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豬板油率、內(nèi)脂率和腿臀肉骨率相關基因Nudt6的分
研發(fā)階段/n可用于豬胴體性狀的遺傳改良，在豬的遺傳改良中胴體性狀的測定需要進行屠宰測定，只有背膘厚度性狀可在達到目標體重時進行活體測定，利用這3項專利，可以進行胴體性狀的改良（不需要進行屠宰測定），降低背膘厚度，降低板油率和內(nèi)脂率，提高瘦肉率和腿臀肉骨率。
華中農(nóng)業(yè)大學
2021-01-12
井間并行電阻率阻率CT測試方法
本發(fā)明公開了一種井間并行電阻率 CT 測試方法，是對鉆孔間地質(zhì)條件及構(gòu)造特征進行探查的一種物探技術(shù)。通過在兩兩鉆井之間布置測試系統(tǒng)，形成 64 個電極的井間測線，采用并行電法數(shù)據(jù)采集技術(shù)進行單極或偶極供電與測試，獲得井間電性采集數(shù)據(jù)，形成井間不同電極間層析數(shù)據(jù)體。通過井間電阻率層析成像技術(shù)實現(xiàn)對測試區(qū)域電阻率及激電參數(shù)成像，進一步評價其巖層及構(gòu)造特征狀況，獲得地質(zhì)解釋成果及認識。該套測試系統(tǒng)可完成 1200m 深井的數(shù)據(jù)采集。
安徽理工大學
2021-04-13
16053電導率計
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
呼吸率傳感器
量程：0Pa～10kPa，分辨率：10Pa。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
柴油機混合率與化學反應率協(xié)同控制技術(shù)及應用
電機項目針對高效能電機綜合設計方法與技術(shù)進行了系統(tǒng)深入的研究，提出了一套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高效能電機智能化綜合設計技術(shù)，解決了電機效能提升的關鍵技術(shù)難題，在關鍵技術(shù)和推廣應用方面取得了實質(zhì)性創(chuàng)新和重大突破。項目成果大幅提升了企業(yè)的市場競爭力，在意大利ZEL等單位得到了全面推廣，并且在推動產(chǎn)業(yè)進步
天津大學
2021-04-14
電導率傳感器
規(guī)格：6個操作鍵，內(nèi)置鋰電，具有LCD顯示、數(shù)據(jù)儲存功能，能脫離計算機進行采集、顯示、記錄數(shù)據(jù)。與計算機的連接支持兩種方式:（1）通過數(shù)據(jù)采集線直接與計算機USB相連；（2）通過藍牙與計算機相連。
測量范圍：0～30000μs/cm，分辨率：0.1μs/cm
南京師范大學課程資源研究所
2021-08-23
電導率傳感器
量程：0～10mS/cm；分辨率：0.005mS/cm；用于測量水溶液的電導率，分析飲用水的純度等。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
氮氣滲透率測試儀
NELD-NPR163型氮氣滲透率測試儀，是耐爾得根據(jù)GB36900.2-2018《低、中水平放射性廢物高完整性容器——混凝土容器》標準，自主研發(fā)的產(chǎn)品。氮氣滲透率測試方法適用于以測定混凝土的氣體滲透率來確定混凝土抗氣體滲透性能。氮氣滲透率測試儀試件夾具采用304不銹鋼材質(zhì)，采集儀表高精度數(shù)顯，充氣橡膠囊高耐壓，皂膜流量計數(shù)字顯示，測量精度高。該產(chǎn)品支撐采用福馬輪，可水平調(diào)節(jié)、可支撐、可固定、可滾動、可防塵。產(chǎn)品設計巧妙科學，操作方便，是科研單位、質(zhì)檢機構(gòu)理想的試驗設備。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
造影劑弛豫率 核磁共振造影劑馳豫率分
產(chǎn)品詳細介紹產(chǎn)品簡介： NMI20核磁共振造影劑馳豫率分析成像測試儀是一款經(jīng)典的小核磁，專為核磁共振造影劑研究應用設計開發(fā)而成，該設備配套有造影劑專用弛豫時間測試軟件,磁共振成像軟件，可以直接測試得到不同濃度造影劑樣品的T1、T2弛豫時間，R1、R2弛豫速率以及造影劑樣品的弛豫效率r，并可完成T1加權(quán)成像，,T2加權(quán)成像和質(zhì)子密度加權(quán)成像。弛豫時間測試過程非常簡單，樣品無需特別配置，軟件實現(xiàn)中英文雙語選擇界面，操作簡便，易學易用。技術(shù)指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：15mm；應用解決方案：1、Gd類，F(xiàn)e類，Mn類等核磁共振造影劑T1、T2弛豫時間測試，弛豫效率r測試；2、不同濃度造影劑樣品成像，T1,T2加權(quán)成像，直觀評價造影效果；3、細胞液弛豫測試與成像 .....應用案例一：四氧化三鐵，T2磁共振靶向造影劑弛豫率測試，磁共振成像測試應用案例二：Gd+ 類T1 磁共振造影劑測試實例，T1弛豫時間測試，T1加權(quán)成像應用案例三：不同濃度磁共振造影劑對比成像注：儀器外觀如有變動，以產(chǎn)品技術(shù)資料為準。
上海紐邁電子科技有限公司
2021-08-23
高遷移率溝道MOS?器件
已有樣品/nCMOS 研究團隊創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了
中國科學院大學
2021-01-12