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砷化鎵基超快激光器與高效率輕質砷化鎵薄膜三結太陽電池
激光雷達等傳感器以及高效率砷化鎵太陽能電池是國務院國家制造強國建設戰略咨詢委員會列出的核心基礎元器件，本項目在國務院國資委以及國家級人才計劃科研項目支持下，聯合國內知名企業進行關鍵技術攻關，研制出基于砷化鎵的超快半導體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫療等領域，同時研制出的高效率砷化鎵薄膜三結電池曾獲得世界最高效率，相關產品已處于中試和量產階段，本項目相關技術和產品曾獲得過2018年度上海市科技進步二等獎，2020年中國發明協會發明創新二等獎，2020年中國光學學會光學科技獎一等獎等獎勵。本次將展示本項目研制的相關砷化鎵基半導體激光器以及高效率柔性輕質砷化鎵薄膜三結太陽能電池。
復旦大學
2021-09-18
安徽大學謝峰老師課題組在寬禁帶半導體紫外探測和激光器研制方面取得新進展
近期，信息材料與智能感知安徽省實驗室謝峰老師課題組在寬禁帶半導體日盲紫外探測器和白光激光器研究方面取得新進展，相關研究成果相繼發表在國際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學信息材料與智能感知安徽省實驗室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。
安徽大學
2022-08-26
東南大學生物科學與醫學工程學院激光共聚焦顯微鏡項目公開招標公告
生物科學與醫學工程學院激光共聚焦顯微鏡招標項目的潛在投標人應在南京市建鄴區西城路300號君泰國際大廈C座3樓新華招標有限公司獲取招標文件，并于2022年07月04日14點00分（北京時間）前遞交投標文件。
東南大學
2022-06-14
清華大學材料學院和機械系研究團隊聯合報道“超快激光誘導構筑金屬-載體強相互作用”新進展
近日，材料學院汪長安教授團隊和機械系閆劍鋒副教授合作首次以超快激光誘導構筑金屬-載體強相互作用(SMSI)。利用超快激光激發界面局部電場強度，調節原子擴散速率和路徑，誘導表面缺陷形成以及亞穩態結構遷移，在一系列負載型貴金屬催化劑中構筑金屬-載體界面強相互作用。
清華大學
2021-12-01
廈門大學電子科學與技術學院羅正錢教授團隊在可見光時空鎖模光纖激光器研究取得重要進展
羅正錢教授團隊采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見光增益介質，構建基于非線性偏轉旋轉（NPR）技術的鎖模激光腔，利用腔內空間濾波效應和NPR可飽和吸收效應補償階躍折射率光纖中超大的模間色散，從而平衡了各橫模之間的走離效應，首次實現了可見光波段的時空鎖模光纖激光。
廈門大學
2022-06-15
中山大學電子與信息工程學院李朝暉、張斌團隊在大帶寬可調諧片上激光器研究方面取得重要進展
李朝暉教授、張斌副教授團隊自主開發了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺，該平臺具有低損耗、高光學非線性和高拉曼增益、可實現靈活的色散調控、硅基片上集成等特點，非常適合于實現可調諧的片上拉曼激光器。
中山大學
2022-05-30
技術需求：工業級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發控制程序的編程研發
工業級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發控制程序的編程研發
臨沂拓普三維科技有限公司
2021-08-24
南京大學余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅動納米線超高速生長集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規?；瘧锰峁╆P鍵的材料支撐和全新的技術路線。
南京大學
2021-02-01