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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結(jié)構(gòu)的 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材 料及制備和應(yīng)用
本發(fā)明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結(jié)構(gòu)的 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料及其二者的制備方法和應(yīng)用，屬于材料領(lǐng)域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規(guī)格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料采用氣相原位化學(xué)聚合法復(fù)合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結(jié)構(gòu)，具有比表面高
華中科技大學(xué)
2021-04-14
中美科學(xué)家合作在依托新型導(dǎo)電聚合物研發(fā)柔性可拉伸高密度微陣列電極方面取得重要進(jìn)展
柔性可拉伸的電極在可穿戴設(shè)備中記錄肌肉電活動(dòng)、腦機(jī)接口獲取腦或神經(jīng)界面信號(hào)等方面均具有廣泛的應(yīng)用。
科技部生物中心
2022-04-12
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)關(guān)于召開(kāi)ChatGPT助推教育數(shù)字化高峰論壇暨第二屆成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈教育信息化論壇的通知
為深入貫徹習(xí)近平總書(shū)記關(guān)于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)系列重要指示精神，落實(shí)好重慶市教委、四川省教育廳簽訂的《推動(dòng)成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈建設(shè)教育協(xié)同發(fā)展框架協(xié)議》重點(diǎn)任務(wù)，推動(dòng)智能技術(shù)與高等教育深度融合，促進(jìn)川渝高校數(shù)字化轉(zhuǎn)型，經(jīng)研究，中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)決定舉辦“ChatGPT助推教育數(shù)字化高峰論壇暨第二屆成渝雙城經(jīng)濟(jì)圈教育信息化論壇”。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-03-28
廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金委員會(huì)關(guān)于“載生長(zhǎng)因子BMP和VEGF的骨再生材料的成骨機(jī)理研究”等擬終止項(xiàng)目的公示
根據(jù)《廣東省省級(jí)科技計(jì)劃項(xiàng)目驗(yàn)收結(jié)題工作規(guī)程（試行）》（粵科監(jiān)〔2020〕77號(hào)）、《廣東省科學(xué)技術(shù)廳關(guān)于廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金（省自然科學(xué)基金、聯(lián)合基金等）項(xiàng)目管理的實(shí)施細(xì)則（試行）》（粵科規(guī)范字〔2021〕4號(hào)）有關(guān)終止的規(guī)定，現(xiàn)對(duì)“載生長(zhǎng)因子BMP和VEGF的骨再生材料的成骨機(jī)理研究”等49項(xiàng)擬終止項(xiàng)目進(jìn)行公示（詳見(jiàn)附件1）。公示期自2023年8月8日至8月14日，共5個(gè)工作日。
廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金委員會(huì)
2023-08-09
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南京大學(xué)余林蔚、徐駿教授課題組在柔性襯底上“激光-液滴”自加熱驅(qū)動(dòng)納米線(xiàn)超高速生長(zhǎng)集成新突破
在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴(lài)高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線(xiàn)生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線(xiàn)生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線(xiàn)在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線(xiàn)生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線(xiàn)的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線(xiàn)形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線(xiàn)生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線(xiàn)的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線(xiàn)溝道，并制備了納米線(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類(lèi)大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線(xiàn)陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線(xiàn)。
南京大學(xué)
2021-02-01