|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產業化技術
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10
一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法與裝備
本發明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅體蒸汽和活性氮源前驅體氣體分別輸送到反 應腔室內溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分 子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發生化學反應，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續作用直到沉積物覆蓋整個襯底
華中科技大學
2021-04-14
基于硅襯底氮化物材料集成制備微機電可調諧振光柵
南京郵電大學
2021-04-14
分米量級尺寸的六方氮化硼二維單晶的制備
團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉180°時晶格方向發生改變，外延生長時不可避免地出現反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方
南方科技大學
2021-04-14
熒光碳量子點/二氧化硅微球的研發
項目成果/簡介: 熒光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）負載抗體等生物大分子針對病毒、細菌和疾病體外檢測試劑盒。 技術指標（創新要點等）： 1、使用性能優越的碳量子點取代穩定性差、熒光量子產率低的有機熒光染料和毒性大的無機半導體量子點； 2、通過調節碳量子點的合成原料，使得碳量子點偶聯錨定在二氧化硅微球上，且不會引起碳點的熒光猝滅從而有利于連接抗體或生物大分子等，產品具有快速、靈敏度和特異性高等優勢。應用范圍: 應用領域及預期經濟社會效益等： CDs@mSiO2具有經濟性、功能性和環境協調性等基本特性，CDs@mSiO2生產效率高、成本低、性能好等優點，可用于病毒、細菌和疾病體外檢測。效益分析: 應用領域及預期經濟社會效益等： CDs@mSiO2具有經濟性、功能性和環境協調性等基本特性，CDs@mSiO2生產效率高、成本低、性能好等優點，可用于病毒、細菌和疾病體外檢測。知識產權類型:發明專利知識產權編號:1、發明專利“一種兩親性碳量子點及其制備方法” CN201510213429.3； 2、發明專利“一種氮摻雜碳量子點的簡易綠色合成方法” CN201410039846.6； 3、發明專利“一種高強度熒光水凝膠及其制備方法” CN201610060548.4； 4、發明專利“一種超大長徑比的碳量子點聚苯胺復合納米管及其合成方法”201610316536.3； 5、發明專利“一種新型的熒光磁性納米管材料及其制備方法” CN201410185776.5。技術先進程度:達到國內先進水平成果獲得方式:獨立研究獲得政府支持情況:無
安徽大學
2021-04-11
熒光碳量子點/二氧化硅微球的研發
熒光二氧化硅微球（CDs@mSiO2）負載抗體等生物大分子針對病毒、細菌和疾病體外檢測試劑盒。
技術指標（創新要點等）：
1、使用性能優越的碳量子點取代穩定性差、熒光量子產率低的有機熒光染料和毒性大的無機半導體量子點；
2、通過調節碳量子點的合成原料，使得碳量子點偶聯錨定在二氧化硅微球上，且不會引起碳點的熒光猝滅從而有利于連接抗體或生物大分子等，產品具有快速、靈敏度和特異性高等優勢。
安徽大學
2021-05-09
一種基于氧化硅矩形光波導的集成光收發模塊
本實用新型公開了一種基于氧化硅矩形光波導的集成光收發模塊，包括至少一個具有四個45°拋光內端面的矩形氧化硅光波導、至少一個垂直腔面激光器和至少一個光子探測器，其制備方法為：利用45°刀頭將矩形波導切割成三段，由劃片機在芯片上切割出四個45°內端面；采用真空電子束熱蒸發等對應工藝鍍上布拉格反射膜、金屬膜以及金屬導線和焊點；再用折射率匹配膠將切割鍍膜后的矩形波導粘合，同時在內端面狹縫上方一定區域涂上匹配膠；最后通過倒裝焊接的方法，將垂直腔面激光器和光子探測器分別與對應的金屬電極焊接，集成于內端面狹縫之上，本實用新型低成本，高速率，可實現多通道傳輸數據。
浙江大學
2021-04-13
超導 HGMS 耦合尾礦制備高純二氧化硅技術
本技術提出以超導HGMS技術分離提取高純SiO 2 ，SiO 2 品位可達99%以上，低成本、高效、綠色。
該提取產品可用于生產高純SiO2（白炭黑）、微晶玻璃、耐酸、阻燃、輕質保溫或耐火材料、SiC復相材料及復相導電陶瓷材料等。納米級高純SiO2甚至可作儲能、修飾材料等等；SiO2 ≥99～99.5%產品可用于制造玻璃、保溫或耐火材料、冶煉硅鐵、冶金熔劑、研磨料及耐酸工程；SiO2≥99.5～99.9%的高純石英可用于航空、航天、電子、機械及IT等行業，耐火材料、鑄造等行業以及油漆等理想的化工填料。
北京科技大學
2021-04-13
一種新型韌性顆粒強化的鐵基非晶基復合涂層
本發明提供一種新型韌性顆粒強化的鐵基非晶基復合涂層，以 鐵基非晶合金粉末和韌性金屬粉末的機械復合粉末為原料，其中鐵基 非晶合金粉末由下述元素和不可避免的雜質組成：Cr10.0-17.0； Mo12.0-20.0；B4.0-8.0；C10.0-18.0；Y0.0-5.0；Fe 余量（原子百分比）； 韌性金屬粉末可以采用：不銹鋼粉末、鎳基金屬粉末、鈷基金屬粉末、 鋁基金屬粉末或銅基合金粉末；該涂層采用超音速火焰噴涂技術制得。 本發明獲得的鐵基非晶基復合涂層結構致密，孔隙率低，具有較高的 韌性以及與金屬基材良好的結合強度。該復合涂層水力及油氣田開發 設施、管道運輸、船舶甲板等諸多工業領域有著極大的應用前景
華中科技大學
2021-04-13
中國陶瓷產業國際競爭力研究
左和平教授等所著《中國陶瓷產業國際競爭力研究》一書通過探索陶瓷產業國際競爭力的形成機理，發現陶瓷產業國際競爭力的培育路徑和影響因素；通過在全球視角下分析中國陶瓷產業的生產與貿易現狀，分析中國陶瓷產業的發展態勢和趨勢；通過中國陶瓷產業國際競爭力與區域競爭力的測度，明確中國陶瓷產業國際競爭力的國際地位、區域分布和發展態勢；尋找提升中國陶瓷產業國際競爭力的有效途徑和具體的戰略措施，促進中國陶瓷產業國際競爭力的提高。本書獲得第五屆江西省高等學校科技成果獎一等獎。
景德鎮陶瓷大學
2021-05-04