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本發明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構、方法及產品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹

本發明公開了一種入射角不敏感的顏色濾光片，包括基底，所述的基底上布置有若干圓柱形的光柵，所述光柵以正六邊形排列，光柵材料為硅，基底材料為熔融石英。本發明還公開了上述濾光片的制備方法。本發明的入射角不敏感顏色濾光片，與傳統的化學濾光片和傳統的干涉濾光片不同，它采用二維光柵的結構，利用光柵層中產生的巨大的折射率差別，通過高低折射率差區域之間的耦合產生諧振，從而達到入射角不敏感的濾光效果。本發明入射角不敏感的顏色濾光片的制備方法，制備簡單，成本低，便于大規模、批量化生產。因此該發明有望在液晶顯示、彩色印刷、傳感探測和防偽等領域廣泛應用。

本實用新型公開了一種氣體超聲波換能器壓電片與匹配層的壓制夾具。底座安裝下壓板，底座上部安裝氣缸，上壓板與氣缸連接，上壓板下端面中間縱向設有滑槽，二塊固定V型塊固定在滑槽內，上端放有壓電片的真空吸盤安裝在上壓板孔中，并對真空吸盤和壓電片的定位與夾緊；下壓板上端面設有與上壓板滑槽對稱布置的滑槽，固定V型塊固定在滑槽內，上端放有匹配層的真空吸盤安裝在下壓板孔中，活動V型塊推動在滑槽內移動，實現對真空吸盤和匹配層的定位與夾緊；二個真空吸盤開有中心孔，分別經上、下壓板上的氣孔、氣管與各自真空發生器連接。本實用新型采用負壓吸附裝卸壓電片和匹配層方便；使用V型塊定位和夾緊實現壓電片和匹配層對中，同軸度較高。

成果簡介：大蒜素軟膠囊和大蒜素片的藥理作用很廣：1）抗菌作用：大蒜 素對葡萄球菌、腦膜炎雙球菌、肺炎雙球菌、鏈球菌、白喉桿菌、痢疾桿菌、 大腸桿菌、傷寒桿菌、副傷寒桿菌、結核桿菌、霍亂弧菌等均有明顯的抑致或殺滅作用。2）對心血管的作用：大蒜素對飼膽固醇引起家兔高膽固醇血癥，高血液凝固性和主動脈脂質沉積具有保護作用。并有降低血膽固醇、三酸甘油酯和脂蛋白的作用。3）抗癌和提高免疫力作用：對肺部和消化道的霉菌感染有抑制作用，大蒜與腫瘤抽出

本發明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內襯。在高壓釜內襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產物物性能優良。

近日，天津大學姜忠義教授、Michael Guiver教授、尹燕教授合作報道了單相法合成共價有機框架（COF）納米片的研究工作。單相法擺脫了目前常用的“兩相法”或“多相法”對表面/界面的依賴，利用電荷排斥效應，實現了COF納米片的超高體積收率。

本發明公開了一種用于制造片材與柔性薄膜復合疊層的熱壓設備，該設備包括：由上下兩個熱壓頭共同組成的熱壓裝置,位于熱壓裝置的外側用于將片材提供給真空拾放裝置的上料裝置，用于從上料裝置的片材料盒中取料并將片材輸送至下熱壓頭上的相應疊合位置的真空拾放裝置，位于柔性薄膜的輸送路徑上用于將輸送中的柔性薄膜撐起一定高度的撐膜裝置，以及分別用于對柔性薄膜的輸送位置和片材上料位置等信息進行檢測和反饋的薄膜檢測裝置和上料檢測裝置。通過本發明，能夠同時實現熱壓、上料、拾取和轉移等多種功能，結構緊湊，便于控制和操作，并利用視覺定位技術和獨立的熱壓裝置支撐框架來進一步保證薄膜疊層的精度。

3D虛擬校博物館是應用虛擬現實技術及3D建模技術構建，針對學校教育教學成果展示、校園文化成果展示、對外宣傳展示、校園品牌建設而創意研發的。通過展覽館漫游、三維互動體驗的方式，將展廳、展板、展臺、藏品等展示在3D虛擬校博物館中，結合圖片、文字、陳列品、視音頻等資料，以網站或光盤為載體，實現互聯網三維虛擬展覽，全面展示學校風采！ 產品優勢： 1、通過3D校園互聯網展示技術，能夠彰顯學校科技、文化創新意識，迅速吸引社會各界的廣泛關注提升影響力。 2、突破二維圖文平鋪直敘的展示方式，將所有信息通過3D校園展示平臺系統地整合在一起，并通過智能化、互動式的呈現方式吸引參觀者不斷深入和全面地了解學校。 3、分散的校園數字資產通過3D校園系統，得到系統和永久保存。?

現階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示： 器件的基本結構由波導和功能層（由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料（硫系化合物）層）所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現器件的光學讀取功能，即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層，然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸，通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中，從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能，同時在近 C 波段具有較低的光損耗，可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金（如 GSST）作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數，且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數反差，可在更惡劣的高溫環境下進行操作，適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括： ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性，通過電學編程、光學讀取的方法實現器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能：  存儲功能的實現：擬利用相變材料晶態低透過率和非晶態高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’，實現數據存儲（編程）功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖，所產生電流流經加熱層時，生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處，使得接觸處的相變材料發生相變，實現存儲功能。在完成上述編程操作后，從器件波導輸入端輸入讀取連續光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區域間存在著顯著的差異，因此當輸入光經過波導后，其能量會因為相變材料編程區域的吸收而發生改變，進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比（即透過率），可實現對先前編程區域的讀取。  算術和邏輯功能的實現：通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態調控相變材料的相變程度，使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數值，實現多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數量對應加數的方法實現標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續光輸出功率可視為讀取連續光輸入功率和器件透過率的乘積，因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數和乘數的方法實現基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態設置為非晶相，把晶化脈沖幅值和不足以產生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’；同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比，把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’；通過合理選擇編程脈沖有望實現各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現神經突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經網絡芯片，實現圖像、語音和文本識別功能：  突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經生物學基礎，也是人工類腦器件需要實現的首要功能。為實現突觸可塑性，擬把相變材料和波導之間的耦合區域視為仿生神經突觸，左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后，分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節從左右兩端電極輸入耦合區域的電脈沖時間差對耦合區域的光透過率進行連續調控，進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現仿生神經突觸的脈沖時序依賴可塑性（Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。  將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經過相變材料的作用，脈沖強度發生變化，對應于乘法器。進而借助于微環結構，將不同波長的脈沖導入進同一波導中，該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時，讀取光與微環發生共振，在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后，讀取信號不再和微環發生共振，而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經元脈沖信號的激發，實現了非線性激活函數的功能。利用上述的單個神經元結構，驗證其監督式機器學習和非監督式機器學習。對于監督式機器學習，權重的數值通過外部管理器設置；對于非監督式機器學習，不再需要外部管理器來設置權重值，而是通過輸出光脈沖進行反饋控制，調整權重值。在單個神經元結構的基礎上，更復雜的光學脈沖神經網絡結構，證明該結構的可擴展性。擬設計的神經網絡中的每一層結構包括三個功能單元，即收集器、分發器和神經突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中，分發器將光脈沖分發給多個神經元，神經突觸結構則產生光脈沖信號，輸入給下一層結構。基于上述結構實現圖片、語音和文本的識別。 創新性分析：①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統電學存算一體化器件相比,擬研發的器件可以進行長距離的信息傳輸，具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比，以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節”的人工神經突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經突觸，填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析：①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統集成電路的高密度特性，且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩定性強等特性，且本身在通信波段非晶態透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優點，具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩定性強等優點。 獨占性分析：根據已取得成果正在撰寫專利，以獲得該關鍵技術的獨有權。