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青島青軟晶尊微電子科技有限公司，是國內(nèi)面向集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域提供產(chǎn)教融合整體解決方案的領(lǐng)先企業(yè)。具有五千顆芯片設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)公司。公司以青島總部為中心，先后成立南京子公司、上海分公司、安徽子公司等，全面輻射長三角經(jīng)濟(jì)帶，形成東部沿海發(fā)展網(wǎng)絡(luò)，打造國內(nèi)一流的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)與教育培訓(xùn)基地。同時(shí)借助臺灣業(yè)務(wù)平臺，開拓國際業(yè)務(wù)，積極部署國際化發(fā)展戰(zhàn)略。 青軟晶尊集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)始于1996年，為國內(nèi)最早從事集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)的企業(yè)，公司擁有20余年的集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，向客戶提供高速DDR存儲類芯片、固態(tài)射頻IC、MCU、電源管理、LCD液晶驅(qū)動、AD/DA轉(zhuǎn)換芯片等不同功能、不同工藝廠商芯片的設(shè)計(jì)服務(wù)。為客戶累計(jì)完成5000余顆芯片的設(shè)計(jì)。公司依據(jù)高品質(zhì)的設(shè)計(jì)服務(wù)能力，在美國、日本、臺灣及國內(nèi)積累了長期、穩(wěn)定的客戶群體，如Ti、AMD、TOSHIBA、TSMC、MTK等全球知名集成電路企業(yè)，并通過國際DNV信息安全風(fēng)險(xiǎn)管理體系認(rèn)證。

有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦以其光吸收系數(shù)高、載流子擴(kuò)散距離長、制備方法簡單、帶隙連續(xù)可調(diào)等特性，被廣泛認(rèn)為是發(fā)展下一代光伏器件的理想材料。自2009年以來，僅僅歷經(jīng)10年的發(fā)展時(shí)間，鈣鈦礦太陽能電池的能量轉(zhuǎn)化效率已經(jīng)達(dá)到25.2%，發(fā)展速度為各類太陽能電池之最。但是，由于鈣鈦礦太陽能電池當(dāng)前面臨的熱穩(wěn)定性、長時(shí)間工作穩(wěn)定性等問題，嚴(yán)重阻礙了其商業(yè)化應(yīng)用發(fā)展。針對此問題，北京大學(xué)物理學(xué)院趙清教授課題組利用材料工程方法，設(shè)計(jì)提出了富溴鈣鈦礦籽晶誘導(dǎo)生長兩步法，實(shí)現(xiàn)了鈣鈦礦薄膜中溴離子的高效摻雜，有效提高了鈣鈦礦太陽能電池的長時(shí)間工作穩(wěn)定性。 通過在碘化鉛薄膜中引入微米級富溴鈣鈦礦籽晶，一方面提供后續(xù)鈣鈦礦生長所需的成核位點(diǎn)、誘導(dǎo)薄膜生長、提高薄膜生長質(zhì)量，另一方面為鈣鈦礦生長提供充足的溴元素，解決兩步法中溴離子難以有效摻雜的問題。通過改變鈣鈦礦籽晶的添加量，可以實(shí)現(xiàn)對鈣鈦礦成核、晶粒大小、缺陷態(tài)密度等的精確調(diào)控，實(shí)現(xiàn)對最終鈣鈦礦成分與帶隙的精準(zhǔn)控制。測試表明，利用富溴鈣鈦礦籽晶誘導(dǎo)生長兩步旋涂法制備得到的鈣鈦礦太陽能電池器件，其能量轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到21.5%；更為重要的是，其長時(shí)間工作穩(wěn)定性得到了顯著提高，在AM1.5G太陽光下持續(xù)工作500小時(shí)后，仍然能保持超過80%的初始效率。這一成果遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過傳統(tǒng)兩步法僅有的數(shù)小時(shí)穩(wěn)定性。該研究表明，溴元素對鈣鈦礦材料長時(shí)間工作穩(wěn)定性具有至關(guān)重要的作用，同時(shí)，提供了一條簡單、高效、穩(wěn)定的基于鈣鈦礦兩步法的溴摻雜方法。此研究將為鈣鈦礦領(lǐng)域內(nèi)鹵素離子的均勻高效摻入、器件長時(shí)間工作穩(wěn)定性的提高等問題提供了新的思路。相關(guān)研究結(jié)果發(fā)表于Advanced Energy Materials 9, 1902239 (2019),并被選為當(dāng)期封底圖片。北京大學(xué)博士生李琪為該研究論文的第一作者，趙清教授為通訊作者。以上研究得到了國家自然科學(xué)基金委、北京大學(xué)人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、北京大學(xué)納光電子前沿科學(xué)中心、量子物質(zhì)科學(xué)協(xié)同創(chuàng)新中心等單位的支持。

霧化噴射沉積成形技術(shù)近年來被廣泛用于研究和發(fā)展高性能的快速凝固材料。該技術(shù)最突出的創(chuàng)新點(diǎn)在于，將液態(tài)金屬的霧化和霧化熔滴的沉積自然地結(jié)合在一起，是一種短流程快速凝固體材料制備新技術(shù)。噴射沉積成形塊體致密件的形成，是在特定條件下的凝固過程。其基本特點(diǎn)是在沉積表面形成一層極薄的液膜，塊體致密件的形成則是這一液膜不斷凝固、推進(jìn)的過程。在多年研究噴射成形技術(shù)的基礎(chǔ)上，楊濱教授及其課題組成員近年利用噴射沉積成形技術(shù)成功地制備出了最大直徑為380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大塊非晶合金，這是國際上迄今報(bào)導(dǎo)的最大尺寸的鑭基非晶合金樣品。DSC測試結(jié)果表明，沉積態(tài)La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的過冷液相區(qū)寬度DTx和約化玻璃轉(zhuǎn)變溫度Trg均高于單輥旋轉(zhuǎn)熔體快淬或銅模鑄造法制備的同成分非晶合金。 已獲得中國發(fā)明專利，楊濱，劉宗峰，張勇，張濟(jì)山，陳國良，一種噴射沉積成形制備鑭基大塊非晶合金的方法，專利號：ZL200510086239.6。“高熔點(diǎn)高合金化材料快速凝固氣霧化制備技術(shù)”，獲中國有色金屬工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎一等獎（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場效應(yīng)晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。

成功開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo) 電。淺色導(dǎo)電晶須的開發(fā)研究對白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)，葛 明橋教授團(tuán)隊(duì)開發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，可提高白色導(dǎo) 電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 2 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達(dá)到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，315 該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié) 構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 3 知識產(chǎn)權(quán)及項(xiàng)目獲獎情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請專利 6 項(xiàng) 4 項(xiàng)目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 5 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。

本發(fā)明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時(shí)使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動 過冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實(shí)現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅(qū)動方式

本發(fā)明公開了一種非晶基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結(jié)構(gòu)；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時(shí)對其實(shí)施 超聲振動，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過程中不會發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復(fù)合材料。本發(fā)明還公

本發(fā)明公開了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應(yīng)電流的作用下升溫至過冷液態(tài)區(qū)， 同時(shí)在洛倫茲力的驅(qū)動下變形至模具冷卻成形；感應(yīng)電流和洛倫茲力均由成形線圈放電產(chǎn)生，感應(yīng)電流由設(shè)置在成形線圈周圍的導(dǎo)體在成 形線圈放電過程中感應(yīng)產(chǎn)生，洛倫茲力由放電過程中成形線圈產(chǎn)生的 磁場與非晶合金樣件流過的感應(yīng)電流共同作用產(chǎn)生，導(dǎo)體與非晶合金 樣件構(gòu)成感應(yīng)回路，以使感應(yīng)電流流過所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過程在數(shù)毫秒脈沖放電時(shí)間內(nèi)一次完成，具 有升溫、成形、冷

本發(fā)明公開了一種利用選區(qū)激光熔化制備非晶合金及其復(fù)合材 料零件方法，運(yùn)用這種方法，可以制備出尺寸較大、形狀復(fù)雜、強(qiáng)度 較高、成分均勻、晶化較少的非晶合金及其復(fù)合材料零件。該方法具 體包括如下步驟：(1)非晶粉末制備，(2)非晶復(fù)合粉末制備，(3)零件模 型準(zhǔn)備，(4)基板安裝，(5)氣氛保護(hù)，(6)紅光定位，(7)激光加工，(8) 熱處理。本發(fā)明將選區(qū)激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技術(shù)運(yùn)用