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由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過(guò)了中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的現(xiàn)場(chǎng)鑒定。 由中國(guó)工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國(guó)杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來(lái)自中國(guó)移動(dòng)、信通院、華為、中興、大唐電信和國(guó)內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會(huì)對(duì)該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)鑒定并給予了高度評(píng)價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問(wèn)題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國(guó)際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過(guò)250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來(lái)無(wú)線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問(wèn)題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來(lái)一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢(shì)，但其輸出功率相對(duì)較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問(wèn)題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無(wú)需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了提供的一種用于復(fù)合波片光軸對(duì)準(zhǔn)的裝夾裝置，該裝置包括電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)、固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤；波片支架安裝在電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)，固定波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)基座連在一起，旋轉(zhuǎn)波片卡盤與電控旋轉(zhuǎn)臺(tái)轉(zhuǎn)盤連在一起，使用時(shí)，將安裝有晶片的波片支架安裝在固定波片卡盤和旋轉(zhuǎn)波片卡盤上。本發(fā)明提供的裝夾裝置可以實(shí)現(xiàn)在對(duì)復(fù)合波片光軸進(jìn)行高精度對(duì)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)組成復(fù)合波片的各晶片進(jìn)行夾持，并保證不同晶片間能產(chǎn)生高精度高分辨率的相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)。與現(xiàn)有波片夾具相比，本發(fā)明所提供的裝夾裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)兩片晶片的夾持和精確定位，而且能夠使兩片晶片間產(chǎn)生高精度高分辨率地相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，更適合用于復(fù)合波片光軸的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。

本發(fā)明公開(kāi)了一種具有良好吸波性能的納米晶稀土鐵基吸波材料及其制備方法，該材料的特征在于 將配比為重量百分比為2％～70％稀土元素與5％～98％的鐵以及少量摻雜元素熔煉成稀土-鐵基合金，再在 0-700℃的溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)(氫爆方法)破碎成細(xì)小粉末或球磨成細(xì)小粉末，然后在100℃-1000℃ 溫度范圍內(nèi)與氫氣反應(yīng)生成主相為稀土氫化物(RHx)和α-Fe的復(fù)合材料，最后將上述復(fù)合材料在低溫 氧化或氮化或氮化加氧化，制備出稀土氧化物或氮化物/α-Fe為主的復(fù)合材料。這種材料具有吸波性能好， 屏蔽波段寬，耐腐蝕，抗氧化以及價(jià)格低廉的特點(diǎn)，可用于建筑電磁屏蔽、信息及通訊技術(shù)保密、軍事隱 身技術(shù)等領(lǐng)域。

本發(fā)明公開(kāi)了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過(guò)在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

本發(fā)明公開(kāi)了一種電力系統(tǒng)故障錄波回放方法，采用雙 Picturebox 交互繪圖，其中畫布 Picturebox1 用于繪制波形圖， Picturebox2 用于繪制放大矩形框和定位光標(biāo)，并且采用雙緩沖技術(shù)， 在繪制多面板、多通道時(shí)，先將所有面板繪制在緩沖區(qū)里，然后一次 性在 Picturebox 上繪制；顯示全局圖時(shí)，減小采樣率；查看局部時(shí)， 按真實(shí)采樣點(diǎn)數(shù)繪制；波形放大平移后，只繪制用戶可見(jiàn)時(shí)間區(qū)間內(nèi) 的點(diǎn)。這樣可以避免在繪制放大矩形框或拖動(dòng)光標(biāo)時(shí)不斷重繪波形圖， 提高流暢度。 

基于磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波檢測(cè)導(dǎo)磁構(gòu)件缺陷的裝置，屬于超聲波無(wú)損檢測(cè)裝置，目的在于克服縱向模式導(dǎo)波衰減較大，存在明顯頻散效應(yīng)的不足，檢測(cè)時(shí)無(wú)須對(duì)構(gòu)件表面進(jìn)行處理。本發(fā)明包括脈沖信號(hào)發(fā)生器、功率放大器、磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波傳感器、信號(hào)預(yù)處理器、A/D 轉(zhuǎn)換器以及計(jì)算機(jī)；磁致伸縮扭轉(zhuǎn)波傳感器包括激勵(lì)單元和接收單元。計(jì)算機(jī)控制脈沖信號(hào)的產(chǎn)生，經(jīng)功率放大器放大，通過(guò)激勵(lì)單元在構(gòu)件中產(chǎn)生扭轉(zhuǎn)波，接收單元接收構(gòu)件中傳播的扭轉(zhuǎn)波，經(jīng)信號(hào)預(yù)處理器處理，通過(guò) A/D 轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，通過(guò)計(jì)算機(jī)處理獲得構(gòu)件的缺陷信息。本發(fā)明可

本發(fā)明公開(kāi)了一種異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)的速率估計(jì)方法，首先，以典型用戶終端為中心，在視距鏈路情況和非視距鏈路情況下，對(duì)小型基站與微基站對(duì)應(yīng)的兩層網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行對(duì)應(yīng)比例縮放，使之能夠視為虛擬單層網(wǎng)絡(luò)；然后根據(jù)典型用戶終端在網(wǎng)絡(luò)中所處的位置，宏基站實(shí)現(xiàn)信號(hào)的調(diào)度，根據(jù)虛擬單層網(wǎng)絡(luò)為用戶分配最近小型基站或者微基站，再由毫米波通信的小型基站和微基站為用戶提供具體服務(wù)。在此基礎(chǔ)上，估計(jì)網(wǎng)絡(luò)的平均可達(dá)速率。由于考慮到了環(huán)境因素對(duì)毫米波通信的影響，區(qū)分視距情況與非視距情況，將多層毫米波網(wǎng)絡(luò)歸一化為單層虛擬網(wǎng)絡(luò)，使之在虛擬單層網(wǎng)絡(luò)中距離用戶最近基站即為用戶的服務(wù)基站，提高了異構(gòu)毫米波蜂窩網(wǎng)絡(luò)速率估計(jì)的準(zhǔn)確性。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于產(chǎn)生 OAM 波的環(huán)形縫隙天線，包括介質(zhì)基板、矩形金屬貼片陣列和環(huán)形縫隙金屬板；環(huán)形縫隙金屬板設(shè)置在介質(zhì)基板的正面，矩形金屬貼片均勻陣列分布在介質(zhì)基板背面與環(huán)形縫隙金屬板的環(huán)形縫隙正對(duì)的位置；矩形金屬貼片的長(zhǎng)度大于環(huán)形縫隙寬度；其優(yōu)選方案還包括饋電電路和金屬反射板；饋電電路包括相移器和功分器，用于將一路輸入信號(hào)分成 N 路幅值相等、相位等差的輸出信號(hào)，經(jīng)由矩形金屬貼片陣列給環(huán)形縫隙天線饋電；金屬反射板位于環(huán)形縫隙天線下方，以增強(qiáng)天線的正向輻射。本發(fā)明提供的這種環(huán)形縫隙天線天線能夠產(chǎn)生特定模式的 OAM 波，為生成 OAM 波提供了一種低成本、微型化的解決方法。

本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉(zhuǎn)移裝置， 包括薄膜進(jìn)給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉(zhuǎn)移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進(jìn)給單元用于薄膜的進(jìn)給運(yùn)動(dòng)并對(duì)薄膜進(jìn) 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅(qū)動(dòng)至壓輥轉(zhuǎn)移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉(zhuǎn)移單元中實(shí)現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元?jiǎng)t根據(jù)工況需要提供多種對(duì)廢料的實(shí)時(shí)檢測(cè)和剔除操作。通過(guò)本 發(fā)明，各個(gè)模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實(shí)現(xiàn)對(duì)成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測(cè)轉(zhuǎn)移過(guò)程，同時(shí)具備運(yùn)動(dòng)穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點(diǎn)。