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納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法
本發明提供了一種納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體的制備方法。其特征在于以粉狀釩酸銨、碳質還原劑和微量稀土等催化劑為原料，按一定配比將它們溶于去離子水或蒸餾水中，并攪拌均勻，制得溶液。然后將該溶液加熱、干燥，最后得到含有釩源和碳源的前驅體粉末。將前驅體粉末置于高溫反應爐中，并通入還原氣體作為反應和保護氣體，于800～950℃、30～60min條件下，制得平均粒徑＜100nm、粒度分布均勻的納米氮化釩及納米碳氮化釩粉體。本方法具有反應溫度低、反應時間短、生產成本低、工藝簡單等特點，適合工業化生產。
四川大學
2021-04-11
氮化鎵界面態起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態，在70K低溫下探測到近導帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發現晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導帶界面態主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學院大學
2021-01-12
自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷
北京科技大學特種陶瓷研究室開發出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高。可制作復雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優良。 已獲中國發明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學
2021-04-11
FEP薄膜
產品詳細介紹
南京瑞尼克科技開發有限公司
2021-08-23
高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導體所是國內最早開展 GaN 基電子材料研發的單位，并一直在該領域起著引領、 示范和帶動作用。經過盡二十年的自主創新，攻克了 2 英寸和3英寸藍寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關鍵科學技術問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質結結構材料等方面形成了系統的自主知識產權，設計并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質結構電子材料，并實現了批量供片。市場預期：該技術是采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）
中國科學院大學
2021-01-12
低輻射薄膜
已有樣品/n該項目提供了一種新型低輻射薄膜，分別采用金屬薄銀層來抑制長波長紅外波和短波長紫外波的透射，采用周期性結構來增強可見光波段的透射；對可見光的透射率達到70~96%，對紫外波段的透射率降低到15%、對780nm~1200nm 紅外波段的透射率降低到10%以下、對1200nm~3000nm 紅外波段的透射率降低到25%以下，層數顯著降低，很大程度上縮減了成本，簡化了工藝流程。該項目提供的薄膜具有防紫外線、透明和
華中科技大學
2021-01-12
薄膜萃取系統
產品特點：
· 整機功能集成化，外觀簡潔、大方
· 電氣化控制簡潔、實用
· 內部結構采用多分區、模塊化設計，滿足不同工藝下使用要求
· 設備可以整體移動、固定，對于需要在不同環境使用具有較高適用性。
· 操作、維護方便，性能安全可靠
· 可以通過不同的萃取時間、方案，完全模擬出萃取線的過程及其結果
產品應用：
· 開發新的薄膜配方和材料
· 測試新的薄膜表面/添加劑
· 驗證薄膜生產工藝條件
· 測試不同萃取方案對于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測試
· 小批量薄膜生產
技術參數：
· 萃取樣品尺寸規格——850mm×850mm
· 樣品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 內部分區——3區
· 萃取介質進出——雙泵單獨控制
· 輔助萃取（可選）——強力超聲波發生器
· 設備尺寸—— 1m×1m×1.3m （長×寬×高）
青島中科華聯新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸機
產品特點：
· 符合人體工程學設計
· 簡單、直觀的電氣化控制
· 通過循環空氣或紅外加熱，薄膜達到精確、可靠的溫度
· 通過精準的溫度平衡實現完美的工藝控制
· 調試維修方便簡單，使用性能可靠
· 可進行縱向、橫向或在任何位置的雙向同步或異步拉伸
· 可通過不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模擬薄膜拉伸流水線工藝
產品應用：
· 開發新的薄膜配方和材料
· 測試新的薄膜表面/添加劑
· 驗證薄膜生產工藝條件
· 測試不同萃取方案對于材料的影響
· 萃取后薄膜樣品性能測試
· 小批量薄膜生產
技術參數：
· 設備配置——5鋏子配置
· 推薦的初始樣品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含鋏頭區域）
· 拉伸樣品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夾緊力——1000N
· 每一軸拉伸力——2000N
· 設備尺寸——4m×2m×2m（長×寬×高）
· 拉伸樣品膜加熱系統可到300°C
青島中科華聯新材料股份有限公司
2021-09-03
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應完成為止，還原反應完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅體草酸氧釩；(2)前驅體的氨解，將所獲前驅體草酸氧釩放入加熱爐，在流動氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進行氨解，保溫10分鐘～3小時后關閉加熱爐電源，保持爐內氨氛圍，待分解產物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學
2021-04-11