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論文在MOF基晶態(tài)材料作為光催化劑實(shí)現(xiàn)CO2到CO的光催化定向轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)上，選擇了兼容的反應(yīng)體系和反應(yīng)裝置，建立了光催化還原CO2反應(yīng)和羰基化反應(yīng)的串聯(lián)催化反應(yīng)體系。

六價(jià)鉻對(duì)人體具有慢性毒害，可以通過(guò)消化道、呼吸道、皮膚和粘膜侵入人體，主要積聚在人體內(nèi)的肝、腎和內(nèi)分泌腺中。六價(jià)鉻有強(qiáng)氧化作用，所以慢性中毒往往以局部損害開(kāi)始，逐漸發(fā)展到不可救藥。通過(guò)光催化可實(shí)現(xiàn)六價(jià)鉻還原為無(wú)毒害的三價(jià)鉻。現(xiàn)有光催化劑多數(shù)只能利用紫外光區(qū)域，催化性能較低。酞菁在可見(jiàn)光區(qū)域具有良好吸收效果，通過(guò)利用八甲基取代的酞菁銅納米棒與氧化石墨烯制備復(fù)合材料，可以有效提高光催化劑的光譜吸收范圍，實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能的充分利用，同時(shí)加快電荷傳輸，實(shí)現(xiàn)在水溶液中高效還原六價(jià)鉻，在日常太陽(yáng)光照下兩小時(shí)內(nèi)降解97%的水中的六價(jià)鉻。

公示期2024年1月8日至2024年1月12日。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 貨號(hào) 質(zhì)量 kg 精度 單位 價(jià)格 FM1KG-F1 1 F1 只 ￥689.00 FM1KG-F2 1 F2 只 ￥632.00 FM1KG-M1 1 M1 只 ￥537.00 貨號(hào) 質(zhì)量 kg 精度 單位 價(jià)格 FM2KG-F1 2 F1 只 ￥812.50 FM2KG-F2 2 F2 只 ￥755.50 FM2KG-M1 2 M1 只 ￥632.00 貨號(hào) 質(zhì)量 kg 精度 單位 價(jià)格 FM5KG-F1 5 F1 只 ￥1335.00 FM5KG-F2 5 F2 只 ￥955.00 FM5KG-M1 5 M1 只 ￥860.00 貨號(hào) 質(zhì)量 kg 精度 單位 價(jià)格 FM10KG-F1 10 F1 只 ￥2385.00 FM10KG-F2 10 F2 只 ￥2005.00 FM10KG-M1 10 M1 只 ￥1920.00 貨號(hào) 質(zhì)量 kg 精度 單位 價(jià)格 FM20KG-F1 20 F1 只 ￥2955.00 FM20KG-F2 20 F2 只 ￥2980.00 FM20KG-M1 20 M1 只 ￥2690.00  

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫(kù)珀對(duì)的自旋被有效的塞曼磁場(chǎng)固定住，由此表現(xiàn)出極強(qiáng)的的面內(nèi)臨界磁場(chǎng)（遠(yuǎn)超其泡利順磁極限）。通過(guò)分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級(jí)平整的高質(zhì)量單層過(guò)渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對(duì)其覆蓋非晶態(tài)Se保護(hù)層，進(jìn)而對(duì)非原位的電輸運(yùn)物性展開(kāi)了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：?jiǎn)螌覰bSe2薄膜表現(xiàn)出超過(guò)6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達(dá)2.40 K的零電阻溫度，超過(guò)了早期機(jī)械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長(zhǎng)的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時(shí)，強(qiáng)磁場(chǎng)和極低溫下的輸運(yùn)測(cè)量結(jié)果直接證實(shí)了平行特征臨界場(chǎng)Bc//(T = 0)是順磁極限場(chǎng)的5倍以上，符合Zeeman保護(hù)的伊辛超導(dǎo)機(jī)制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場(chǎng)下的外推）。此外，極低溫垂直磁場(chǎng)下的電輸運(yùn)測(cè)量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對(duì)零度時(shí)的量子臨界點(diǎn)表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。