動自治區科技企業孵化器高質量發展，加快培育科技型企業，優化創新創業生態，完善孵化育成體系，形成大眾創業萬眾創新蓬勃發展新局面，根據《關于加快科技企業孵化器高質量發展的意見》（寧科高字〔2021〕30號）和《寧夏回族自治區科技企業孵化器管理暫行辦法》（寧科規發〔2021〕16號）要求，自治區科技廳組織開展2023年度自治區級科技企業孵化器認定工作。
自治區科學技術廳
2023-08-07
技術需求：高鐵牽引變壓器光聲光譜儀研制與開發、電力和軌道交通用智能環保氣體絕緣開關等項目。
山東魯圣電氣設備有限公司的主營產品之一是電力變壓器和電力開關柜，為拓寬產業鏈，提升產品市場競爭力，公司擬與中國科學院電工研究所開展技術合作，進行高鐵牽引變壓器光聲光譜儀研制與開發、電力和軌道交通用智能環保氣體絕緣開關等項目。
山東魯圣電氣設備有限公司
2021-08-23
錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！
特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
您也可以直接登錄淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯系更加方便！
參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
???????
北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05